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Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse? - Die Samsung SSD 750 EVO im Detail

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Öffnet man das Gehäuse, wird klar, wie hoch die Speicherdichte bei Flash-Speicher inzwischen ist, denn die Platinen brauchen nur einen Bruchteil des Platzes, der in einem 2,5-Zoll-Laufwerk zur Verfügung steht. Der quadratische Chip ist in beiden Fällen der Controller, dabei handelt es sich um den hauseigenen MGX-Controller. Einen DRAM-Speicherchip, der als Cache dient, sucht man vergeblich, denn ein 256 MB großer DRAM-Cache wurde direkt in den Controller integriert.

Jeweils links daneben ist der Speicher, ebenfalls von Samsung gefertigt. Es handelt sich dabei jedoch nicht um Samsungs aktuellen 3D V-NAND, sondern um 2D-Speicher, den Samsung in 16 nm fertigt. Der Speicher speichert drei Bits pro Zelle (TLC), das 120-GB-Modell kommt mit einem einzigen Speicherbaustein aus, bei der größeren 250-GB-Version befindet auf der Rückseite der Platine ein weiterer Speicherbaustein.

Die Samsung SSD 750 EVO ist kompakt gebaut.

Es ist sehr erfreulich, dass Samsung auch bei einem Einsteiger-Laufwerk wie der 750 EVO eine AES-Verschlüsselung samt TCG-Opal- und eDrive-Unterstützung anbietet. Crucial hat bei dem Einsteiger-Laufwerk BX200 sämtliche Verschlüsselungsfeatures gestrichen, diese sind nur beim Mainstream-Modell MX200 verfügbar.

Die Samsung SSD 750 EVO ist für eine maximale Schreiblast von 35 TBW für das 120 GB und 70 TBW für das 250-GB-Modell spezifiziert. Bei der 850 EVO sind es 75 TBW für die 250-GB-Variante. In der Praxis dürften beide Modellreihen einen signifikant höheren Wert erreichen, die Hersteller sind insbesondere bei den Consumer-Laufwerken sehr konservativ, was die maximale Schreiblast angeht – nicht zuletzt sicher auch deswegen, um eine ausreichende Abgrenzung zu den Enterprise-Laufwerken zu erzielen.

Um die Geschwindigkeit zumindest kurzfristig noch weiter zu steigern, setzen viele Hersteller Pseudo-SLC-Caches ein - Samsung gibt dieser Funktion den werbewirksamen Namen TurboWrite. Dabei wird ein Teil des (TLC-)Speichers im SLC-Modus angesprochen, d.h. mit nur einem statt drei Bits programmiert. Der Cache hilft vor allem bei Schreiboperationen, da Speicherzellen im SLC-Modus wesentlich schneller beschrieben werden können. Im Folgenden haben wir den Einfluss des TurboWrite-Caches getestet: In der ersten Spalte wurde insgesamt fünf Sekunden sequenziell auf das Laufwerk geschrieben und die Geschwindigkeit gemessen. In der zweiten Spalte wurde insgesamt 60 Sekunden geschrieben, die Geschwindigkeit aber wieder nur über die letzten fünf Sekunden gemessen.

Einfluss des TurboWrite-Caches
 mit Cacheohne Cache
Kapazität 120 GB 250 GB 120 GB 250 GB
Seq. schreiben (MB/s) 464,37 464,61 168,76 256,67

Solange in den Cache geschrieben werden kann, sind beide Laufwerke gleichauf und liefern eine hohe Geschwindigkeit. Sobald der Cache jedoch voll ist, brechen beide Laufwerke ein, die 120-GB-Variante sogar noch einmal deutlich stärker als das größere 250-GB-Modell. Für den Alltagsbetrieb verspricht der TurboWrite-Cache jedoch eine spürbare Performancesteigerung, da langanhaltende Schreiboperationen eher die Ausnahme sind.

Quellen und weitere Links

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