Ja, aber mit anderen Timings. Und zu wenig RAM Testing.
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[Sammelthread] Ryzen DDR5 RAM OC Thread
- Ersteller Reous
- Erstellt am
Indeed, mit reduzierten Spannungen lief das jetzt auch, wie von Vince vorgeschlagen aber auch, danke dafür. Dann war es wirklich primär die VDIMM.
Habe jetzt nochmal die Primaries wieder angezogen und noch einmal angeworfen.
Das ein TM5 mit 1usmus keine Stabilitätsgarantie ist, ist mir bewusst, aber ist eher den Zeitfenstern, die ich am PC sein kann und Einstellungen machen kann geschuldet
. Daher versuche ich tagsüber jetzt es soweit einzudämmen, dass es hoffentlich stabil läuft und mal lange über Nacht laufen lassen kann.Anhänge
![2024-12-22 16_06_23-HWiNFO® 64 v8.16-5600 Sensor Status [1 value hidden].png](/community/data/attachments/921/921210-9cfd533596bf2a468f1331aeeae804d6.jpg)
Super. Wenn du die Zeit findest, ließ doch mal bitte mit Thaiphoon Burner den Ram aus. Es sollte ein 4800B oder 4800BN Bin sein. Tippe auf letzteres, zumindest sind das die Spannungen dafür.Indeed, mit reduzierten Spannungen lief das jetzt auch, wie von Vince vorgeschlagen aber auch, danke dafür. Dann war es wirklich primär die VDIMM.
Habe jetzt nochmal die Primaries wieder angezogen und noch einmal angeworfen.
Das ein TM5 mit 1usmus keine Stabilitätsgarantie ist, ist mir bewusst, aber ist eher den Zeitfenstern, die ich am PC sein kann und Einstellungen machen kann geschuldet
Eben versucht, hatte es noch rumliegen. Liest aber nur "Undefined" values überall aus... :/
Liegt am Ryzen 9800x3d.. hatte das Problem auch. Mit Rammon geht es aber auch
Kann man bei den Lexar dir LED dauerhaft speichern abschalten? Bei Gskill braucht's das Tool im Tray, das weiß Gott was rumpfuscht. Dann cycle ich die vielleicht durch...
Bekomme es jetzt nicht rausgelesen, daher der export im Spoiler.
RAMMon v2.5 Build: 1000 built with SysInfo v3.0 Build: 1000
PassMark (R) Software
www.passmark.com
Memmory summary for GR3YH0UND-PC:
Number of Memory Devices: 2 Total Physical Memory: 32417 MB (32768 MB)
Total Available Physical Memory: 28473 MB
Memory Load: 12%
Item | Slot #1 | Slot #2 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-
Ram Type | DDR5 | DDR5 |
Maximum Clock Speed (MHz) | 2400 (JEDEC) | 2400 (JEDEC) |
Maximum Transfer Speed (MHz) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Memory Capacity (MB) | 16384 | 16384 |
DIMM Temperature | 29.000 | 28.000 |
Jedec Manufacture Name | G Skill Intl | G Skill Intl |
Search Amazon.com | Search! | Search! |
SPD Revision | 1.0 | 1.0 |
Registered | No | No |
ECC | No | No |
On-Die ECC | Yes | Yes |
DIMM Slot # | 1 | 2 |
Manufactured | | |
Module Part # | F5-7600J3646G16G | F5-7600J3646G16G |
Module Revision | 0x0 | 0x0 |
Module Serial # | 0x0 | 0x0 |
Module Manufacturing Location | 0 | 0 |
# of Row Addressing Bits | 16 | 16 |
# of Column Addressing Bits | 10 | 10 |
# of Banks | 32 | 32 |
# of Ranks | 1 | 1 |
Device Width in Bits | 8 | 8 |
Bus Width in Bits | 32 | 32 |
Module Voltage | 1.1V | 1.1V |
CAS Latencies Supported | 22 28 30 32 36 40 42 | 22 28 30 32 36 40 42 |
Timings @ Max Frequency (JEDEC) | 41-41-41-77 | 41-41-41-77 |
Maximum frequency (MHz) | 2400 | 2400 |
Maximum Transfer Speed (MHz) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns) | 0.416 | 0.416 |
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns) | 32.000 | 32.000 |
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns) | 48.666 | 48.666 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns) | 295.000 | 295.000 |
| | |
DDR5 Specific SPD Attributes | | |
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns) | 1.010 | 1.010 |
Write Recovery time (ns) | 30.000 | 30.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns) | 0.000 | 0.000 |
Module Type | UDIMM | UDIMM |
Module information SPD revision | 1.0 | 1.0 |
SPD present | Yes | Yes |
SPD device type | SPD5118 | SPD5118 |
SPD Manufacturer | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) |
PMIC 0 present | Yes | Yes |
PMIC 0 device type | PMIC5100 | PMIC5100 |
PMIC 0 Manufacturer | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) |
PMIC 1 present | No | No |
PMIC 1 device type | | |
PMIC 1 Manufacturer | | |
PMIC 2 present | No | No |
PMIC 2 device type | | |
PMIC 2 Manufacturer | | |
Thermal Sensor 0 present | No | No |
Thermal Sensor 1 present | No | No |
Thermal Sensor device type | | |
Thermal Sensor Manufacturer | | |
Module Height (mm) | 32 | 32 |
Module Thickness Front (mm) | 2 | 2 |
Module Thickness Back (mm) | 1 | 1 |
Module Reference Card | Raw Card A Rev. 0 | Raw Card A Rev. 0 |
# DRAM Rows | 1 | 1 |
Heat spreader installed | No | No |
Operating Temperature Range | XT (0 to + 95 °C) | XT (0 to + 95 °C) |
Rank Mix | Symmetrical | Symmetrical |
Number of Package Ranks per Channel | 1 | 1 |
Number of Channels per DIMM | 2 | 2 |
Bus width extension per Channel | 0 bits | 0 bits |
Primary bus width per Channel | 32 bits | 32 bits |
DRAM Manufacture ID | 173 | 173 |
DRAM Manufacture Bank | 1 | 1 |
DRAM Manufacture Name | SK Hynix | SK Hynix |
DRAM Stepping | 0.0 | 0.0 |
SDRAM Package Type | Monolithic SDRAM | Monolithic SDRAM |
SDRAM Density Per Die | 16Gb | 16Gb |
SDRAM Column Address Bits | 10 | 10 |
SDRAM Row Address Bits | 16 | 16 |
SDRAM Device Width | 8 | 8 |
SDRAM Bank Groups | 8 | 8 |
SDRAM Banks Per Bank Group | 4 | 4 |
Second SDRAM Package Type | | |
Second SDRAM Density Per Die | | |
Second SDRAM Column Address Bits | | |
Second SDRAM Row Address Bits | | |
Second SDRAM Device Width | | |
Second SDRAM Bank Groups | | |
Second SDRAM Banks Per Bank Group | | |
First SDRAM RFM RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM RFM RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM RFM Required | no | no |
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM RFM RAAMMT | | |
Second SDRAM RFM RAAIMT | | |
Second SDRAM RFM Required | | |
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level A supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A supported | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level B supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B supported | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level C supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C supported | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | | |
sPPR Granularity | bank group | bank group |
sPPR Undo/Lock | not supported | not supported |
Burst length 32 | supported | supported |
MBIST/mPPR | supported | supported |
mPPR/hPPR Abort | not supported | not supported |
PASR | not supported | not supported |
DCA Types Supported | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression | supported | supported |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector | MR15 | MR15 |
Bounded Fault | supported | supported |
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ | 1.1V | 1.1V |
SDRAM Nominal Voltage, VPP | 1.8V | 1.8V |
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration | ec8c | ec8c |
| | |
XMP Attributes | | |
XMP version | 3.0 | 3.0 |
PMIC Vendor ID | 8A8C | 8A8C |
Number of PMICs on DIMM | 1 | 1 |
PMIC capabilities | | |
PMIC has capabilities for OC functions | Yes | Yes |
Current PMIC OC is enabled | Yes | Yes |
PMIC voltage default step size | 5mV | 5mV |
OC global reset functions | No | No |
Validation and Certification Capabilities | | |
DIMM is self-certified by DIMM vendor | No | No |
PMIC Component is validated by Intel AVL level | No | No |
XMP revision | 1.1 | 1.1 |
XMP Profile 1 | | |
Profile name | Lv1-7600C36 | Lv1-7600C36 |
XMP Certified | No | No |
Recommended number of DIMMs per channel | 1 | 1 |
Module VPP voltage | 1.80V | 1.80V |
Module VDD voltage | 1.40V | 1.40V |
Module VDDQ voltage | 1.40V | 1.40V |
Memory Controller voltage | 1.10V | 1.10V |
Clock speed (MHz) | 3800 | 3800 |
Transfer Speed (MHz) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Minimum clock cycle time, tCK (ns) | 0.263 | 0.263 |
Supported CAS latencies | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 |
Minimum CAS latency time, tAA (ns) | 9.468 | 9.468 |
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum row precharge time, tRP (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum active to precharge time, tRAS (ns) | 31.823 | 31.823 |
Supported timing at highest clock speed | 36-46-46-121 | 36-46-46-121 |
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns) | 43.921 | 43.921 |
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns) | 29.982 | 29.982 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns) | 295.000 | 295.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns) | 0.000 | 0.000 |
Advanced Memory Overclocking Features | | |
Real-Time Memory Frequency Overclocking | Not supported | Not supported |
Intel Dynamic Memory Boost | Not supported | Not supported |
System CMD Rate Mode | 0N | 0N |
Vendor Personality Byte | 0x00 | 0x00 |
PassMark (R) Software
www.passmark.com
Memmory summary for GR3YH0UND-PC:
Number of Memory Devices: 2 Total Physical Memory: 32417 MB (32768 MB)
Total Available Physical Memory: 28473 MB
Memory Load: 12%
Item | Slot #1 | Slot #2 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-
Ram Type | DDR5 | DDR5 |
Maximum Clock Speed (MHz) | 2400 (JEDEC) | 2400 (JEDEC) |
Maximum Transfer Speed (MHz) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Memory Capacity (MB) | 16384 | 16384 |
DIMM Temperature | 29.000 | 28.000 |
Jedec Manufacture Name | G Skill Intl | G Skill Intl |
Search Amazon.com | Search! | Search! |
SPD Revision | 1.0 | 1.0 |
Registered | No | No |
ECC | No | No |
On-Die ECC | Yes | Yes |
DIMM Slot # | 1 | 2 |
Manufactured | | |
Module Part # | F5-7600J3646G16G | F5-7600J3646G16G |
Module Revision | 0x0 | 0x0 |
Module Serial # | 0x0 | 0x0 |
Module Manufacturing Location | 0 | 0 |
# of Row Addressing Bits | 16 | 16 |
# of Column Addressing Bits | 10 | 10 |
# of Banks | 32 | 32 |
# of Ranks | 1 | 1 |
Device Width in Bits | 8 | 8 |
Bus Width in Bits | 32 | 32 |
Module Voltage | 1.1V | 1.1V |
CAS Latencies Supported | 22 28 30 32 36 40 42 | 22 28 30 32 36 40 42 |
Timings @ Max Frequency (JEDEC) | 41-41-41-77 | 41-41-41-77 |
Maximum frequency (MHz) | 2400 | 2400 |
Maximum Transfer Speed (MHz) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns) | 0.416 | 0.416 |
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns) | 32.000 | 32.000 |
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns) | 48.666 | 48.666 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns) | 295.000 | 295.000 |
| | |
DDR5 Specific SPD Attributes | | |
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns) | 1.010 | 1.010 |
Write Recovery time (ns) | 30.000 | 30.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns) | 0.000 | 0.000 |
Module Type | UDIMM | UDIMM |
Module information SPD revision | 1.0 | 1.0 |
SPD present | Yes | Yes |
SPD device type | SPD5118 | SPD5118 |
SPD Manufacturer | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) |
PMIC 0 present | Yes | Yes |
PMIC 0 device type | PMIC5100 | PMIC5100 |
PMIC 0 Manufacturer | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) |
PMIC 1 present | No | No |
PMIC 1 device type | | |
PMIC 1 Manufacturer | | |
PMIC 2 present | No | No |
PMIC 2 device type | | |
PMIC 2 Manufacturer | | |
Thermal Sensor 0 present | No | No |
Thermal Sensor 1 present | No | No |
Thermal Sensor device type | | |
Thermal Sensor Manufacturer | | |
Module Height (mm) | 32 | 32 |
Module Thickness Front (mm) | 2 | 2 |
Module Thickness Back (mm) | 1 | 1 |
Module Reference Card | Raw Card A Rev. 0 | Raw Card A Rev. 0 |
# DRAM Rows | 1 | 1 |
Heat spreader installed | No | No |
Operating Temperature Range | XT (0 to + 95 °C) | XT (0 to + 95 °C) |
Rank Mix | Symmetrical | Symmetrical |
Number of Package Ranks per Channel | 1 | 1 |
Number of Channels per DIMM | 2 | 2 |
Bus width extension per Channel | 0 bits | 0 bits |
Primary bus width per Channel | 32 bits | 32 bits |
DRAM Manufacture ID | 173 | 173 |
DRAM Manufacture Bank | 1 | 1 |
DRAM Manufacture Name | SK Hynix | SK Hynix |
DRAM Stepping | 0.0 | 0.0 |
SDRAM Package Type | Monolithic SDRAM | Monolithic SDRAM |
SDRAM Density Per Die | 16Gb | 16Gb |
SDRAM Column Address Bits | 10 | 10 |
SDRAM Row Address Bits | 16 | 16 |
SDRAM Device Width | 8 | 8 |
SDRAM Bank Groups | 8 | 8 |
SDRAM Banks Per Bank Group | 4 | 4 |
Second SDRAM Package Type | | |
Second SDRAM Density Per Die | | |
Second SDRAM Column Address Bits | | |
Second SDRAM Row Address Bits | | |
Second SDRAM Device Width | | |
Second SDRAM Bank Groups | | |
Second SDRAM Banks Per Bank Group | | |
First SDRAM RFM RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM RFM RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM RFM Required | no | no |
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM RFM RAAMMT | | |
Second SDRAM RFM RAAIMT | | |
Second SDRAM RFM Required | | |
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level A supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A supported | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level B supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B supported | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level C supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C supported | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | | |
sPPR Granularity | bank group | bank group |
sPPR Undo/Lock | not supported | not supported |
Burst length 32 | supported | supported |
MBIST/mPPR | supported | supported |
mPPR/hPPR Abort | not supported | not supported |
PASR | not supported | not supported |
DCA Types Supported | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression | supported | supported |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector | MR15 | MR15 |
Bounded Fault | supported | supported |
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ | 1.1V | 1.1V |
SDRAM Nominal Voltage, VPP | 1.8V | 1.8V |
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration | ec8c | ec8c |
| | |
XMP Attributes | | |
XMP version | 3.0 | 3.0 |
PMIC Vendor ID | 8A8C | 8A8C |
Number of PMICs on DIMM | 1 | 1 |
PMIC capabilities | | |
PMIC has capabilities for OC functions | Yes | Yes |
Current PMIC OC is enabled | Yes | Yes |
PMIC voltage default step size | 5mV | 5mV |
OC global reset functions | No | No |
Validation and Certification Capabilities | | |
DIMM is self-certified by DIMM vendor | No | No |
PMIC Component is validated by Intel AVL level | No | No |
XMP revision | 1.1 | 1.1 |
XMP Profile 1 | | |
Profile name | Lv1-7600C36 | Lv1-7600C36 |
XMP Certified | No | No |
Recommended number of DIMMs per channel | 1 | 1 |
Module VPP voltage | 1.80V | 1.80V |
Module VDD voltage | 1.40V | 1.40V |
Module VDDQ voltage | 1.40V | 1.40V |
Memory Controller voltage | 1.10V | 1.10V |
Clock speed (MHz) | 3800 | 3800 |
Transfer Speed (MHz) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Minimum clock cycle time, tCK (ns) | 0.263 | 0.263 |
Supported CAS latencies | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 |
Minimum CAS latency time, tAA (ns) | 9.468 | 9.468 |
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum row precharge time, tRP (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum active to precharge time, tRAS (ns) | 31.823 | 31.823 |
Supported timing at highest clock speed | 36-46-46-121 | 36-46-46-121 |
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns) | 43.921 | 43.921 |
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns) | 29.982 | 29.982 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns) | 295.000 | 295.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns) | 0.000 | 0.000 |
Advanced Memory Overclocking Features | | |
Real-Time Memory Frequency Overclocking | Not supported | Not supported |
Intel Dynamic Memory Boost | Not supported | Not supported |
System CMD Rate Mode | 0N | 0N |
Vendor Personality Byte | 0x00 | 0x00 |
Nochmal mit einer neueren RAMMON Version:
RAMMon v3.3 Build: 1000 built with SysInfo v3.0 Build: 2001
PassMark (R) Software
www.passmark.com
============================
Memory settings
============================
Transfer rate: 8000 MT/s
Memory timings: 36-46-46-58
Channel mode: 2
============================
Memory capacity / benchmarks
============================
L1 cache: 80 KB (632.3 GB/s)
L2 cache: 1024 KB (207.1 GB/s)
L3 cache: 98304 KB (153.1 GB/s)
Physical RAM: 31.7 GB (39510 MB/s)
Latency: 41.366 ns
============================
Memory SPD information
============================
Item | Slot #1 | Slot #2 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-
Ram Type | DDR5 | DDR5 |
Maximum Clock Speed (MHz) | 3800 (XMP) | 3800 (XMP) |
Maximum Transfer Speed (MT/s) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Memory Capacity (MB) | 16384 | 16384 |
DIMM Temperature | N/A | N/A |
Jedec Manufacture Name | G Skill Intl | G Skill Intl |
Search Amazon.com | Search! | Search! |
SPD Revision | 1.0 | 1.0 |
Registered | No | No |
ECC | No | No |
On-Die ECC | Yes | Yes |
DIMM Slot # | 1 | 2 |
Manufactured | | |
Module Part # | F5-7600J3646G16G | F5-7600J3646G16G |
Module Revision | 0x0 | 0x0 |
Module Serial # | 00000000 (84cd00000000000000) | 00000000 (84cd00000000000000) |
Module Manufacturing Location | 0 | 0 |
# of Row Addressing Bits | 16 | 16 |
# of Column Addressing Bits | 10 | 10 |
# of Banks | 32 | 32 |
# of Ranks | 1 | 1 |
Device Width in Bits | 8 | 8 |
Bus Width in Bits | 32 | 32 |
Module Voltage | 1.1V | 1.1V |
CAS Latencies Supported | 22 28 30 32 36 40 42 | 22 28 30 32 36 40 42 |
Timings @ Max Frequency (JEDEC) | 40-40-40-77 | 40-40-40-77 |
Maximum frequency (MHz) | 2400 | 2400 |
Maximum Transfer Speed (MT/s) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns) | 0.416 | 0.416 |
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns) | 32.000 | 32.000 |
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns) | 48.666 | 48.666 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns) | 295.000 | 295.000 |
| | |
DDR5 Specific SPD Attributes | | |
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns) | 1.010 | 1.010 |
Write Recovery time (ns) | 30.000 | 30.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns) | 0.000 | 0.000 |
Module Type | UDIMM | UDIMM |
Module information SPD revision | 1.0 | 1.0 |
SPD present | Yes | Yes |
SPD device type | SPD5118 | SPD5118 |
SPD Manufacturer | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) |
PMIC 0 present | Yes | Yes |
PMIC 0 device type | PMIC5100 | PMIC5100 |
PMIC 0 Manufacturer | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) |
PMIC 1 present | No | No |
PMIC 1 device type | | |
PMIC 1 Manufacturer | | |
PMIC 2 present | No | No |
PMIC 2 device type | | |
PMIC 2 Manufacturer | | |
Thermal Sensor 0 present | No | No |
Thermal Sensor 1 present | No | No |
Thermal Sensor device type | | |
Thermal Sensor Manufacturer | | |
Module Height (mm) | 32 | 32 |
Module Thickness Front (mm) | 2 | 2 |
Module Thickness Back (mm) | 1 | 1 |
Module Reference Card | Raw Card A Rev. 0 | Raw Card A Rev. 0 |
# DRAM Rows | 1 | 1 |
Heat spreader installed | No | No |
Operating Temperature Range | XT (0 to + 95 °C) | XT (0 to + 95 °C) |
Rank Mix | Symmetrical | Symmetrical |
Number of Package Ranks per Channel | 1 | 1 |
Number of Channels per DIMM | 2 | 2 |
Primary bus width per Channel | 32 bits | 32 bits |
Bus width extension per Channel | 0 bits | 0 bits |
DRAM Manufacture ID | 173 | 173 |
DRAM Manufacture Bank | 1 | 1 |
DRAM Manufacture Name | SK Hynix | SK Hynix |
DRAM Stepping | 0.0 | 0.0 |
SDRAM Package Type | Monolithic SDRAM | Monolithic SDRAM |
SDRAM Density Per Die | 16Gb | 16Gb |
SDRAM Bank Groups | 8 | 8 |
SDRAM Banks Per Bank Group | 4 | 4 |
Second SDRAM Package Type | | |
Second SDRAM Density Per Die | | |
Second SDRAM Column Address Bits | | |
Second SDRAM Row Address Bits | | |
Second SDRAM Device Width | | |
Second SDRAM Bank Groups | | |
Second SDRAM Banks Per Bank Group | | |
First SDRAM RFM RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM RFM RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM RFM Required | no | no |
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM RFM RAAMMT | | |
Second SDRAM RFM RAAIMT | | |
Second SDRAM RFM Required | | |
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level A supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A supported | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level B supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B supported | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level C supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C supported | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | | |
sPPR Granularity | bank group | bank group |
sPPR Undo/Lock | not supported | not supported |
Burst length 32 | supported | supported |
MBIST/mPPR | supported | supported |
mPPR/hPPR Abort | not supported | not supported |
PASR | not supported | not supported |
DCA Types Supported | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression | supported | supported |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector | MR15 | MR15 |
Bounded Fault | supported | supported |
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ | 1.1V | 1.1V |
SDRAM Nominal Voltage, VPP | 1.8V | 1.8V |
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration | ec8c | ec8c |
| | |
XMP Attributes | | |
XMP version | 3.0 | 3.0 |
PMIC Vendor ID | 8A8C | 8A8C |
Number of PMICs on DIMM | 1 | 1 |
PMIC capabilities | | |
PMIC has capabilities for OC functions | Yes | Yes |
Current PMIC OC is enabled | Yes | Yes |
PMIC voltage default step size | 5mV | 5mV |
OC global reset functions | No | No |
Validation and Certification Capabilities | | |
DIMM is self-certified by DIMM vendor | No | No |
PMIC Component is validated by Intel AVL level | No | No |
XMP revision | 1.1 | 1.1 |
XMP Profile 1 | | |
Profile name | Lv1-7600C36 | Lv1-7600C36 |
XMP Certified | No | No |
Recommended number of DIMMs per channel | 1 | 1 |
Module VPP voltage | 1.80V | 1.80V |
Module VDD voltage | 1.40V | 1.40V |
Module VDDQ voltage | 1.40V | 1.40V |
Memory Controller voltage | 1.10V | 1.10V |
Clock speed (MHz) | 3800 | 3800 |
Transfer Speed (MT/s) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Minimum clock cycle time, tCK (ns) | 0.263 | 0.263 |
Supported CAS latencies | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 |
Minimum CAS latency time, tAA (ns) | 9.468 | 9.468 |
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum row precharge time, tRP (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum active to precharge time, tRAS (ns) | 31.823 | 31.823 |
Supported timing at highest clock speed | 36-46-46-121 | 36-46-46-121 |
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns) | 43.921 | 43.921 |
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns) | 29.982 | 29.982 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns) | 295.000 | 295.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns) | 0.000 | 0.000 |
Advanced Memory Overclocking Features | | |
Real-Time Memory Frequency Overclocking | Not supported | Not supported |
Intel Dynamic Memory Boost | Not supported | Not supported |
System CMD Rate Mode | 0N | 0N |
Vendor Personality Byte | 0x00 | 0x00 |
PassMark (R) Software
www.passmark.com
============================
Memory settings
============================
Transfer rate: 8000 MT/s
Memory timings: 36-46-46-58
Channel mode: 2
============================
Memory capacity / benchmarks
============================
L1 cache: 80 KB (632.3 GB/s)
L2 cache: 1024 KB (207.1 GB/s)
L3 cache: 98304 KB (153.1 GB/s)
Physical RAM: 31.7 GB (39510 MB/s)
Latency: 41.366 ns
============================
Memory SPD information
============================
Item | Slot #1 | Slot #2 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-------------------------------------------------------------------|-
Ram Type | DDR5 | DDR5 |
Maximum Clock Speed (MHz) | 3800 (XMP) | 3800 (XMP) |
Maximum Transfer Speed (MT/s) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Memory Capacity (MB) | 16384 | 16384 |
DIMM Temperature | N/A | N/A |
Jedec Manufacture Name | G Skill Intl | G Skill Intl |
Search Amazon.com | Search! | Search! |
SPD Revision | 1.0 | 1.0 |
Registered | No | No |
ECC | No | No |
On-Die ECC | Yes | Yes |
DIMM Slot # | 1 | 2 |
Manufactured | | |
Module Part # | F5-7600J3646G16G | F5-7600J3646G16G |
Module Revision | 0x0 | 0x0 |
Module Serial # | 00000000 (84cd00000000000000) | 00000000 (84cd00000000000000) |
Module Manufacturing Location | 0 | 0 |
# of Row Addressing Bits | 16 | 16 |
# of Column Addressing Bits | 10 | 10 |
# of Banks | 32 | 32 |
# of Ranks | 1 | 1 |
Device Width in Bits | 8 | 8 |
Bus Width in Bits | 32 | 32 |
Module Voltage | 1.1V | 1.1V |
CAS Latencies Supported | 22 28 30 32 36 40 42 | 22 28 30 32 36 40 42 |
Timings @ Max Frequency (JEDEC) | 40-40-40-77 | 40-40-40-77 |
Maximum frequency (MHz) | 2400 | 2400 |
Maximum Transfer Speed (MT/s) | DDR5-4800 | DDR5-4800 |
Maximum Bandwidth (MB/s) | PC5-19200 | PC5-19200 |
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns) | 0.416 | 0.416 |
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns) | 16.666 | 16.666 |
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns) | 32.000 | 32.000 |
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns) | 48.666 | 48.666 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns) | 295.000 | 295.000 |
| | |
DDR5 Specific SPD Attributes | | |
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns) | 1.010 | 1.010 |
Write Recovery time (ns) | 30.000 | 30.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns) | 0.000 | 0.000 |
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns) | 0.000 | 0.000 |
Module Type | UDIMM | UDIMM |
Module information SPD revision | 1.0 | 1.0 |
SPD present | Yes | Yes |
SPD device type | SPD5118 | SPD5118 |
SPD Manufacturer | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) | Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32) |
PMIC 0 present | Yes | Yes |
PMIC 0 device type | PMIC5100 | PMIC5100 |
PMIC 0 Manufacturer | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) | Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C) |
PMIC 1 present | No | No |
PMIC 1 device type | | |
PMIC 1 Manufacturer | | |
PMIC 2 present | No | No |
PMIC 2 device type | | |
PMIC 2 Manufacturer | | |
Thermal Sensor 0 present | No | No |
Thermal Sensor 1 present | No | No |
Thermal Sensor device type | | |
Thermal Sensor Manufacturer | | |
Module Height (mm) | 32 | 32 |
Module Thickness Front (mm) | 2 | 2 |
Module Thickness Back (mm) | 1 | 1 |
Module Reference Card | Raw Card A Rev. 0 | Raw Card A Rev. 0 |
# DRAM Rows | 1 | 1 |
Heat spreader installed | No | No |
Operating Temperature Range | XT (0 to + 95 °C) | XT (0 to + 95 °C) |
Rank Mix | Symmetrical | Symmetrical |
Number of Package Ranks per Channel | 1 | 1 |
Number of Channels per DIMM | 2 | 2 |
Primary bus width per Channel | 32 bits | 32 bits |
Bus width extension per Channel | 0 bits | 0 bits |
DRAM Manufacture ID | 173 | 173 |
DRAM Manufacture Bank | 1 | 1 |
DRAM Manufacture Name | SK Hynix | SK Hynix |
DRAM Stepping | 0.0 | 0.0 |
SDRAM Package Type | Monolithic SDRAM | Monolithic SDRAM |
SDRAM Density Per Die | 16Gb | 16Gb |
SDRAM Bank Groups | 8 | 8 |
SDRAM Banks Per Bank Group | 4 | 4 |
Second SDRAM Package Type | | |
Second SDRAM Density Per Die | | |
Second SDRAM Column Address Bits | | |
Second SDRAM Row Address Bits | | |
Second SDRAM Device Width | | |
Second SDRAM Bank Groups | | |
Second SDRAM Banks Per Bank Group | | |
First SDRAM RFM RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM RFM RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM RFM Required | no | no |
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM RFM RAAMMT | | |
Second SDRAM RFM RAAIMT | | |
Second SDRAM RFM Required | | |
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level A supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level A supported | | |
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level B supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level B supported | | |
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command | | |
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT | 0X (FGR: 0X) | 0X (FGR: 0X) |
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT | 0 (FGR: 0) | 0 (FGR: 0) |
First SDRAM ARFM Level C supported | no | no |
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | RAAIMT / 2 | RAAIMT / 2 |
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT | | |
Second SDRAM ARFM Level C supported | | |
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command | | |
sPPR Granularity | bank group | bank group |
sPPR Undo/Lock | not supported | not supported |
Burst length 32 | supported | supported |
MBIST/mPPR | supported | supported |
mPPR/hPPR Abort | not supported | not supported |
PASR | not supported | not supported |
DCA Types Supported | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) | Device supports DCA for single / 2-phase internal clock(s) |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression | supported | supported |
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector | MR15 | MR15 |
Bounded Fault | supported | supported |
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ | 1.1V | 1.1V |
SDRAM Nominal Voltage, VPP | 1.8V | 1.8V |
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration | ec8c | ec8c |
| | |
XMP Attributes | | |
XMP version | 3.0 | 3.0 |
PMIC Vendor ID | 8A8C | 8A8C |
Number of PMICs on DIMM | 1 | 1 |
PMIC capabilities | | |
PMIC has capabilities for OC functions | Yes | Yes |
Current PMIC OC is enabled | Yes | Yes |
PMIC voltage default step size | 5mV | 5mV |
OC global reset functions | No | No |
Validation and Certification Capabilities | | |
DIMM is self-certified by DIMM vendor | No | No |
PMIC Component is validated by Intel AVL level | No | No |
XMP revision | 1.1 | 1.1 |
XMP Profile 1 | | |
Profile name | Lv1-7600C36 | Lv1-7600C36 |
XMP Certified | No | No |
Recommended number of DIMMs per channel | 1 | 1 |
Module VPP voltage | 1.80V | 1.80V |
Module VDD voltage | 1.40V | 1.40V |
Module VDDQ voltage | 1.40V | 1.40V |
Memory Controller voltage | 1.10V | 1.10V |
Clock speed (MHz) | 3800 | 3800 |
Transfer Speed (MT/s) | DDR5-7600 | DDR5-7600 |
Bandwidth (MB/s) | PC5-30400 | PC5-30400 |
Minimum clock cycle time, tCK (ns) | 0.263 | 0.263 |
Supported CAS latencies | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 | 22 24 26 28 30 32 34 36 40 42 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 |
Minimum CAS latency time, tAA (ns) | 9.468 | 9.468 |
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum row precharge time, tRP (ns) | 12.098 | 12.098 |
Minimum active to precharge time, tRAS (ns) | 31.823 | 31.823 |
Supported timing at highest clock speed | 36-46-46-121 | 36-46-46-121 |
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns) | 43.921 | 43.921 |
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns) | 29.982 | 29.982 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns) | 295.000 | 295.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns) | 160.000 | 160.000 |
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns) | 130.000 | 130.000 |
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns) | 0.000 (0 nCK) | 0.000 (0 nCK) |
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns) | 0.000 | 0.000 |
Advanced Memory Overclocking Features | | |
Real-Time Memory Frequency Overclocking | Not supported | Not supported |
Intel Dynamic Memory Boost | Not supported | Not supported |
System CMD Rate Mode | 0N | 0N |
Vendor Personality Byte | 0x00 | 0x00 |
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Das weiß ich nicht, bei mir sind die dauerhaft an, aber habe einen Kühlblock drauf der alles verdeckt.
Sind JEDEC 4800BN Bins, sieht man an der tRC von 48,666ns
Dragonheart69
Enthusiast
Du hast doch 48 GB....Können sowieso keine H16A sein höchstens H24M oder habe ich jetzt einen Denkfehler..??
Felix the Cat
Der mit SeLecT tanzt
@Dragonheart69
Vollkommen korrekt. Das sind Hynix M-Die.
___________
Ich bin nun noch am überlegen, welches Kit ich behalte. Habe aktuell ein 32GB Kit 6400Mhz da, welches ich immer mit 6400Mhz C30 laufen hatte. Ist ein Hynix A-Die Kit von A-Data.
Habe dann noch ein 48GB 8000Mhz Kit von Teamgroup da, welche ich auch immer mit 6400Mhz C30 laufen hatte. Aber halt die Option, dass 8000Mhz+ auch ohne Probleme laufen werden.
Also ein gutes M-Die Kit.
Letzte Woche ist neue hinzugekommen ein 96GB 6400Mhz C32 Kit von Kingbank. Das läuft aktuell mit 6200Mhz C32, aber das habe ich auch noch nicht wirklich ausgetestet. Also somit auch Hynix-M Die.
Brauchen tue ich keine 96GB, aber das Kit war einfach günstig und das würde ich im Gegensatz zum Teamgroup Kit auch auf Wasserkühlung umbauen.
Mit dem PC zocke ich nur, aber haben ist bekanntlich auch besser als brauchen.
.
Vollkommen korrekt. Das sind Hynix M-Die.
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Ich bin nun noch am überlegen, welches Kit ich behalte. Habe aktuell ein 32GB Kit 6400Mhz da, welches ich immer mit 6400Mhz C30 laufen hatte. Ist ein Hynix A-Die Kit von A-Data.
Habe dann noch ein 48GB 8000Mhz Kit von Teamgroup da, welche ich auch immer mit 6400Mhz C30 laufen hatte. Aber halt die Option, dass 8000Mhz+ auch ohne Probleme laufen werden.
Also ein gutes M-Die Kit.
Letzte Woche ist neue hinzugekommen ein 96GB 6400Mhz C32 Kit von Kingbank. Das läuft aktuell mit 6200Mhz C32, aber das habe ich auch noch nicht wirklich ausgetestet. Also somit auch Hynix-M Die.
Brauchen tue ich keine 96GB, aber das Kit war einfach günstig und das würde ich im Gegensatz zum Teamgroup Kit auch auf Wasserkühlung umbauen.
Mit dem PC zocke ich nur, aber haben ist bekanntlich auch besser als brauchen.
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seppelchen
Foto-Master of 03/11
@Dragonheart69 richtig, Taiphoon hält sich da aber bedeckt, daher meine Mutmaßung...
Die RDRDs sind scheinbar etwas zickiger, da bin ich jetzt nicht an die Werte der Tabelle gekommen - entweder Fehler oder kein Boot. Ohne RDRD und WRWRs scheint der RAM stabil zu sein, musste nur noch 0,1V anheben. TM5 lief durch und Karhu hatte ich bei 3000% gestoppt. Ich will keine 8 Stunden testen, wenn ich noch weiter dran rumschraube...
Der Abschluss für heute was das und wenn es stabil ist, dann probiere ich noch die RDRD Werte zu optimieren. Gibts ansonsten noch etwas, das euch sofort ins Auge fällt?
Danke und GN8
Die RDRDs sind scheinbar etwas zickiger, da bin ich jetzt nicht an die Werte der Tabelle gekommen - entweder Fehler oder kein Boot. Ohne RDRD und WRWRs scheint der RAM stabil zu sein, musste nur noch 0,1V anheben. TM5 lief durch und Karhu hatte ich bei 3000% gestoppt. Ich will keine 8 Stunden testen, wenn ich noch weiter dran rumschraube...
Der Abschluss für heute was das und wenn es stabil ist, dann probiere ich noch die RDRD Werte zu optimieren. Gibts ansonsten noch etwas, das euch sofort ins Auge fällt?
Danke und GN8
Die niedrigeren Spannungen waren dann für die tighteren Timings doch wieder zu wenig, daher habe ich hier wieder erhöht auf 1.54 VDD, 1.47 VDDQ und 1.45 VDDIO. Das war jetzt schon wesentlich stabiler, hat mir im Anta777 extreme jetzt aber doch nochmal einen #8 geworfen. Aber weit weg kann ich nicht mehr sein.
Aber vielleicht probiere ich auch noch ein 6400er CL28 Setting aus, dann kann ich auch das ProArt X670 wieder rauskramen aus der Kammer und das Gene weiterschicken
@Vince96 was hast du da mit deinen Lexar am laufen? (Edit: ah gefunden ) Kann man dir einen Kaffee ausgeben?
Aber vielleicht probiere ich auch noch ein 6400er CL28 Setting aus, dann kann ich auch das ProArt X670 wieder rauskramen aus der Kammer und das Gene weiterschicken
@Vince96 was hast du da mit deinen Lexar am laufen? (Edit: ah gefunden ) Kann man dir einen Kaffee ausgeben?
Anhänge
seppelchen
Foto-Master of 03/11
So, das wars für heute... die WRWRs noch etwas und dann mal sehen...
Bin da, wo ich mit den Lexar aufgehört hatte...
Bin da, wo ich mit den Lexar aufgehört hatte...
Bezüglich dem Nitro-Modus habe ich noch nirgendwo eine ausführliche Erklärung gefunden. Nach meinem jetzigem Verständnis, soll per Nitro den Interferenzen der beiden unbelgeten Ram-Slot entgegengewirkt werden. Wie genau habe ich keine Ahnung.
Daher die Frage: Weiß jemand was sich besser auf die Stabilität auswirkt? Alles auf auto (also 2 3 1) oder nitro disabled?
1-2-0 wirft bei Karhu nach 7% direkt einen Fehler.
1-2-1 läuft zurzeit, bringt bei mir jedoch deutlich weniger an Latenz/Durchsatz als 1-2-0 (aber immer noch mehr im Vergleich zu auto)
---
Und frohe Weihnachten an alle die das hier lesen :^)
Daher die Frage: Weiß jemand was sich besser auf die Stabilität auswirkt? Alles auf auto (also 2 3 1) oder nitro disabled?
1-2-0 wirft bei Karhu nach 7% direkt einen Fehler.
1-2-1 läuft zurzeit, bringt bei mir jedoch deutlich weniger an Latenz/Durchsatz als 1-2-0 (aber immer noch mehr im Vergleich zu auto)
---
Und frohe Weihnachten an alle die das hier lesen :^)
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webmi
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Da habe ich eine andere Erfahrung gemacht.
1/2/0 laufen 6200, für 6400 brauche ich 1/2/1 (damit es mit C28 überhaupt bootet)
In meinem Quick & Dirty Test eben, ist 6400C28 mit 1/2/1 trotzdem besser in AIDA, als 6200C28 mit 1/2/0, sowohl im Durchsatz als auch bzw vor allem in der Latenz
Aber das ist nur meine Erfahrung dazu!
1/2/0 laufen 6200, für 6400 brauche ich 1/2/1 (damit es mit C28 überhaupt bootet)
In meinem Quick & Dirty Test eben, ist 6400C28 mit 1/2/1 trotzdem besser in AIDA, als 6200C28 mit 1/2/0, sowohl im Durchsatz als auch bzw vor allem in der Latenz
Aber das ist nur meine Erfahrung dazu!
Schon interessant, dass jeder bei Nitro was anderes berichten kann.
1/2/0 mit 6200cl28 brachte (zumindest) bei Aida eine deutliche Verbesserung: von 67,5 auf 65ns und Durchsatz von ca. 1000mb mehr. 1/2/1 dagegen nur -0,5 bis 1ns.
1/2/0 mit 6200cl28 brachte (zumindest) bei Aida eine deutliche Verbesserung: von 67,5 auf 65ns und Durchsatz von ca. 1000mb mehr. 1/2/1 dagegen nur -0,5 bis 1ns.
webmi
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Hast du AIDA ein paar Runs gemacht und jeweils nur den besten Wert vergleichen? Das schwankt nämlich je nach Run extrem hin und her, was es eh sehr schwer vergleichbar macht.
Aber ja, ich könnte höchstens die 6200 mit 1/2/0 zu 1/2/1 vergleichen, hab das eben nur wissen wollen, also ob die 1/2/0 wie du berichtest wirklich "schneller" sind und habe meine 24/7 6400 1/2/1 mit 6200 1/2/0 vergleichen und das hinkt natürlich...
Aber ja, ich könnte höchstens die 6200 mit 1/2/0 zu 1/2/1 vergleichen, hab das eben nur wissen wollen, also ob die 1/2/0 wie du berichtest wirklich "schneller" sind und habe meine 24/7 6400 1/2/1 mit 6200 1/2/0 vergleichen und das hinkt natürlich...
Mit deinem Kit wirst du mit 6400 CL28 bei aggressiven Timings bei 1,53-1,57 V landen. Das Gene ist natürlich deutlich besser auch, was die Signalqualität angeht, deswegen geht dort tendenziell weniger Spannung.@Vince96 was hast du da mit deinen Lexar am laufen? (Edit: ah gefunden ) Kann man dir einen Kaffee ausgeben?
Das Lexar Kit lief bei mir mit 6400 CL30 mit 1,36V VDD & 1,23 VDDQ & VDDIO. Jedes Kit hat so seinen SweetSpot wo es recht wenig Spannung braucht.
Habe aktuell die Lexar mit 1,47V VDD und 1,32VDDQ bei 8000 am Laufen (CL36-46-40-58-98). (40k Karhu ohne Fehler)
Beitrag automatisch zusammengeführt:
6400 bei 1-2-0 ist schon recht selten, da kann man schon von einem "Goldenden" IMC sprechen + wenn er dann noch FCLK 2233 schafft. Aber im Grunde sind das alles nur Zahlen, was vlt. in der Realität 1-2 FPS bringen kann was niemand bemerken wird
. Brauche mit 64GB auch 1-2-1 & 6200, da machen sich leider die DR bemerkbar.
webmi
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Eben, es sind erst Mal nur die so gefeierten Taktraten, aber worum es ja eigtl geht, worum es mir beim OC geht, ist ja der Performance Vorteil. Deswegegn hätte ich kein Problem gehabt, auf 6200 1/2/0 zu gehen, wenn die schneller gewesen wären als meine 6400 1/2/1.
Phoenix2000
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8000+ hört sich halt besser an, aber die ganzen Settings nehmen sich nun wirklich nicht viel.
Man kann schon optimieren, also das bringt schon was, der Rest kommt über Takt.
Was mir aber aufgefallen ist ich hatte ja nun insgesamt 4 Board´s hier, die Hersteller unterscheiden sich selbst innerhalb ihrer eigenen Baureihe.
Die Werte hier sind mit etwas unter 5,6Ghz, das ist schon etwas mehr als aufn Tomahawk. Irgendwie ist das generell im Single Core ne ganze Ecke flotter unterwegs.
Auch der Copy Wert ist irgendwie höher.
funkflix
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Bencht doch mal ein paar Games, ist doch langweilig immer nur nach ein paar theoretischen Punkten zu farmen?
Und @Phoenix2000 , hast du dir tatsächlich das Godlike rausgelassen? Nice!
Und @Phoenix2000 , hast du dir tatsächlich das Godlike rausgelassen? Nice!
Phoenix2000
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Also Gaming Leistung ist die gleiche wie mit dem Tomahawk bei gleichen Takt zumindestens SotR.Bencht doch mal ein paar Games, ist doch langweilig immer nur nach ein paar theoretischen Punkten zu farmen?
Und @Phoenix2000 , hast du dir tatsächlich das Godlike rausgelassen? Nice!
Ja was soll ich sagen man selber macht sich die schönsten Weihnachtsgeschenke. 😅
Ich werd es bestimmt auch noch ingame testen, aber es ist halt grade frisch eingebaut^^
Nitro hat ja grundsätzlich etwas mit der Signalqualität zu tun.
Bedeutet das im Umkehrschluss auch, dass man Nitro nur zusammen mit umfangreichem RAM-Training nutzen sollte? Also reduced training time = off, mcr = off und ggf. robust training = on?
Zumindest erscheint mir dieser Zusammenhang logisch.
Bedeutet das im Umkehrschluss auch, dass man Nitro nur zusammen mit umfangreichem RAM-Training nutzen sollte? Also reduced training time = off, mcr = off und ggf. robust training = on?
Zumindest erscheint mir dieser Zusammenhang logisch.
Dwayne_Johnson
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Gibts denn irgendwo Gaming-Benches @ Standard 5.600
und @ 5.600/6.000 und höher mit scharfen Timings?
und @ 5.600/6.000 und höher mit scharfen Timings?
funkflix
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Leider wird 8000MT/s in den Reviews immer nur mit XMP/EXPO getestet, nie wirklich optimiert...
www.techpowerup.com
DDR5 Memory Performance Scaling with AMD Zen 5
Our AMD Zen 5 Memory Scaling Review examines six different DDR5 memory speeds, including DDR5-8000, DDR5-6400 1:1, DDR5-6400 CL28 and others. We looked into how these speeds impact performance in gaming at four resolutions and a wide range of application workloads.
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