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Neben der Vorstellung des High Bandwidth Flash (HBF) als neuen, auf NAND- statt DRAM-Flash basierenden Stapelspeicher, hat SanDisk auf dem Investors Day 2025 auch eine Vorschau auf die nächste Generation des 3D-NAND BiSC9 gegeben. Dabei wird klar, dass SanDisk zusammen mit Kioxia das Rennen rund um die höchste Anzahl an NAND-Layer nicht mitgehen wird und dennoch eine hohe Speicherdichte erreichen will.
Während Samsung mit 286 Layer, Micron mit 276 Layer und YMTC mit 232 Layer aktuell also auf deutlich mehr als 200 Layer kommen, waren es auch beim BiSC8 bereits 218 Layer. Aber SanDisk oder besser WD wollen mit BiSC9 auf etwa 300 Layer kommen, während es bei Samsung mit dem V10 3D-NAND mehr als 400 Layer sein sollen.
Aber die Speicherdichte ist eben nicht nur von der Anzahl der Lagen abhängig, sondern auch von der Packdichte der NAND-Layer selbst. SanDisk verwendet hier schon mit BiSC8 ein sogenanntes CMOS Bonded Array (CBA), bei dem der CMOS-Wafer mit dem Logik-Chip getrennt vom Cell/Array-Wafer mit den eigentlichen Speicherlagen gefertigt wird. Damit entkoppelt SanDisk die direkte Kopplung in der Fertigung, was sich auch auf die Skalierung ausgewirkt hat und will die Speicherdichte über eben diese Maßnahme erhöhen. Die CMOS- und Cell/Array-Wafer werden im Anschluss zusammengebracht.
Die Transferrate das BiSC9 soll um 30 % steigen. Genaue Angaben macht SanDisk nicht, aber die einzelne Speicherzelle ist ja nur einer der Faktoren, die hier wichtig sind. In den SSDs von SanDisk, WD und Kioxia kommt dann noch der SSD-Controller hinzu, der ja letztendlich die Anbindung an das PCI-Express-Interface vornimmt.
Auf der ISSCC 2025 (International Solid-State Circuits Conference) in der kommenden Woche soll es weitere Informationen zum BiSC9 geben. Hier plant Samsung auch eine Vorstellung des V10 3D-NAND.
Auf dem Investor Day wurden dann auch gleich einige neue SSDs aus dem Endkunden- und Datacenter-Segment vorgestellt, die aber noch immer auf dem BiSC8 basieren.
