| CPU/HT-Referenztakt | 100 - 600 MHz |
| Speichertakt | 800/1067/1333/1600 MHz |
| CPU/Northbridge-Frequenz | 1400 - 6000 MHz in 200-MHz-Schritten |
| HT-Link-Frequenz | 200 - 2600 MHz in 200-MHz-Schritten |
| CPU-Spannung | Standard +0,7 Volt (Min: 62,5 mV) in 3,125-mV-Schritten |
| CPU/Northbridge-Spannung | Standard +0,7 Volt (Min: 3,125 mV) in 3,125-mV-Schritten |
| CPU-VDDA-Spannung | 2,5000 - 3,1875 Volt in 12,5-mV-Schritten |
| Speicher-Spannung | 1,2 - 2,9 Volt in 12,5-mV-Schritten |
| HT-Spanung | 0,8 - 2,0 Volt in 12,5-mV-Schritten |
| Northbridge-Spannung | 0,8 - 2,0 Volt in 12,5-mV-Schritten |
| Northbridge-1,8V-Spannung | 1,80200 - 3,00775 Volt in 13,25-mV-Schritten |
| Southbridge-Spannung | 1,113 - 1,802 Volt in 13,25-mV-Schritten |
| VDDR-Spannung | 1,20575 - 1,80200 Volt in 13,25-mV-Schritten |
| VDDPCIE-Spannung | 1,11300 - 2,00075 Volt in 13,25-mV-Schritten |
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Auf den ersten Blick wirken die Einstellungen sehr ähnlich gegenüber dem Mainstream-Modell. Wenn man aber genauer hinschaut, wird deutlich, dass die minimalen und maximalen Werte deutlich weiter sind und die Intervalle feinmaschiger.
Für den Speicher stehen folgende Einstellungen bereit:
| DRAM CAS# Latency | 4 - 12 |
| DRAM RAS# to CAS# Delay | 5 - 12 |
| DRAM RAS# PRE Time | 5 - 12 |
| DRAM RAS# ACT Time | 15 - 30 |
| DRAM READ to PRE Time | 4 - 7 |
| DRAM Row Cycle Time | 11 - 41 |
| DRAM WRITE Recovery Time | 5 - 12 |
| DRAM RAS# to RAS# Delay | 4 - 7 |
| DRAM READ to WRITE Delay | 3 - 17 |
| DRAM WRITE to READ Delay (DD) | 2 - 10 |
| DRAM WRITE to READ Delay (SD) | 4 - 7 |
| DRAM WRITE to WRITE Timing | 3 - 10 |
| DRAM READ to READ Timing | 3 - 10 |
| DRAM REF Cycle Time | 90/110/160/300/350 ns |
| DRAM Refresh Rate | 3,9/7,8 ms |
| DRAM Command Rate | 1T/2T |
Beim Speicher sind die Einstellmöglichkeiten mit denen des M4A88TD-V EVO/USB3 identisch.