3GAE
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Samsung 3GAE: Die ersten MBCFET stecken in Mining-ASICs
In den vergangenen Tagen machte Samsung in Hinblick auf seine modernsten Fertigungsverfahren auf sich aufmerksam. In den vergangenen Jahren war die Berichterstattung in dieser Hinsicht eher von Negativschlagzeilen geprägt: Verzögerungen, schlechte Ausbeute, das Wegfallen vieler Großkunden. Nun scheint es jedoch in die andere Richtung zu gehen. Zunächst einmal vermeldeten verschiedene Branchen-Magazine (Kmib.co.kr und DigiTimes),... [mehr] -
Samsung will ab 2025 in 2 nm produzieren
Auf dem Samsung Foundry Forum hat der koreanische Großkonzern über seine Pläne hinsichtlich der Fertigung gesprochen. Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) beginnen – so wie man dies auch zuletzt bereits bekräftigte. Für eine Fertigung besonders wichtig ist dabei die Ausbeute. Nach aktuellem Stand soll 3GAE auf Niveau der Fertigung in 4 nm zum... [mehr]