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SK Hynix wird laut eigenen Angaben zufolge ab dem zweiten Quartal seinen 3D-NAND der vierten Generation ausliefern. Dieser wird mit insgesamt 72 Lagen produziert und soll eine Kapazität von 256 GBit pro Chip bieten. Zu einem späteren Zeitpunkt soll die Kapazität noch weiter nach oben geschraubt werden und es werden pro Chip 512 GBit Speicherkapazität zur Verfügung stehen. Hier spricht der Hersteller jedoch von einer Verfügbarkeit erst zum vierten Quartal 2017.
Die vierte Generation des 3D-NAND sollte ursprünglich im vierten Quartal des vergangenen Jahres ausgeliefert werden. Allerdings soll es aufgrund von Produktionsproblemen zu einer Verzögerung gekommen sein. Durch die Erhöhung der Speicherlagen auf 72 und gleichzeitiger Verkleinerung der Strukturbreite können aus einem Wafer mehr Chips herausgeschnitten und somit die Kosten gesenkt werden. Wann die ersten SSDs mit dem 3D-NAND v4 von SK Hynix in den Handel kommen werden, bleibt abzuwarten.
Für den mobilen Bereich wird SK Hynix in diesem Jahr LPDDR4X-DRAM anbieten. Der Speicher soll mit einer Kapazität von maximal 8 GB daherkommen und Transferraten von bis zu 34,1 GB/s bieten. LPDDR4X soll vor allem durch eine höhere Effizienz punkten und damit den Akku des Smartphones oder Tablets schonen. SK Hynix spricht von einer Einsparung von rund 20 % gegenüber dem aktuellen LPDDR4-Speicher.
Ebenfalls hat der Hersteller die Produktion von HBM2-Speicher angekündigt. Die zweite Generation des High Bandwidth Memory wird eine Größe von 4 GB bieten und dabei pro Pin bis zu 1,6 GBit/s übertragen. Die Auslieferung von HBM2 sei noch im aktuellen Quartal geplant. Vor allem die beiden Grafikkartehersteller NVIDIA und AMD werden großes Interesse an dem schnellen Speicher haben. Bisher produziert lediglich Samsung HBM2-Speicher und mit SK Hynix kommt nun noch ein weiterer Hersteller hinzu.