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Micron scheint in Zukunft die Geschwindigkeit von GDDR6-Speicher für Grafikkarten kräftig nach oben schrauben zu wollen. Laut eigenen Aussagen sei eine Erhöhung der Geschwindigkeit auf bis zu 20 Gbit/s geplant. Zumindest im Labor sollen die ersten Musterchips schon diese Geschwindigkeit erreichen können. Hierfür sei allerdings eine Erhöhung der Spannung nötig, was auf eine Übertaktung des Speichers hindeutet.
Mit diesem Schritt möchte Micron eine alternative zum HBM2-Speicher anbieten. Bei HBM2, wie er bei der NVIDIA Tesla V100 zum Einsatz kommt, werden bereits 20 Gbit/s erreicht. Nachteil von HBM2-Speicher sind die deutlich höheren Produktionskosten. Dies ist auf die Komplexität der Produktion zurückzuführen. GDDR6 kann hingegen einfacherer produziert werden und zielt damit mehr auf den Massenmarkt ab.
Noch ist nicht bekannt, ob NVIDIA oder AMD an GDDR6-Speicher mit einer solch hohen Geschwindigkeit interessiert sind. Jedoch haben neben Micron auch schon Samsung und SK Hynix schnellen GDDR6-Speicher angekündigt. Somit scheint dieser Standard in Zukunft eine wichtige Rolle im Grafikkarten-Markt zu spielen. Beide Hersteller stellen allerdings maximal 18 Gbit/s in Aussicht.
Mit 20 Gb/s würde Micron die beiden Kontrahenten in Sachen Performance etwas überholen. Derzeit läuft laut Micron jedoch erst die Serienproduktion von GDDR6 mit 16 Gbit/s an. Wann die schnelleren Chips verfügbar sein werden, konnte oder wollte man noch nicht verraten.