[Sammelthread] Samsung 8Gbit DDR4 C-Die K4A8G085WC - OC-Ergebnisse im Startbeitrag! [updated]

[emissary42]

Noch ein Update zum Wochenende:

2x16GB @ DDR4-3200 16-18-18-36 1T 1.28V



2x16GB @DDR4-3466 16-19-19-36 1T 1.36V



Die tRCD/tRP Wall für 17er Werte kam also etwas früher, dafür geht die tCL besser. Die 8GB Module konnten mit diesen Spannngen CL16 nicht erreichen und sehr viel höher möchte ich mit geliehenen Modulen auch nicht gehen. Schraube nun aber schon an DDR4-3600 cL17, da hakt es nur noch an einer Stelle


Edit: der 3866er 32M Screen ist nun auch gefixed

 

[curious]

Ich hab frisch vier DR Riegel à 16GB reinbekommen (M378A2K43CB1-CRC), die zwei besten zu einem Kit kombiniert und mal geschaut was geht.

Hier also wie versprochen ein erster Test von C-die unter Ryzen

Mit einem niedrigen MEMCLK hab ich mich gar nicht erst aufgehalten sondern gleich mit 3333 MT/s begonnen. DDR4-3333 ist die natürliche Grenze für Dual Rank Module unter Ryzen.

Wie emi schon geschrieben hat, lassen sich die Hauptimings auch nicht durch ein Plus an Spannung unter einen bestimmten Wert drücken. Lediglich die CL skaliert etwas mit der Spannung.
Bei 3333 MT/s ist das untere Limit für tRCD und tRP 19 Takte. Bis 1.35v ist nur tCL = 18 möglich, ab 1.365v dann auch tCL = 16.

Die Subtimings lassen sich fast alle auf die von B-die gewohnten niedrigen Werte drücken. Lediglich tRDRDSCL/tWRWRSCL (4) und tRFC (550) müssen relativ hoch angesetzt werden. Das ist aber typisch für Samsungs OEM Module, denn mit den B-die Riegeln war das nicht anders.

Erstaunlicherweise läuft das Kit bei nur 1.365v klaglos mit Command Rate = 1T, ohne dass ich den Gear Down Modus (disabled) zuschalten muss. Für mich ein Novum für DR Module @DDR4-3333. Das macht viel von dem Verlust durch die etwas schlechteren Timings wieder wett.


Samsung C-die Dual Rank @DDR4-3333 @1.365v *stabil*

Damit lässt Samsung sogar mit ihren OEM Modulen die Konkurrenz um Hynix und Micron (auf Retail Kits) im Regen stehen.

Auch DDR4-3400 ist mit diesen Einstellungen und etwas mehr Spannung (1.385v) AIDA benchstable. Erhöht man die Spannung werden die Fehler im Stresstest immer weniger. Es fehlt nicht viel zu 24/7 Stabilität, aber der IMC des Ryzen lässt das wie schon mit B-die einfach nicht zu.

Es zeigt sich aber auch wieder mit den C-die, dass Himmel und Hölle bei den OEM Modulen von Samsung nicht weit auseinander liegen. Die beiden anderen Riegel scheinen nach kurzem Antesten ziemliche Gurken zu sein.

Weitere Tests folgen (z.B. @3200 MT/s und max. boot). Später auch mit Single Rank C-die.

 

[croni-x]

Seeehr gute Ergebnisse für DR und Ryzen! Da könnte sich mit gescheitem Binning in absehbarer Zeit eine neue Empfehlung für Ryzen Systeme rausstellen.

 

[emissary42]

@curious: Interessantes Ergebniss mit den selektierten Sticks

Dann scheint sich zumindest für die Original Samsung C-Die Module zu bestätigen, dass diese wie schon z.B. 4Gbit D-Die harte Walls bei der tRCD und tRP haben. Die benötigte Spannungserhöhung von einer CAS Latency Stufe zur nächsten sind bei den von mir getesteten Modulen außerdem deutlich größer als bei Retail B-Dies. Das du mit einer Erhöhung der Vdimm von 1.35V auf 1.365V direkt von CL18 auf CL16 kommst, ist da schon ziemlich außergewöhnlich. Oder hast du CL18 nicht auf Min-Vdimm getestet?

Deine von mir getesteten 2x16GB Module fangen bei DDR4-3600 langsam an funky zu werden. Selbst auf dem Apex sind dann komplett manuelle Subs angesagt, damit der Rechner überhaupt startet und einige davon müssen bereits deutlich enschärft werden. Das führt zusammen mit der Erhöhung der Haupttimings zu einer höheren Gesamtlatenz und einem nur noch marginalen Performancezugewinn gegenüber den 3466er Settings.

2x16GB @ DDR4-3600 17-20-20-37 1T 1.34V



Bei DDR4-3733 verhält es sich recht ähnlich. Man kann regelrecht spüren, dass dies für die beiden Module die obere Grenze ist.

2x16GB @ DDR4-3733 19-21-21-38 1T 1.30V





Mit einem selektierten Paar wären auf Intel Plattformen unter Umständen auch noch DDR4-3866 möglich. Für diese Module aber sind DDR4-3466 wohl der Sweet Spot, welcher sich dafür aber auch auf Mainstream-Boards erreichen lassen sollte.

Edit2, hier die Ergebnisse noch mal sortiert nach dem Performance-Rating aus meinen User Reviews:

Edit: Ich habe deinen Screenshot noch mal neu hochgeladen, um ihn als Thumbnail in den Startbeitrag einfügen zu können.

 

[curious]

Dann scheint sich zumindest für die Original Samsung C-Die Module zu bestätigen, dass diese wie schon z.B. 4Gbit D-Die harte Walls bei der tRCD und tRP haben.

Ja, absolut. Mir ist auch gerade erst aufgefallen, dass wir exakt die gleichen Hauptimings + tRFC bei DDR4-3466 (emi) und DDR4-3333 (curious) ermittelt haben. Mit den obigen Timings kann ich DDR4-3466 problemlos booten (in Windows folgt dann natürlich schnell der bluescreen), aber das beweist, dass die Wall real und systemübergreifend ist.

Die benötigte Spannungserhöhung von einer CAS Latency Stufe zur nächsten sind bei den von mir getesteten Modulen außerdem deutlich größer als bei Retail B-Dies. Das du mit einer Erhöhung der Vdimm von 1.35V auf 1.365V direkt von CL18 auf CL16 kommst, ist da schon ziemlich außergewöhnlich. Oder hast du CL18 nicht auf Min-Vdimm getestet?

Nein hab ich nicht. Bin gleich mit 1.35v eingestiegen. Bestmögliche Timings bei stabilem Betrieb im DDR4-3333 Strap ist das einzige, was ich bisher wirklich erforscht habe - ansatzweise noch DDR4-3400 mit diesen Timings stabil zu bekommen.

Deine von mir getesteten 2x16GB Module fangen bei DDR4-3600 langsam an funky zu werden. Selbst auf dem Apex sind dann komplett manuelle Subs angesagt, damit der Rechner überhaupt startet und einige davon müssen bereits deutlich enschärft werden. Das führt zusammen mit der Erhöhung der Haupttimings zu einer höheren Gesamtlatenz und einem nur noch marginalen Performancezugewinn gegenüber den 3466er Settings.

Wie schaut das mit Retail DR B-die aus? Wo liegt denn da ungefähr die Grenze?
Mit den vom Memory Training ermittelten Werten halte ich mich übrigens gar nicht auf. Die werden unter Ryzen immer viel zu konservativ gesetzt. Sprich, ich setze Standardwerte in den Tertiärtimings ein, die keinen/kaum Einfluss auf die Stabilität haben, und ermittel den Rest mühsam selbst. Da der IMC so früh schon limitiert, liegt der Fokus unter Ryzen eher auf Performanceoptimierung und Stabilität, weniger auf Taktmaximierung.

Mit einem selektierten Paar wären auf Intel Plattformen unter Umständen auch noch DDR4-3866 möglich.

Gut möglich. Von den vier Riegeln schafft einer nur DDR4-3200 und der vierte Riegel ist komplett defekt. Der zirkelt in Endlosschleife durch die ersten vier Stationen des Memory Trainings. Selbst mit DDR4-1866 und erhöhter Spannung. So viel Selektion konnte ich also gar nicht betreiben.

Für diese Module aber sind DDR4-3466 wohl der Sweet Spot, welcher sich dafür aber auch auf Mainstream-Boards erreichen lassen sollte.

Das Gefühl hab ich auch. Hat man erstmal die richtigen Timings gefunden und ist im stabilen Fenster, verhalten sich die Riegel absolut gutmütig und stabil. Ich kann das z.B. an den Cache Ergebnissen in AIDA ablesen, die ungewohnt konstant und hoch sind. Ich probier das mal an dem Gaming 5 von Gigabyte aus, das ich gerade da habe. Das ist zwar zusammen mit dem K7 Gigabytes top X370 Board, aber so gut wie das C6H ist es lange nicht.

 

[emissary42]

Nein hab ich nicht. Bin gleich mit 1.35v eingestiegen.

Ah ok, das erklärt es. Ich konnte mit den 2x16GB zum Beispiel auch mit 1.40V noch nicht CL18 @ DDR4-3733 erreichen.

Wie schaut das mit Retail DR B-die aus? Wo liegt denn da ungefähr die Grenze?

Meine alten F4-3200C14D-32GVK haben DDR4-3466 14-14-14 mit 1.41V und DDR4-3600 16-16-16 mit 1.35V gemacht. Websmile hatte damals ein Quad Kit für OCX auch noch höher getestet, aber im Prinzip kannst du die neueren High End Kits wie die F4-4000C19D-32GTZKK oder CMK32GX4M2K4133C19 als Maßstab benutzen.

Edit: Jetlag! Nun passt die Antwort auch zur Frage

Mit den vom Memory Training ermittelten Werten halte ich mich übrigens gar nicht auf. Die werden unter Ryzen immer viel zu konservativ gesetzt.

Das ist auf Intel etwas besser, mit dem richtigen Untersatz. Das Apex macht bei vielen Subs einen guten Job, einige muss man einfach generell anpassen. Wenn man seine Testplattform halbwegs kennt, ist das eigentlich immer relativ schnell erledigt. Sobald man die Eigenheiten der ICs oder Module kennt, geht es noch mal etwas schneller vorwärts.

Ich habe die Subs aber absichtlich nicht bis Oberkante Unterlippe angezogen, da ich mit diesen zum nachmachen anregen wollte. Wenn jemand mit einem bestimmten Setting auf Intel keinen Erfolg hat, testweise die Vdimm anheben oder es mal mit den Timings des nächst-höheren Takts versuchen.

 

[Phoenix2000]

Hab die 4000 stabil geknackt, vorher bei Prime instant Fehler geschmissen.
Nach langen Probieren heute die Lösung gefunden.Es lag vor allem an der tWR, die musste noch auf 24 hoch und die VCCIO musste etwas höher.
Spannung hab ich derzeit 1,39V.

https://ibb.co/dcxZFy
Also 57k Read 58k Write und 50k Copy im Schnitt.
Bei Farcry Primal 1280x720 very low Settings bin ich von 193FPS(DDR3800) auf 201(DDR4000) gestiegen.

Musste nochmal nachbessern,Speicher brauchen doch etwas mehr 1,4V.Aber es ist stabil.

 

[emissary42]

Kannst du den Prime Sceen eventuell noch mal z.B. bei Abload hochladen, damit ich ihn als Thumbnail im Startbeitrag verlinken kann?

Edit, zum Aida64 Screen: Hast du mal versucht für CHA ein RTL/IOL 72/8 oder 71/7 einzutragen?

 

[the_patchelor]

Habe 2 8GB Riegel hier, ein Asus X470 itx und einen R7 2700, mit den Samsung Riegeln bin ich noch nicht warm geworden. brauchen für mich Laeien viel Zuneigung und 3466 bei 20 oder 22er Timings ist mir dann zu viel. Da sind mir meine Trident-Z 3600 17-18-18-18 lieber

Ich würde aber gerne ein paar Settings testen...oder ich bekomme irgendwo 2x16GB C-Die günstig, da wäre dann der Nutzen sicher höher.

Beim Vorbesitzer schafften sie:
3466 Mhz bei 18-20-20-38-2T waren bei 1,35 Volt
(2x Samsung M378A1K43CB2-CRC 8 GB DDR4 Modul)

 

[emissary42]

Wenn du schon gute B-Dies hast, dann ist das übertakten mit C-Die recht hoffnungslos. Die Timings von guten Retail B-Dies schaffen sie nicht annähernd, sind im Moment wohl auch eher eine Budget Alternative.

Wer war der Vorbesitzer und gibt es von ihm eventuell Screenshots?

 

[the_patchelor]

Speed1980
hab sie auch als Budget Reserve gekauft, nicht um Rekorde zu brechen für 105€ okay

 

[emissary42]

Habe ihn mal angeschrieben, leider hat er keine Screenshots mehr für den Thread.


Edit: Startbeitrag etwas aufgemotzt und WWW Links ergänzt

 

[Phoenix2000]

Hier nochmal optimierte Timing und vor allem 100% stabil.
Bin jetzt mal nicht nach den schwankenden AIDA64 gegangen sondern nach LinX und FarCry Primal.
Konnte mich von 383-385GFlop´s auf 406-407 steigern. Die Werte sind mit Cache auf 45 nicht wie im Screen auf 47 da geht er bis 409GFlop´s hoch.



100% Stabil
Durch die veränderten Sub Timings konnte ich andere Subtimings wieder niedriger setzen.
Der Screen ist Durchschnittswert geht bis über 58k Read über 59k Write und über 51,5k Copy hoch.

https://ibb.co/kifrqJ
Speicherspannung anliegend real 1,44V

Boot und Benchbar bin ich jetzt bis 4100 gekommen.
Mir ist aufgefallen das beim Prime AVX/FMA3 durch den erhöhten Speicherdurchsatz im Bereich zwischen 32k und 120k die CPU ganz leicht wärmer und scheint stärker belastet zu werden.
Die Werte sind bei 5,1Ghz mit AVX Offset 2 und mit Offset 1.

FarCry Primal

DDR3800 CL19-21-21-39 Standard Subs 5,1/5Ghz(AVX) machen 193 Frames.
DDR4000 CL19-23-23-39 leicht optimierte Subs 5,1/5Ghz(AVX) machen 201 Frames
DDR4000 CL19-23-23-39 straffe Subs 5,1/4,9Ghz(AVX) machen 209 Frames.

Also von DDR3800 auf DDR4000 optimiert satte 8,3% mehr Leistung, wobei auch grade die Min Frames steigen. Graka 980TI

 

[emissary42]

Hier nochmal optimierte Timing und vor allem 100% stabil. Bin jetzt mal nicht nach den schwankenden AIDA64 gegangen sondern nach LinX und FarCry Primal. Konnte mich von 383-385GFlop´s auf 406-407 steigern. Die Werte sind mit Cache auf 45 nicht wie im Screen auf 47 da geht er bis 409GFlop´s hoch. Durch die veränderten Sub Timings konnte ich andere Subtimings wieder niedriger setzen. Der Screen ist Durchschnittswert geht bis über 58k Read über 59k Write und über 51,5k Copy hoch.



Speicherspannung anliegend real 1,44V. Boot und Benchbar bin ich jetzt bis 4100 gekommen. Mir ist aufgefallen das beim Prime AVX/FMA3 durch den erhöhten Speicherdurchsatz im Bereich zwischen 32k und 120k die CPU ganz leicht wärmer und scheint stärker belastet zu werden. Die Werte sind bei 5,1Ghz mit AVX Offset 2 und mit Offset 1.

FarCry Primal

DDR3800 CL19-21-21-39 Standard Subs 5,1/5Ghz(AVX) machen 193 Frames.
DDR4000 CL19-23-23-39 leicht optimierte Subs 5,1/5Ghz(AVX) machen 201 Frames
DDR4000 CL19-23-23-39 straffe Subs 5,1/4,9Ghz(AVX) machen 209 Frames.

Also von DDR3800 auf DDR4000 optimiert satte 8,3% mehr Leistung, wobei auch grade die Min Frames steigen. Graka 980TI

Danke, hab deinen Eintrag im Startbeitrag ergänzt. Den Screen hab ich wieder lesbar bei abload hochgeladen und sollte sich im Link auch mit Mobilgeräten anzeigen lassen.


Edit: bist ja fast exakt bei meinen 4000er Timings gelandet

 

[Phoenix2000]

In meinem Post war nen Fehler ich brauche 1,44V das ich auch wirklich im Speichertest wirklich stabil bin.

Ja die tWtrl muss aber auf 10.
Die tRDWR Timmings konnte ich auf 12 setzen (benchen geht noch mit 10) und die tFAW konnte ich mit der TCWL gleich setzen auf 18.
Die tWTR_L/_S scheinen übrigens an den tRDWR Timings gebunden zu sein.

Das pusht nochmal gut die Performance.

 

[emissary42]

In meinem Post war nen Fehler ich brauche 1,44V das ich auch wirklich im Speichertest wirklich stabil bin.

Ist korrigiert.

Die tWTR_L/_S scheinen übrigens an den tRDWR Timings gebunden zu sein.

Habe ich hier im Forum auch schon ein paar mal erklärt, zum Beispiel hier.

Spoiler

Wenn du schrauben willst:

Wie weit du welches Timings reduzieren kannst, hängt von deinen Komponenten ab.

 

[Phoenix2000]

Ok mir ist aufgefallen das mein Board die Timings automatisch ändert, wenn ich die anderen runter nehme.
Naja auf jeden Fall bin ich zu einen brauchbaren Ergebnis gekommen, ich hab mich vorher noch nie ausführlich mit den Subtimings beschäftigt.
Von daher ist das supi das hier nen paar Fachleute da sind, was das angeht.

 

[emissary42]

Freut mich wenn ich helfen konnte und das Ergebnis ist für solchen Schnäppchen-RAM sowieso top

 

[emissary42]

Updates,
neu hinzugefügt: M378A5244CB0-CTD | 4GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx16 | Preisvergleich
korrigiert: M378A1K43CB2-CRCD0 | 8GB DDR4-2400 16-17-17 1.20V | 1Rx8 | Preisvergleich

 

[Reous]

Mal vorsichtig nachgefragt aber könnten das hier C-die Rams sein?
Dachte zuerst an Hynix aber nachdem ich mit der tRP runter gehen konnte war ich mir nicht mehr sicher.
Thaiphoon Burner spuckt leider nichts aus. Der Ram ist für ein PC Upgrade für meine Mutter gedacht

 

[emissary42]

Mal vorsichtig nachgefragt aber könnten das hier C-die Rams sein?

Dem Takt nach ist es möglich. Leider wird keine Strukturbreite der Fertigung angezeigt.

Edit: Haben die Dinger denn überhaupt Heatspreader?

Dachte zuerst an Hynix aber nachdem ich mit der tRP runter gehen konnte war ich mir nicht mehr sicher.

tRP=18 konnten die OEM Samsung 8Gbit C-Die allerdings auch nicht bei dem Takt. Man müsste wohl mal testen, ob die CL auf Spannung anspricht.

 

[Reous]

CL reagiert null auf Spannung oder wenn dann nur ganz wenig
Hab auch mal curious angeschrieben, da es auch eine Auffälligkeit bei der ProcODT gibt.
...
Letzendlich hab ich aber dann doch den HS abgemacht. Ist jetzt aber auch nicht mein Gebiet. Steht das S für Samsung?

 

[emissary42]

Spectek = OEM Micron --> SpecTek - Brilliant Memory Solutions

 

[Reous]

Wow OEM Micron welche schon DDR4-4000+ schaffen. Was können dann erst die Retail Micron.
Danke Emi. Ist dann doch der falsche Thread hier.
Werde die Module jetzt aber erst recht ausführlich testen!

 

[emissary42]

Da du nun mit fast jedem 3rd Gen IC DDR4-3800+ schaffst, hast du AM4 offenbar entzaubert

 

[Reous]

Ein IMC, welcher DDR4-4000 stabil schafft, wäre mir lieber lol.
Ein Kit Samsung C-die bekomme ich früher oder später auch noch irgendwie, irgendwann zum testen.

Bin jetzt erstmal auf die Ergebnisse von curious gespannt

 

[emissary42]

Bin jetzt erstmal auf die Ergebnisse von curious gespannt

War und bin ich auch immer noch. Ist allerdings scho ein paar Wochen her, dass er das letzte mal im Luxx vorbei geschaut hat :/

 

[Foxm83]

Da es hier so schön reinpasst.
Habe diesen RAM erworben: 2x Samsung DIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15M378A1G43EB1-CPB (Dual Rank)
Habe sie gestern auf einem Z170 Fatal1ty ITX verbaut. Zunächst mit 1,20V und Standard-Timings mit 2133, 2400 und 2666 getestet. Lief einwandfrei. Dann mit 1,25V auf 2800 und dann hoch auf 3000. Über mehrere Stunden nun getestet und mit Timings von 16/18/18/38/2T lasse ich sie jetzt laufen.

Meint ihr ich sollte noch höher gehen, so Richtung 3200, 3466 oder gar 3733/3866 bei 1,3V bis 1,35V? Oder erstmal Command Rate auf 1T? Habe noch nicht so oft RAM übertaktet.

 

[emissary42]

Nur knapp am Thema vorbei^^

Samsung 4Gbit E-Die können auch Dual Rank noch durchaus mehr Takt schaffen, aber bei ungebinnten Originalmodulen kann die Qualität stark schwanken und ich würde allgemein keine allzu großen Reserven über DDR4-3200 erwarten. Sonst teste die Module zunächst einzeln auf Max-OC und orientiere dich dann am schwächeren von beiden.

 

[Foxm83]

Ah okay, danke für die Aufklärung.

Nur knapp am Thema vorbei^^

Samsung 4Gbit E-Die können auch Dual Rank noch durchaus mehr Takt schaffen, aber bei ungebinnten Originalmodulen kann die Qualität stark schwanken und ich würde allgemein keine allzu großen Reserven über DDR4-3200 erwarten. Sonst teste die Module zunächst einzeln auf Max-OC und orientiere dich dann am schwächeren von beiden.