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Nachdem SK Hynix bereits Mitte November den ersten GDDR5-Speicher mit einem echten Takt von 2.000 MHz listet und damit wohl auch die Massenproduktion einläutete, hat Samsung per Pressemitteilung angekündigt, dass auch hier die Massenproduktion des schnelleren Speichers begonnen habe. Samsung verwendet dazu einen nicht näher spezifizierten 20-nm-Prozess.
Die Speicherbandbreite ist bei modernen Grafikkarten ein entscheidendes Merkmal und nicht ohne Grund verwendet NVIDIA bei der "Maxwell"-Architektur eine spezielle Speicherkomprimierung. Auch experimentieren sowohl AMD als auch NVIDIA bereits seit Jahren an einem sogenannten 3D Memory oder High Bandwidth Memory (HBM). Durch beide Technologien kann die Speicherbandbreite von einigen hundert GB pro Sekunde auf zumindest theoretische TB pro Sekunde erhöht werden. HBM wird in seiner ersten Ausbaustufe vermutlich 512 GB pro Sekunde erreichen, was fast dem Doppelten entspricht, was aktuell durch Grafikkarten erreicht wird.
Bis HBM und 3D Memory im Einsatz sind, wird wohl nur eine Steigerung des Speichertaktes für eine Beschleunigung sorgen können. Ausgehend vom 384 Bit breiten Speicherinterface der GK110-GPU sowie den 512 Bit der "Hawaii"-GPUs erreicht der neue schnelle GDDR5-Speicher mit 2.000 MHz eine Speicherbandbreite von 384 bzw. 512 GB pro Sekunde. Auch die Gesamtkapazität kann durch den neuen Speicher vergrößert werden, da die einzelnen Chips nun über eine Kapazität von 4, 6 und 8 GBit verfügen, was 512, 768 und 1.024 MByte entspricht.
Da sich SK Hynix und Samsung beim GDDR5-Speicher den Markt sozusagen aufgeteilt haben und man eigentlich immer einen Speicher einer der beiden Hersteller auf seiner Grafikkarte findet, dürfte dies in den kommenden High-End-Generation aus dem Hause AMD und NVIDIA womöglich auch bald der Fall sein.