FinFET
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2 nm und GAA: Samsung legt los, TSMC trennt BPD von N2-Fertigung (Update)
Auf dem Technology Symposium 2022 sprach TSMC über seine Pläne hinsichtlich der kommenden Fertigungsschritte. Während der Fokus in den kommenden Jahren auf auf Fertigung in diversen N3-Varianten liegen wird, steht mit N2 der Wechsel von den FinFETs auf GAA-Transistoren an. Mit N2 wird TSMC aber noch nicht direkt auf die Backside Power Delivery (BPD), sprich die Strom- und Spannungsversorgung durch die Rückseite des Wafers, umsteigen... [mehr]. -
GLOBALFOUNDRIES bietet FinFET-Fertigung in 12LP+ an
GLOBALFOUNDRIES bietet seinen Kunden nun auch eine Fertigung im FinFET-Prozess in 12LP+ an. 12LP+ beschreibt die am weitesten Entwickelte Lösung des ehemaligen Exklusivpartners von AMD. Im Vergleich zu 14LPP ermöglicht die Fertigung in 12LP eine um 10 % höhere Packdichte und ermöglicht einen um 6 % höheren Takt. Mit der Fertigung in 12LP+ spricht GLOBALFOUNDRIES Kunden an, die Chips für das Training und Inferencing herstellen lassen... [mehr] -
Intel will in fünf Jahren Transistoren mit Nanodrähten/Nanobändern verwenden
Auf der VLSI-Konferenz präsentierte Intels CTO Mike Mayberry unter der Überschrift "The Future of Compute" einige Aspekte zur Zukunft des Chipgiganten. Dabei geht der Blick über die aktuelle FinFET- und künftige Gate-All-Around-Technologie hinaus. Transistoren auf Basis von Nanodrähten und Nanobändern sollen sich bereits in fünf Jahren in der Massenproduktion befinden. Auf die planaren Transistoren folgten für alle... [mehr] -
Ab 2022 in 3 nm: Samsungs Multi Bridge Channel FET als Zukunft der Halbleitertechnik
Samsung stellt mit den Multi Bridge Channel FETs (MBCFET) die nächste Generation der Feldeffekttransistoren (FET) vor. Diese sollen alle aktuellen physikalischen und elektrischen Schranken umgehen können und ab 2022 bei Samsung in der Massenfertigung in 3 nm zum Einsatz kommen. Bereits 2021 soll es aber erste Samples geben. Bereits Anfang 2019 sprach Samsung erstmals über das Thema, fügt diesem nun aber weitere Details hinzu. Durch den... [mehr] -
IBM Research Alliance meldet Durchbruch im 5-nm-Prozess
IBM hat zusammen mit den Forschungspartnern Globalfoundries und Samsung einen Durchbruch für die Fertigung von Chips im 5-nm-Prozess erzielt. Eine neue Art Halbleiter sei entwickelt worden, gab die sogenannte Research Alliance zu Beginn der VLSI Technology and Circuits Konferenz in Kyoto bekannt. Für 5 nm wurde eine komplett neue Architektur entwickelt, welches FinFET in ein paar Jahren ersetzen wird. Im neuen Prozess werden Nanosheets... [mehr] -
AMD: Ryzen kommt Ende Februar auf den Markt
Die Digitimes berichtet, dass AMD die neuen Ryzen-CPUs im ersten Quartal 2017 auf den Markt bringen werde. Anonyme Mitarbeiter von Mainboard-Herstellern hatten dies dem Chip-Portal gegenüber bestätigt. Angeblich seien die Mainboard-Hersteller sehr optimistisch in Hinsicht auf den Markterfolg der im 14-nm-Verfahren gefertigten CPUs. So seien Bestellungen für passende Hauptplatinen sehr hoch, man erwartet einen Erfolg aufgrund des guten... [mehr] -
Exynos 7 Quad: Samsung startet Massenproduktion
Der Exynos 7 Quad 7570 ist in die Massenproduktion gegangen. Samsung nimmt mit dem System on Chip den Markt für Einstiegsgeräte und das Internet of Things ins Visier. Gefertigt wird der SoC im 14-nm-FinFET-Verfahren. Laut Samsung bietet der Exynos 7570 mit vier Cortex-A53-Kernen eine 70 % höhere Rechenleistung im Vergleich zur vorherigen Generation. Die Energieeffizienz soll zudem um 30 % gesteigert worden soll. Im SoC sind ein... [mehr]