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Seit ca. zehn Jahren driftet die Benennung der Prozess-Technologien mit den tatsächlichen Größen immer weiter auseinander. Das, was TSMC als N3 oder Intel als Intel 7 bezeichnen, hat keinerlei direkte Verbindung mit den Dimensionen der gefertigten Transistoren. Um hier zumindest in der Namensgebung wieder auf Niveau der Konkurrenz zu sein, entschied sich Intel Mitte 2021 zu einer Umbenennung.
Nun plant offenbar auch Samsung eine Umbenennung, um konkurrenzfähiger zu wirken. Dies berichtet ZDNET Korea. Die zweite Generation des 3-nm-Prozesses (SF3) soll für die Massenproduktion in einen 2-nm-Prozess umbenannt werden. Ob dies dann auch für SF3P (siehe Roadmap) der Fall ist und die geplanten Prozesse SF2 sowie SF2P in den nächsten Prozessschritt SF1.4 umbenannt werden, ist nicht bekannt.
Laut ZDNET Korea habe Samsung seine Kunden bereits über die Umbenennung informiert. In den Verträgen sollen die Namen der Prozesse bereits abgeändert worden sein.
Es ist nicht das erste Mal, dass Samsung so vorgeht. Die zweite Generation seines 7-nm-Prozesses nannten Samsung Mitte 2020 in einen 5-nm-Prozess um. Auch hier wollte man der verbesserten Leistung Rechnung tragen.
Samsung hat sich offenbar noch nicht offiziell zu diesem Thema geäußert. Ab der zweiten Jahreshälfte 2024 soll die Massenproduktion des nun offenbar in 2 nm umbenannten Fertigungsprozesses bei Samsung beginnen. Zwar ist das südkoreanische Unternehmen noch immer der zweitgrößte Auftragsfertiger, die Ankündigung seitens Intel nun im Foundry-Geschäft angreifen zu wollen, dürfte Samsung allerdings unter Druck setzen.
Mal ein Blick in die Metriken
Die Dimensionen der einzelnen Transistoren haben also längst nichts mehr mit den Namensgebungen der Prozesse zu tun. An einem Beispiel können wir darauf einmal genauer eingehen:
Intel machte zuletzt einige Angaben zu den Zellgrößen seiner sogenannten High-Performance-Bibliothek für Intel 7 und Intel 4. Hier passt eigentlich nur noch die Zellhöhe, bzw. deren Skalierung zur Namensgebung. In einer Zelle befinden sich mehr als nur ein Transistor, da für höhere Leistungen/Taktraten pro Funktionszelle gleich mehrere Transistoren verwendet werden.
Der Fin Pitch, also der Abstand der Fins, geht von 34 auf 30 nm zurück. Der Abstand des Gates von 54/60 auf 50 nm. Die 7 oder 4 nm finden wir hier in keinem der Elemente der Transistoren wieder. Die Namen der Fertigungsgrößen sind längst Schall und Rauch. Hinzu kommt, dass jeder Halbleiterhersteller für seine Kunden (oder Intel für seine eigenen Produkte) gewisse Anpassungen des Fertigungsprozesses vornehmen kann. Diese Anpassungen werden bei AMD und NVIDIA für seinen Prozess bei TSMC ebenso vorgenommen, wie dies bei Intel mit Intel 3 oder Intel 18A für seine Foundry-Kunden der Fall sein wird.