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Aktuell setzen immer mehr Speicherhersteller auf gestapelten 3D-NAND. Dabei werden mehrere Layer übereinander platziert, um einerseits die Speicherdichte pro Chip zu erhöhen und andererseits die Produktionskosten zu senken. SK Hynix hat bereits vor einigen Monaten die vierte Generation seines 3D-NANDs mit 72 Lagen vorgestellt, doch dies scheint nicht das Ende der Entwicklung zu sein.
Geht es nach aktuellen Berichten, entwickelt der Chiphersteller bereits an einem 3D-NAND mit 96 und gar 128 Lagen. Mit der Erhöhung der Speicherlayer soll die Kapazität der einzelnen Chips weiter steigen. Ein 3D-NAND mit 96 Zellschichten soll dann eine Kapazität von 64 GB vorweisen. Der Baustein mit 128 Layern soll sogar 128 GB Speicherkapazität bieten. Die Speicherchips sollen dabei auch weiterhin auf die TLC-Technik zurückgreifen, womit pro Zelle drei Bit gespeichert werden können.
Zwar habe die Entwicklung der größeren NAND-Speicherchips bereits begonnen, einen Zeitplan zum Start der Massenproduktion gibt es derzeit von SK Hynix allerdings noch nicht. Trotzdem zeichnet sich bereits jetzt ab, dass die Speicherkapazitäten auch in Zukunft immer weiter steigen werden. Ob die Preise dadurch entsprechend wieder fallen werden, bleibt abzuwarten. Die Nachfrage nach NAND-Bausteinen ist immer noch ungebrochen hoch.
Neben SK Hynix sollen auch andere Chiphersteller wie Micron, Toshiba und Samsung an Speicherchips mit mehr Layern entwickeln. Außerdem plant Toshiba Speicherchips mit QLC-Technik. Dabei werden pro Zelle vier Bits gepeichert, womit die Speicherdichte nochmals deutlich ansteigen würde. Allerdings soll der Hersteller derzeit noch massive Probleme mit der Haltbarkeit dieser haben.