Samsung 850 Evo und 850 Pro

Modelle mit bis zu 4 TB kommen später

Samsung ist einer der größten Hersteller für SSDs und hat die aktuelle CES unter anderem dazu genutzt, um seine schnelle portable T3-SSD vorzustellen. Dies scheint allerdings nicht die einzige Neuerung im SSD-Bereich zu sein, denn das Unternehmen will deutlich an der Kapazitäts-Schraube drehen. Bereits im September hatten wir berichtet, dass Samsung zukünftig SSDs mit bis zu 4 TB plant.

Aktuell werden die beiden Modelle 850 Evo und 850 Pro mit einer maximalen Kapazität von 2 TB angeboten. Dies soll sich durch die neuste Generation des V-NAND ändern. Die Bausteine sollen in diesem Jahr noch mehr Lagen bekommen, womit die Speicherdichte der einzelnen Chips weiter ansteigt. Die Produktion der dritten Generation des V-NAND habe bereits im August begonnen und mit insgesamt 48 Lagen sei pro Chip eine Verdopplung der Speicherkapazität auf 256 Gigabit möglich. Die ersten SSDs auf Basis des TLC-NAND mit 48 Layern sollen ab Sommer im Handel zu finden sein. Während die 850 Evo mit 4 TB ab Ende Juni starten soll, ist der Start der 850 Pro mit 4 TB für das darauffolgeden dritte Quartal geplant – damit kommen die Modelle etwas später als ursprünglich geplant. Im Gegenzug wird das Modell mit 120 GB aus dem Handel verschwinden. Ob der Preis mit der neuen Generation des V-NAND noch weiter fallen wird, wird sich wohl erst nach der Veröffentlichung zeigen. Konkrete Preise wollte Samsung zum derzeitigen Zeitpuntk nicht nennen.

Neue Informationen zur günstigeren 750 Evo Serie gab es in Bezug auf die Verfügbarkeit in Deutschland auch während der CES nicht. Neu ist nur, dass die SSD ab Februar auch in den USA verkauft werden soll. Dort soll die 750 Evo vor allem der BX200 von Crucial Konkurrenz machen. Ob Samsung die 750 Evo auch nach Deutschland bringen wird, bleibt weiterhin offen.

Die 950 Pro für den High-End-Bereich ist ebenfalls nicht neu, jedoch wird Samsung auch hier die maximale Kapazität steigern. Künftig wird die Serie um ein Modell mit 1 TB Speichervolumen erweitert und auch an dieser Stelle soll der neue V-NAND der dritten Generation zum Einsatz kommen.