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Transistoren

  • Intel will in fünf Jahren Transistoren mit Nanodrähten/Nanobändern verwenden

    Auf der VLSI-Konferenz präsentierte Intels CTO Mike Mayberry unter der Überschrift "The Future of Compute" einige Aspekte zur Zukunft des Chipgiganten. Dabei geht der Blick über die aktuelle FinFET- und künftige Gate-All-Around-Technologie hinaus. Transistoren auf Basis von Nanodrähten und Nanobändern sollen sich bereits in fünf Jahren in der Massenproduktion befinden. Auf die planaren Transistoren folgten für alle... [mehr]

  • Samsung spricht über Fertigung in 3 nm mit GAA-Transistoren

    Samsung hält gerade das 3. US Samsung Foundry Forum ab und präsentiert dabei die Neuheiten und Pläne rund um die Halbleiterfertigung. Nicht ganz zufällig dürften darin auch GAA-Transistoren genannt werden, zu denen wir eine Meldung zum Einsatz als Nanowires für Transistoren in 5 nm und kleiner hatten. Samsung hat derzeit folgende Pläne für die Fertigung: 7LPP (7nm Low Power Plus), 5LPE (5nm Low Power Early), 4LPE/LPP (4nm Low... [mehr]