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Ob zuletzt mit der SATA 870 QVO oder der NVMe 980 PRO - auch wenn Samsungs Solid State Drives der jüngeren Vergangenheit stets im Gesamtpaket überzeugen konnten, die immense Erwartungshaltung an den Branchenprimus war meist deutlich höher. Nun schickt sich Samsung an, mit der SSD 870 EVO eine der vermutlich meist gekauften Massenspeicher zu ersetzen. Wie gut dies klappt, klären wir mit unserem Review.
Die wichtigsten Eckdaten vorweg: Auch wenn die begründeten Befürchtungen eher unwahrscheinlich waren, können wir Entwarnung geben, dass die Samsung SSD 870 EVO wie schon ihre Vorgängerin auf TLC-NAND setzt. Ein "Downgrade" wie bei der kontrovers diskutierten SSD 980 PRO fand also nicht statt. Auch bei der Menge DRAM oder den verfügbaren Kapazitäten hat Samsung keine Änderungen zur 860 EVO vorgenommen. Dies bedeutet aber auch, dass Samsung lediglich Kapazitäten bis zu 4 TB anbietet. Wer mehr Speicher benötigt, muss entweder auf teurere Data Center Laufwerke zurückgreifen oder eben auf QLC.
Als Nachfolgerin der SSD 860 EVO finden sich im Datenblatt kaum Überraschungen. Die nominelle Maximalgeschwindigkeit ist beispielsweise nur um 10 MB/s gestiegen, wobei interessanterweise der Zusatz "SLC-Cached" fehlt. Ob dies ein Hinweis ist, dass auch der NAND direkt mit dieser Geschwindigkeit beschrieben werden kann, müssen unsere Tests zeigen. Klar ist, dass Samsung in jedem Fall neuen NAND bei der 870 EVO verwendet. Wenn auch leider nicht näher spezifiziert, handelt es sich nun um V-NAND der fünften Generation in mehr als 100 Schichten, während bei der 860 EVO noch 64-Layer V-NAND v4 zum Einsatz kam.
Wenig überraschend erscheint die 870 EVO nur noch im 2,5"-Format. Die 860 EVO wurde noch zusätzlich im M.2- und mSATA-Format auf den Markt gebracht. Doch während letzteres mittlerweile als ausgestorben gesehen werden muss, wird ersteres Format zwischenzeitlich von schnelleren NVMe-Lösungen bestimmt.
Modell | Samsung SSD 870 EVO 1 TB |
Controller | Samsung MKX Controller |
Cache | DRAM (LPDDR4) 250 GB: 512 MB 500 GB: 512 MB 1 TB: 1 GB 2 TB: 2 GB 4 TB: 4 GB |
NAND | Samsung V-NAND 3bit MLC (>100 Layer) |
Verfügbare Kapazitäten | 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB |
sequentielle Lese/Schreibrate | Lesend: 560 MB/s Schreibend: 530 MB/s |
Total Bytes Written (TBW) | 250 GB: 150 TBW 500 GB: 300 TBW 1 TB: 600 TBW 2 TB: 1.200 TBW 4 TB: 2.400 TBW |
MTBF | 1,5 Millionen Stunden |
Garantie | Fünf Jahre |
Features: | Intelligent TurnoWrite, TRIM, Garbage Collection, S.M.A.R.T, AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) |
Preis | UVP 139 Dollar (1 TB) |