neukauf einer M.2 SSD

Ebenso funktioniert dein Beispiel null beim Vergleich HMB und DRAM ;)

Nebenbei funktioniert auch QLC, nur eben evtl nicht in deinem Anwendungsszenario. QLC krankt einfach am Preis.


Es ist einfach nur anstrengend unter jeden Thread/Kaufberatung zu lesen "unbedingt mit DRAM kaufen/HMB ist Mist". Gerade wenn's eben oft bullshit ist
 
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Darf ja auch diskutiert werden, spricht nix dagegen... aber in ner Kaufberatung den HMB schönschwurblen... ich weiss nicht, ob das wem hilft.
Wieso schönschwurbeln? ..eher anders herum wird ein Schuh daraus.
Einem User, der zb. im Data-Archiving oder Gaming Segment eine SSD sucht, dem wird hier grundsätzlich, ohne plausibel nachvollziehbare Angabe von Gründen die auch auf diesen Einsatzbereich zutreffen "könnten", von einer HMB SSD abgeraten. Warum eigentlich? Zumal, richtig lächerlich wird das ganze dann noch damit, wenn es von dieser SSD dann im Grunde genommen zwei baugleiche Modelle gibt, die eine dann halt mit HMB und dementsprechenden Controller, die andere mit DRAM und dort entsprechenden Controller. Der restliche Print, inkl. NAND, ist im Grunde absolut identisch. Da wird dann sogar noch soweit ausgeholt, der DRAM basierten SSD eine längere Haltwertzeit und höhere Zuverlässigkeit zu unterstellen, was mal absolut an den Haaren herbei geholt ist und jeder nachvollziehbaren Grundlage/Faktenlage entbehrt.

sorry aber da kann man eigentlich nur noch mit den Kopf schütteln was da manchmal für Expertentipps aus der Tonne gekramt werden.

edit: QLC ist recht weit in der Entwicklung und wird, auch aus Kostengründen, der NAND werden auf den immer mehr Anbieter umsatteln werden. Ob man das persönlich gut findet oder nicht, sei mal dahin gestellt.
Wenn der Hersteller damit Geld spart und den Gewinn maximiert wird es halt gemacht. Punkt! Und wenn auf der anderen seite das Angebot an TLC NAND künstlich verknappt und damit zwangläufig verteuert bzw. anderen Marktsegmenten vorbehalten sein wird, dann werden alle die jetzt jammern so oder so QLC kaufen und später genau so empfehlen wie jetzt "noch" halt TLC.
 
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CN-SSD Expert gehe in ein anderes Forum um Werbung zu machen. Du bist kein Experte.
 
Wenn hier nur Ekschpärdde schwätze dürfte, was würde dann aus dir werden?
 
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Nochmal zum Thema QLC: Da ist nichts neu oder wenig ausgereift. QLC gibt es schon minimum ein halbes Jahrzehnt und mittlerweile ist die Technik soweit, dass es QLC NAND SSDs gibt, die es durchaus mit TLC NAND aufnehmen können. Hier mal eine davon:


ps: Und wenn ich mir die Roadmap NAND 2025 anschaue, ihr werdet euch wundern was nächstes Jahr alles auf QLC Basis so heraus kommen wird und was DRAM weiter auf den Rückzug ist.
Egal ob Samsung, WD oder halt die CN Kandidaten.

ntdr25.png

Nachtrag: Und hier mal was "kurzes" zu Samsungs Weg zu QLC:

3D NAND – Samsungs Weg zur 1XXX-Schicht

Abbildung 1 zeigt den Zeitplan für die Massenproduktion von Samsung 3D NAND (auch bekannt als Vertical-NAND (V-NAND)) für die verschiedenen Generationen. Samsung hatte im April 2024 mit der Massenproduktion seines 3D NAND der neunten Generation (V9) begonnen, wobei der V9-Wafer erstmals auf der jüngsten FMS 2024 vorgestellt wurde. V9 NAND ist ein wichtiger Knoten und wird QLC statt TLC haben, die Massenproduktion von QLC wird voraussichtlich in den kommenden Monaten erfolgen.

Abbildung 1: Samsung 3D NAND-Generation nach Jahr. (Txxxxxxx, 2024.)
Picture1-3.png

Terminologie von Samsung:

V-NAND: Vertical-NAND, auch als VNAND abgekürzt, allgemein bekannt als 3D NAND
BVNAND: Bonding-VNAND-Technologie, die W2W-Bonding beinhaltet
COP: Cell Over Peripheral
CSOB: Channel-hole Sidewall Ono Butting
HARC: High Aspect Ratio Contact (Verwandte Samsung 3D NAND-Inhalte)

236L (V8)-Berichte: MFR-2310-803, AME-2310-802, IWO-2310-801
176L (V7)-Berichte: MFR-2211-803, AME-2211-802, TCR-2211-802, IWO-2211-801
128L (V6)-Berichte: MFR-2102-804, AME-2010-802, IWO-2012-801

(Chi Lim Tan August 28, 2024)
..und wer genau hin schaut wird auch erkennen, dass mit 2025/V10 Samsung Hybrid Bonding (2-Wafer, bei Samsung heißt das dann W2W) von YMTC abkupfern wird, weil halt hocheffizient und kostengünstiger.
 
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sorry aber da kann man eigentlich nur noch mit den Kopf schütteln was da manchmal für Expertentipps aus der Tonne gekramt werden.
Schwachsinn.

Ist DRAM-Less deutlich billiger? Nein (nicht wirklich, wie man sieht).
Ist DRAM-Less schneller? Nein.
Ist DRAM-Less sparsamer? Nein.
Hat DRAM-Less mehr TBW? Nein.

Es wird wohl nen Grund geben, warum du gebannt wurdest, Spieluhr.
Nochmal zum Thema QLC: Da ist nichts neu oder wenig ausgereift. QLC gibt es schon minimum ein halbes Jahrzehnt und mittlerweile ist die Technik soweit, dass es QLC NAND SSDs gibt, die es durchaus mit TLC NAND aufnehmen können. Hier mal eine davon:
Hast du dir den Link selber angesehen?

Das Ding ist erbärmlich und teilweise teurer (!) als die TLC-DRAM Marktführer (SN850X. FireCuda 530, KC3000, 990pro). 440 TBW gegen 2-5 TBW sind ebenso witzlos.

Sorry, du redest einfach fundierten Schwachsinn und lieferst selbst noch die Quellen um feststellen zu können, dass deine Aussagen schwachsinnig sind.
Nachtrag: Und hier mal was "kurzes" zu Samsungs Weg zu QLC:
Sollen sie doch.

Samsung wird noch übel stolpern, so meine Wette.
Auch z.B. ihre Smartphones werden immer mieser vom P/L her, eigentlich gibts kein Produkt von Samsung mehr, welches ein Nobrainer ist, egal welche Branche.


Vielleicht wird QLC ja noch, wer weiss.
Es spricht ja nix gegen die Technologie als solches - bloß gegen die Produkte, die zum momentanen Zeitpunkt mit dieser Technologie verfügbar sind.


tl,dr:
Ist einfach sinnlos, ne Kaufberatung mit sowas zuzuscheißen - ne M.2 mit gutem P/L wird gesucht, und du kommst mit DRAM-Less und/oder QLCs zum Preis von TLC-DRAM-Premium-Marktführer-Produkten.
 
Really? Maybe.
Der CN-Experte aber 100pro, aber sowas von, das merkt echt jeder.
Zeitmangel hab ich nie so genau beobachtet, aber ist ja auch egal.
 
Ist DRAM-Less deutlich billiger? Nein (nicht wirklich, wie man sieht).
Deutlich? Wo habe ich das behauptet? Durchschnittlich? Ja, definitiv.

Ist DRAM-Less schneller? Nein.
Je nach Einsatzgebiet, Länge und Kapazität. Durchaus. Belege dafür findest du ja hier im Thread.

Ist DRAM-Less sparsamer? Nein.
Hmm? Dann solltest du dir tatsächlich mal die Datasheets zu einigen Modellen zu Gemüte führen bevor du so eine Falschvermutung vom Stapel lässt.
Gibt aber auch massenhaft Reviews die dich da eines besseren belehren (techpowerup ist zb. eine schöne Quelle dafür).

Kleines Beispiel anhand beliebter Modelle, je 2TB:
Samsung990 Pro: 0.84 W (Idle) | 3.9 W (Avg) | 5.9 W (Max)
WD SN850-X: 1.5 W (Idle) | 3.9 W (Avg) | 7.0 W (Max)
Lexar NM790: 0.80 W (Idle) | 2.7 W (Avg) | 3.7 W (Max)

Hat DRAM-Less mehr TBW? Nein.
Hmm.. ..sicher?
Nur eines (von mehreren) Bespielen:
Samsung 990Pro 2TB: 1200TBW
WD SN850X 2TB: 1200TBW
Fikwot FN955 2TB: 1400TBW
Fanxiang S880 2TB: 1400TBW
Lexar NM790 2TB: 1500TBW

Hast du dir den Link selber angesehen?
Das Ding ist erbärmlich und teilweise teurer (!) als die TLC-DRAM Marktführer (SN850X. FireCuda 530, KC3000, 990pro). 440 TBW gegen 2-5 TBW sind ebenso witzlos.
Darum ging es nicht, auch wenn du dir das gerne wünschst um argumentativ wenigstens noch irgendwo Land zu sehen.
Deine Aussage war:
Das isn Unterschied, TLC hat recht schnell brauchbar funktioniert, bei QLC kann man das ja nicht gerade behaupten.
..und genau auf diese (weitere) Falschbehauptung bezieht sich mein folgendes Statement zu QLC. Denn das was du behauptest stimmt schlicht so nicht.

Zu den anderen Rest schreibe ich nichts, sind nur die typischen Forenbeleidigungen von Usern, wie sie hier wohl üblich sind, wenn einem die Argumente ausgehen um sachlich fundiert zu diskutieren.
Da stehe ich aber drüber und gehe nicht weiter darauf ein.
 
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KC3000, Fury Renegade, FireCuda 530?

Schön alles rauslassen, was dir nicht passt.
..und genau auf diese (weitere) Falschbehauptung bezieht sich mein folgendes Statement zu QLC. Denn das was du behauptest stimmt schlicht so nicht.
Schwachsinn, lies deinen Link, das QLC Ding ist die ultimative Krücke. Das behaupte nicht ich, das sagt dein verlinkter Artikel.


Verarsch halt keine Leute, die Rat suchen, diskutieren kannst von mir aus bis zu deinem nächsten Bann.
 
Hat DRAM-Less mehr TBW? Nein.
Mit dieser Falschbehauptung unterstellst du fälschlicherweise, dass DRAM_less SSD generell weniger TBW je TB hätte als DRAM SSD. Dem ist aber nicht so wie gleich anhand mehrerer Modelle nachgewiesen habe.

Verarsch halt keine Leute, die Rat suchen, diskutieren kannst von mir aus bis zu deinem nächsten Bann.
Hmm? Wo ist dem so? Sorry aber da kann ich dir jetzt wirklich nicht mehr folgen. Sicher das du im gleichen Forum/Thread unterwegs bist wie ich? :unsure:
 
Du solltest vieleicht noch einmal deine eigenen Posts nachlesen. Ansonsten bleibe ich bei dem was in Post#41 geschrieben steht.

Drei Modelle hatte ich ja schon genannt. Ich könnte dir aber noch locker 10~15 weitere nennen womit ich deine Falschbehauptung wiederlegen könnte aber muss und möchte ich das überhaupt?
..ich denke nein..
 
Das Thema des TE ist übrigens seit post #8 erledigt. Alles danach ist nur der übliche circlejerk der "ich habe Recht und du bist dumm" Fraktion.
Es ist wirklich faszinierend, wie die einfachsten Fragen jedes mal dank der gleichen Leute in kilometerlange Schwachsinnsdiskussionen münden, bis irgendwann jemand beleidigt ist und ein mod wieder aufräumen muss. Macht weiter so, ist ganz unterhaltsam.
 
Finde ich auch!

..und bevor du wieder fragst, hier noch ein paar (gibt aber noch einige mehr) DRAM_less 2TB Kapazität:
Netac NV7000-T 1280TBW
Addlink A93 1500TBW
Aigo SMI70 1800TBW
Biwin NV7400 2000TBW
Fanxiang S660 1400TBW
Hikvision CC700 3600TBW
Hikvision FUTURE 3600TBW
Hikvision C4000 3600TBW
Lexar Ares 1500TBW
MiWhole CT200 3600TBW
MiWhole CT300 3600TBW
Neo Forza NFP495 1400TBW

..und auch die zuvor genannten DRAM_less SSDs dürften deine Falschbehauptung:
Ist DRAM-Less sparsamer? Nein.
eher mit JA beantworten. Denn DRAM_less ist eigentlich so gut wie immer, sowohl Idle als auch Average und Maximum sparsamer als DRAM-SSD, dass hat aber auch Gründe die mit halt den fehlenden DRAM zusammen hängen. Warum dem so ist? Einfach mal überlegen, dann kommst du auch selbst darauf.
 
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Das Thema des TE ist übrigens seit post #8 erledigt. Alles danach ist nur der übliche circlejerk der "ich habe Recht und du bist dumm" Fraktion.
Es ist wirklich faszinierend, wie die einfachsten Fragen jedes mal dank der gleichen Leute in kilometerlange Schwachsinnsdiskussionen münden, bis irgendwann jemand beleidigt ist und ein mod wieder aufräumen muss. Macht weiter so, ist ganz unterhaltsam.

Es nervt einfach nur, da gebe ich dir recht 👍👍👍
 
Seltsamerweise sehen das aber große Speicherhersteller wie Kioxia anders und stellen weiterhin SLC-NAND her und tun dies sogar auch noch für dz. Consumer-Produkte.
Dies sind uralte NANDs aus der 24nm Fertigung, also noch keine 3D NANDs,gibt es die wirklich noch zu kaufen? Die maximale Kapazität ist 32Gb (also Gigabit, da ein kleines b die Abkürzung für Bit ist, ein großes B ist die für Byte), also 4GiB und bei den 32Gb steht der Hinweis: "Please contact the KIOXIA sales representative for information about 32Gb."

Wenn ich nach dem Preis google, bekommt ich dies:

KioxiaSLC.png


Das sind über 18$ für den 16Gb (2GiB) Chip und wenn ich auf den Link klicke, ist da nichts mehr verfügbar, diese NANDs werden eben schon lange nicht mehr produziert, es werden nur noch 3D NANDs als TLC und QLC produziert, auch wenn Google noch die alten NANDs findet. Dies bedeutet eben noch nicht, dass diese auch noch produziert werden. Alles was aktuell noch mit SLC beworben wird, hat nur noch Pseudo-SLC NAND, also TLC/QLC NAND bei dem eben nur ein Bit pro Zelle geschrieben wird und solche SSDs gibt es für spezielle Anwendungen immer noch.

von YMTC abkupfern
Erstens ist Die Stacking nicht neu und dies gab es schon vor YMTC, die selbst ihre NANDs von Micron abgekupfert haben. Wenn es also um abkupfern geht, solltest du besser die Finger stillhalten, wenn du hier schon die China SSDs so massiv bewirbst.
 
Erstens nennt sich das Verfahren "Hybrid Bonding" und nicht "Die-stacking" was mal was vollkommen anderes ist und zweitens, sind die 8 Patentrechteklagen seitens YMTC gegen Micron nicht umsonst bei kalifornischen Gerichten anhängig.

ps: Nun sind es sogar schon 11 Patentrechteverletzungen.

edit: ..aber huch, heise.de sollte wohl auch seine Finger stille halten, denn die machen dann wohl auch massive CN-Werbung:


pps: Und im Gegensatz zu dir, der wohl seine Weisheiten nur aus den blauen Himmel bezieht, liegen mir die DRAM und NAND Roadmap 2025 zur Einsicht vor und demzufolge werden da nicht nur Samsung und Hynix MASSIV von YMTC & Co abkupfern. Da dürfte eine ganze Welle an Patentrechteklagen über die etablierten Marken hinein rollen und CN hat ja schon ggü. Micron zumindest mit einen Teilboykott reagiert, was Micron mal ebend einen Gesamtumsatzverlust von rund 25% am Weltmarkt eingebracht hat. Man sollte halt nicht in die Hand beißen die einen füttert.
 
Zuletzt bearbeitet:
Bezahlt dich eigentlich irgendwer dafür, oder gibts spezielle persönliche Beweggründe hinter deinem eifrigen Fanatismus diesbezüglich?
Ich mein, ist eh okay, wenn man für ein Thema brennt und sich da rein tigert, ich finds nur etwas wundersam.

Nicht, dass du wieder gebannt wirst, manchmal kommt ja auch durchaus was interessantes, wäre ja schade...
 
Hmm? Hybrid-Bonding ist das Produktionsverfahren der Zukunft welches die bisher üblichen monolithischen Produktionsverfahren etablierter Hersteller zunehmend ablösen/ersetzen wird, da ist nichts CN-Hype daran:

In 2024 hat Samsung gerade V9 286L (ca. 290 Schichten) unter 300L herausgebracht. Somit verfügt Samsung jetzt über 286L V9 COP (Cell on the Periphery) V-NAND. Zudem hat Samsung eine 133L V6 Prime-Version für 990 EVO, sogenanntes V6P, zu 128L V6 hinzugefügt. Das 133L ist ein monolothisches Single-Deck ohne COP-Struktur. Die Gesamtzahl der Gates beträgt 140 und die Anzahl der aktiven Wortleitungen wurde von 128 auf 133 erhöht, die Geschwindigkeit erhöhte sich auf 1.600 MT/s mit den 2 Ebenen mit jeweils 2 Unterebenen auf dem 512-Gb-Chip. Die nächste V10 Generation wird die Hybrid-Bonding-Technologie ähnlich der KIOXIA 218L CBA und den aktuellen Xtacking 3D NAND-Produkten von YMTC verwenden.

Micron hat die Produkte 176L und 232L vor anderen Wettbewerbern auf den Markt gebracht. Micron entwickelt derzeit Gen7, das wie Samsungs 286L unter 300L liegt. Dann erst können sie auf das 4xx-Layer umsteigen. Solidigm 144L QLC NAND besteht aus drei Decks, was bedeutet, dass jedes Deck aus 48 WL-Layern besteht. Die 192L QLC-Geräte sind derzeit die wichtigsten Produkte auf dem Markt. Die nächste Generation wird 2xxL-Layer-QLC sein, aber aufgrund ihres unsicheren NAND-Geschäftsplans, der derzeit von SK hynix geleitet wird, könnte sich dieser Plan ändern.

SK hynix setzt die 4D-PUC-Struktur fort. Die Volumenprodukte SK hynix V7 176L und V8 238L 4D PUC sind derzeit auf dem Markt weit verbreitet. Der nächste V9 321-Schicht-4D-PUC wird Anfang nächsten Jahres auf den Markt kommen.

YMTC in China behält seine hybride Verbundstruktur (patentiertes Hybrid-Bonding) mit zwei Wafern bei, das sogenannte Xtackingn (erstmals 2019 mit Xtacking2 Gen3 eingeführt). Sie haben 176L übersprungen und sind direkt zu 232L (Xtacking3 Gen4) übergegangen. Die nächste Generation5, wird mehr als 300 aktive WL-Schichten mit Xtacking4 haben.
Aufgrund des US-amerikanischen Chipverbots planen sie jedoch, sich stärker auf die Erweiterung der kürzlich veröffentlichten 128L QLC- und 232L QLC (analysiert in der chinesischen Ti7100 BlackMyth) Produkte zu konzentrieren und auch eine neue revolutionäre Multi-Xtacking-Technologie (Wortleitungen mit über 3.600MT/s) für das zukünftige 3D-NAND zu entwickeln. Inzwischen laufen zahlreiche Patentstreitigkeiten gegen NAND-Konkurrenten, darunter insbesondere Micron.

In zwei oder drei Jahren können wir also mehr als 500-lagige 3D-NAND-QLC-Produkte prognostizieren in fünf Jahren sogar mehr als 600- oder 700-lagige QLC Produktlösungen, die fortschrittlichere und optimierte Hybrid-Bonding-Technologie (Multi-Xtacking) und Hafnia-Ferroelektrika verwenden. Der kryogene Niedertemperatur-HAR-Ätzapparat wird für die Prozessintegration von mehr als 3xx- oder 4xx-lagigem 3D-NAND benötigt.
 
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