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SK Hynix hat eine neue HBM-Speichervariante vorgestellt, die ab 2020 im Zusammenspiel mit zahlreichen Beschleunigern jeglicher Art zum Einsatz kommen soll. HBM2E ist als Übergangsvariante bis zur dritten Generation des High Bandwidth Memory angedacht, denn die Entwicklungskurve bei der HBM-Speichertechnologie ist etwas abgeflacht und hat sich nicht derart entwickelt, wie dies noch vor wenigen Jahren prognostiziert wurde.
Bereits im Frühjahr stellte Samsung mit Flashbolt eine weitere HBM2E-Variante vor, die eine Datenrate von 3,2 GBit/s pro Pin erreicht. Die Kapazität pro Layer beträgt 16 GBit und bei einem 1.024 Bit breiten Speicherinterface ergibt sich eine Speicherbandbreite von 410 GB/s. Die Kapazität pro HBM2E-Chip beträgt 16 GB.
Die neue HBM2E-Variante von SK Hynix legt bei der Datenrate sogar noch eine Schippe drauf. Bis zu 3,6 GBit/s pro Pin sollen hier erreicht werden. Bei ebenfalls einem 1.024 Bit breiten Speicherinterface ergibt sich daraus eine Speicherbandbreite von 460 GB/s. Da SK Hynix ebenfalls acht Layer mit bis zu 16 GBit Speicherkapazität verbaut, kommt der Hersteller auf ebenfalls 16 GB pro Chip.
Beim Einsatz von vier der schnellen HBM2E-Chips ergibt sich eine Gesamtkapazität von 64 GB mit einer Speicherbandbreite von 1,84 TB/s. Damit sprechen wir von einer Datenraten, die im Bereich von plus 66 % bei den Profi-Chips und bei mehr als der doppelten Datenrate bei den Endkunden-Grafikkarten liegt.
SK Hynix plant die Massenproduktion des schnellen HBM2E im kommenden Jahr. Haupteinsatzgebiet dürften weiterhin die GPUs im HPC- und AI-Umfeld sowie Speziallösungen in den verschiedensten Bereichen sein. Samsung wollte zur Flashbolt-Variante des HBM2E keine Angaben zur Verfügbarkeit machen und vermutlich werden sich SK Hynix und Samsung bei der Markteinführung auch nicht viel geben. Ob Samsung bei der Datenrate noch wird aufholen können, bleibt abzuwarten.