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Samsung hält gerade das 3. US Samsung Foundry Forum ab und präsentiert dabei die Neuheiten und Pläne rund um die Halbleiterfertigung. Nicht ganz zufällig dürften darin auch GAA-Transistoren genannt werden, zu denen wir eine Meldung zum Einsatz als Nanowires für Transistoren in 5 nm und kleiner hatten.
Samsung hat derzeit folgende Pläne für die Fertigung: 7LPP (7nm Low Power Plus), 5LPE (5nm Low Power Early), 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus) und 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus).
7LPP soll bereits in der zweiten Jahreshälfte 2018 in die Produktion gehen. Es wird die erste Fertigung von Samsung sein, welche die EUV-Lithografie verwendet. Einige wichtige IP-Komponenten seien bereits in der Entwicklung und damit meint Samsung sicherlich eigene SoCs, die in 7 nm gefertigt werden sollen. In der ersten Jahreshälfte 2019 sollen dann die ersten Produkte ausgeliefert werden.
5LPE wird der erste Innovationsschritt von 7LPP sein. Verbesserungen erwartet Samsung vor allem durch eine höhere Packdichte sowie im Stromverbrauch. 4LPE/LPP wird wohl der letzte Fertigungsschritt von Samsung sein, der noch auf FinFET-Transistoren setzt. Die Strukturbreiten machen nominell kleinere Schritte, sind prozentual aber dennoch beachtlich und offenbar vor allem technisch eine Herausforderung. 4LPE/LPP soll die Packdichte noch einmal verbessern und die Leistung der Chips ingesamt steigern. Samsung hofft von 5LPE ausgehend schnell auf 4LPE/LPP wechseln zu können.
Der Name 3GAAE/GAAP beinhaltet bereits den wichtigsten Entwicklungsschritt – den Einsatz von GAA-Transistoren. Diese sind der nächste Schritt nach FinFET-Transistoren und sollen die physikalischen Grenzen noch einmal erweitern. Samsung bezeichnet seine Umsetzung der GAA-Transistoren als MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
Laut eigenen Angaben stellt sich Samsung weiterhin recht breit auf und bietet als Auftragsfertiger die Fertigung großer HPC-Chips, aber auch kleiner MCUs (Microcontroller) an. In den kommenden Monaten werden wir also zunächst einmal Chips aus der 7-nm-Fertigung sehen. Einen konkreten Zeitplan für 5, 4 und 3 nm gibt es noch nicht.