Speicherchips
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Japan und Südkorea: Samsung plant neues Chip-Entwicklungszentrum
Samsung plant ein neue Entwicklungseinrichtung in Japan zu errichten. Mit der Initiative soll die Zusammenarbeit zwischen der japanischen und südkoreanischen Chipindustrie weiter gefördert. Geplant ist der Bau eines separates Entwicklungszentrums in Yokohama, südwestlich von Tokio, wo sich bereits Anlangen des südkoreanischen Herstellers befinden. Die neue Einrichtung soll über 30 Milliarden Yen, umgerechnet etwa 222 Millionen US-Dollar,... [mehr] -
Western Digital: NAND-Bausteine BiCS 4 mit 96 Lagen und mehr Leistung
Western Digital hat Mitte des vergangenen Jahres erstmals die NAND-Bausteine BiCS 3 angekündigt. Bei den Speicherchips setzt der Hersteller auf ein gestapeltes Produktionsverfahren mit insgesamt 64 Lagen. Nun steht der Nachfolger BiCS 4 in den Starlöchern. Mit den neuen Speicherbausteinen werden die Speicherlagen auf 94 erhöht, womit die Speicherdichte pro Chip erhöht wird. Gleichzeitig soll auch die Leistung ansteigen - genaue Angaben fehlen... [mehr] -
UFS 3.0: Spezifikationen sehen bis zu 2,4 GB/s vor
Fast alle aktuellen Smartphones greifen beim internen Speicher auf Universal Flash Storage (UFS-Speicher) zurück. Der Vorteil der Speicherchips ist die hohe Geschwindigkeit, womit die Daten schnell geschrieben und gelesen werden können. In Zukunft wird dieGeschwindigkeit wohl noch weiter anwachsen, denn das Speichergremium JEDEC hat die Spezifikationen von UFS 3.0 festgelegt. UFS 3.0 erlaubt demnach eine Geschwindigkeit von bis zu 2,4 GB/s... [mehr]. -
QLC-NAND: Western Digital kündigt BiCS3 X4 an
Die meisten aktuellen SSDs greifen auf NAND-Bausteine mit TLC-Technik zurück. Dabei werden pro Speicherzelle drei Bits gespeichert. Zukünftig soll der TLC-NAND allerdings durch QLC-NAND ersetzt werden, da damit pro Zelle sogar vier Bit gesichert werden können. Western Digital hat mit dem BiCS3 X4 nun einen entsprechenden Baustein vorgestellt. Der BiCS3 X4 soll laut Western Digital mit einer hohen Leistung punkten und dabei trotzdem günstig zu... [mehr] -
Toshiba startet Prototyp-Produktion von TLC-NAND mit TSV-Technik
Toshiba produziert laut eigenen Angaben zufolge die ersten NAND-Bausteine mit der TSV-Technik. Die Besonderheit der Speicherbausteine ist in der Verdrahtung zu finden. Während alle aktuellen Speicherdies intern mit dünnen Drahtbonds verbunden werden, werden bei der TSV-Technik die Dies vertikal angeordnet und miteinander verbunden. Damit werden die Signalwege deutlich verkürzt und es können höhere Geschwindigkeiten erreicht werden. Zudem können... [mehr] -
SK Hynix arbeitet an 3D-NAND mit 96 und 128 Lagen
Aktuell setzen immer mehr Speicherhersteller auf gestapelten 3D-NAND. Dabei werden mehrere Layer übereinander platziert, um einerseits die Speicherdichte pro Chip zu erhöhen und andererseits die Produktionskosten zu senken. SK Hynix hat bereits vor einigen Monaten die vierte Generation seines 3D-NANDs mit 72 Lagen vorgestellt, doch dies scheint nicht das Ende der Entwicklung zu sein. Geht es nach aktuellen Berichten, entwickelt der... [mehr]