| CPU/HT-Referenztakt | 100 - 500 MHz |
| Speichertakt | 800/1067/1333/1600 MHz |
| CPU/Northbridge-Frequenz | 1400 - 6000 MHz in 200-MHz-Schritten |
| HT-Link-Frequenz | 200 - 2600 MHz in 200-MHz-Schritten |
| CPU-Spannung | Standard +/- 0,6 Volt in 25-mV-Schritten |
| CPU/Northbridge-Spannung | Standard +/- 0,6 Volt in 25-mV-Schritten |
| CPU-VDDA-Spannung | 2,25 - 3,1 Volt in 40-mV-Schritten |
| Speicher-Spannung | 1,21 - 2,41 Volt in 20-mV-Schritten |
| HT-Spanung | 1,10 - 1,46 Volt in 20-mV-Schritten |
| Northbridge-Spannung | 0,95 - 1,45 Volt in 20-mV-Schritten |
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Für den Speicher stehen folgende Einstellungen bereit:
| DRAM CAS# Latency | 4 - 12 |
| DRAM RAS# to CAS# Delay | 5 - 12 |
| DRAM RAS# PRE Time | 5 - 12 |
| DRAM RAS# ACT Time | 15 - 30 |
| DRAM READ to PRE Time | 4 - 7 |
| DRAM Row Cycle Time | 11 - 41 |
| DRAM WRITE Recovery Time | 5 - 12 |
| DRAM RAS# to RAS# Delay | 4 - 7 |
| DRAM READ to WRITE Delay | 3 - 17 |
| DRAM WRITE to READ Delay (DD) | 2 - 10 |
| DRAM WRITE to READ Delay (SD) | 4 - 7 |
| DRAM WRITE to WRITE Timing | 3 - 10 |
| DRAM READ to READ Timing | 3 - 10 |
| DRAM REF Cycle Time | 90/110/160/300/350 ns |
| DRAM Refresh Rate | 3,9/7,8 ms |
| DRAM Command Rate | 1T/2T |
Kommen wir nun zum Testsystem und den ersten Benchmarks bzw. Messungen.