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Samsung hat das Tool-in, also den Einbau des ersten Werkzeuges in seinem neuen Halbleiter-Forschungs- und Entwicklungskomplex (NRD-K) auf dem Giheung-Campus, groß gefeiert. Für das rund 14,4 Milliarden Euro teure Projekt, welches ab 2030 noch weiter ausgebaut werden soll. Mit der Einrichtung will Samsung die Entwicklung für Speicher, System-LSI und Foundry-Halbleiter vorantreiben.
Der gesamte Komplex erstreckt sich über eine Fläche von 109.000 m², was in etwa 15 Fußballfeldern entspricht. Dort ist auch eine speziell für die Forschung und Entwicklung vorgesehene Produktionslinie geplant, die ab Mitte 2025 in Betrieb gehen soll.
Im NRD-K sollen auch die neuesten High-NA-EUV-Maschinen (Extrem-Ultraviolett-Lithographie) zum Einsatz kommen. Unter anderem mit diesen soll die Entwicklung von Speicherhalbleitern der nächsten Generation wie 3D-DRAM und V-NAND mit mehr als 1.000 Lagen vorangetrieben werden. Darüber hinaus ist eine Infrastruktur für das Wafer-Bonding mit Wafer-zu-Wafer-Bonding-Fähigkeiten geplant.
In den letzten Jahren ist Samsung in einigen Bereichen von der Konkurrenz und vor allem von TSMC abgehängt worden. Das Foundry-Geschäft läuft nicht wie geplant und High-End-Chips werden meist beim Konkurrenten bestellt. Große Probleme bei der Fertigung in 3 nm und der Umstellung auf den GAA-Transistor sind hier offensichtlich die Ursache.
Darüber hinaus gibt es aber offenbar auch beim HBM immer wieder Probleme. So konnte Samsung seinen HBM3E noch immer nicht für den Einsatz auf NVIDIAs H200- und Blackwell-Beschleunigern qualifizieren. Dennoch ist man hinter TSMC noch immer der zweitgrößte Auftragsfertiger, wenngleich Intel seinem südkoreanischen Konkurrenten in wenigen Jahren diesen Rang streitig machen will. Dies zu verhindern dürfte eine Aufgabe des neuen Forschungs- und Entwicklungskomplexes sein.