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Im Rahmen des Samsung Foundry Forum (SFF) 2023 hat der südkoreanische Hersteller ein Update seines Fahrplans für die zukünftigen Fertigungsprozesse gegeben. Offenbar will man seinem taiwanischen Konkurrenten TSMC wieder größere Marktanteile bei den AI-Chips abknöpfen. NVIDIA lässt seine A100- und H100-Beschleuniger bei TSMC fertigen und auch der Gaudi 2 der HabanaLabs sowie fast sämtliche ARM-basierten Prozessoren werden aktuell bei TSMC gefertigt. Samsung steht etwas neben dem aktuellen Trubel und schaut in gewisser Weise nur zu.
Doch dies soll sich mit den Prozessen der 2-nm-Klasse ändern. Laut Dr. Siyoung Choi, dem Leiter der Foundry-Sparte bei Samsung sieht man sich mit den GAA-Transistoren (Gate-all-around) gut aufgestellt und alles läuft nach Plan, um ab 2025 mit SF2 die ersten Chips mit diesen Transistoren herzustellen. Zunächst aber wird man nur kleinere Chips wie Smartphone-SoCs in SF2 herstellen können, der HPC-Bereich muss sich bis 2026 gedulden. Ab 2027 soll dann auch die Automotive-Sparte auf die dann fortschrittlichste Fertigung von Samsung zurückgreifen können.
Im Vergleich zu SF3 (3 nm) soll SF2 eine um 12 % höhere Leistung der Chips ermöglichen, die Effizienz um 25 % steigern und die notwendige Chipfläche um 5 % verkleinern.
Darüber hinaus gibt man bekannt, dass die Fertigung in SF1.4 (1,4 nm) für 2027 geplant ist. Dazu wird unter anderem auch die Pyeongtaek Fab Line 3 (P3) ausgebaut.
Ebenfalls ab 2025 im Angebot sein soll die Fertigung von 300-mm-Wafern mit Leistungstransistoren aus Gallium Nitride (GaN). Im gleichen Zuge wird es einen 5-nm-RF-Prozess geben, der im Vergleich zum bisher verwendeten 14-nm-Prozess eine um 40 % höhere Effizienz und 50 % Einsparung an Chipfläche ermöglichen soll.
Im Grunde bestätigt Samsung seine bisherigen Aussagen nur, was in Anbetracht der vielen Probleme mit SF3E aber als gutes Zeichen gesehen werden. Welche Kunden man mit SF2 und SF1.4 wird gewinnen können, dürfte die spannende Frage sein.