[Sammelthread] G.Skill TridentX ( DDR3-1600 / 1866 / 2400 / 2600 / 2666 / 2800 )
- Ersteller emissary42
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DarkGenesis
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ich hab kein "tRDRD"
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Hm tertiäre Einstellmöglichkeit ist gegeben, aber die tRDRD fnde ich auch nicht. Die heisst sicher anders.
Mit ASUS UEFIs hab ich es leider nicht so. Aber letztendlich musst du nur rausfinden, welcher Bezeichung bei dir der tRDRD Wert ist, und den um eine Stufe senken. Sollte das stabil sein, hast du locker 3-4k mehr Lesedurchsatz.
Mit ASUS UEFIs hab ich es leider nicht so. Aber letztendlich musst du nur rausfinden, welcher Bezeichung bei dir der tRDRD Wert ist, und den um eine Stufe senken. Sollte das stabil sein, hast du locker 3-4k mehr Lesedurchsatz.
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DarkGenesis
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Okay danke ich werde mal danach googlen
Jetzt Hab ich nur ein neues Problem gestern ein 20min Stresstest und noch Dirty Bomb gespielt ohne Neustart / Bluescreen jetzt schau ich über Plax ein Film und hatte 2-3 Neustart / Bluescreen Kann es sein das es wegen AIDA64 zum Bluescreen kommt? Hab es die ganze zeit über Offen
Jetzt Hab ich nur ein neues Problem gestern ein 20min Stresstest und noch Dirty Bomb gespielt ohne Neustart / Bluescreen jetzt schau ich über Plax ein Film und hatte 2-3 Neustart / Bluescreen Kann es sein das es wegen AIDA64 zum Bluescreen kommt? Hab es die ganze zeit über Offen
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aerotracks
Legende
Das heißt auf Ivy TRRSR.
DarkGenesis
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ja das hab ich auf bild Nr.5: tRRSR CHA:6, CHB:6 Auto
ro8otron
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Hm bin mir nicht ganz sicher ob ich an der richtigen stelle war, aber laut HWiNFO müsste es tRDRD sein.
Bringt bei mir nur keinen Performanceschub wenn ich von 3T auf 2T stelle.
Bei ASRock war es unter tRRDD.
tRRSR kann ich gar nicht niedriger einstellen als bereits eingestellt (4T)
DarkGenesis
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tRRSR is jetzt auf 5
Neu
Alt
Neu
Alt
Memory --------------------------------------------------------------------
[General information]
Total Memory Size: 16 GBytes
Total Memory Size [MB]: 16384
[Current Performance Settings]
Maximum Supported Memory Clock: 800.0 MHz
Current Memory Clock: 1333.3 MHz
Current Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 11.0-13-13-35
Memory Runs At: Dual-Channel
Command Rate: 2T
Read to Read Delay (tRD_RD) Different Rank: 1T
Read to Read Delay (tRD_RD) Different DIMM: 6T
Write to Write Delay (tWR_WR) Different Rank: 3T
Write to Write Delay (tWR_WR) Different DIMM: 6T
Read to Write Delay (tRD_WR) Same Rank: 5T
Read to Write Delay (tRD_WR) Different Rank: 5T
Read to Write Delay (tRD_WR) Different DIMM: 5T
Write to Read Delay (tWR_RD) Same Rank (tWTR): 11T
Write to Read Delay (tWR_RD) Different Rank: 3T
Write to Read Delay (tWR_RD) Different DIMM: 3T
Read to Precharge Delay (tRTP): 11T
Write to Precharge Delay (tWTP): 27T
Write Recovery Time (tWR): 16T
RAS# to RAS# Delay (tRRD): 7T
Refresh Cycle Time (tRFC): 348T
Four Activate Window (tFAW): 41T
Row: 0 - 4096 MB PC3-21300 DDR3 SDRAM G Skill F3-2666C11-4GTXD ------------
[General Module Information]
Module Number: 0
Module Size: 4096 MBytes
Memory Type: DDR3 SDRAM
Module Type: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Memory Speed: 1333.3 MHz (DDR3-2666 / PC3-21300)
Module Manufacturer: G Skill
Module Part Number: F3-2666C11-4GTXD
Module Revision: 0
Module Serial Number: 0
Module Manufacturing Date: Year: 2000, Week: 0
Module Manufacturing Location: 0
SDRAM Manufacturer: G Skill
Error Check/Correction: None
[Module characteristics]
Row Address Bits: 16
Column Address Bits: 10
Number Of Banks: 8
Module Density: 4096 Mb
Number Of Ranks: 1
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
CAS# Latencies Supported: 6, 7, 8, 9, 10, 11
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28
Supported Module Timing at 733.3 MHz: 10-10-10-26
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
Supported Module Timing at 600.0 MHz: 8-8-8-21
Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19
Supported Module Timing at 466.7 MHz: 7-7-7-17
Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Features]
Partial Array Self Refresh (PASR): Not Supported
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
Auto Self Refresh (ASR): Not Supported
Extended Temperature 1X Refresh Rate: Not Supported
Extended Temperature Range: Supported
Module Temperature Sensor: Not Supported
Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Not Supported
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): <= 1 mm
[Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
XMP Revision: 1.3
[Enthusiast / Certified Profile [Enabled]]
Module VDD Voltage Level: 1.65 V
CAS# Latencies Supported: 11
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 0.750 ns (1333.3 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 8.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 9.625 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 9.625 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 26.125 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 6.000 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 12.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 35.875 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 7.875 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 260.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 5.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Supported Module Timing at 1333.3 MHz: 11-13-13-35
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
System Command Rate Mode: 2N
[General information]
Total Memory Size: 16 GBytes
Total Memory Size [MB]: 16384
[Current Performance Settings]
Maximum Supported Memory Clock: 800.0 MHz
Current Memory Clock: 1333.3 MHz
Current Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 11.0-13-13-35
Memory Runs At: Dual-Channel
Command Rate: 2T
Read to Read Delay (tRD_RD) Different Rank: 1T
Read to Read Delay (tRD_RD) Different DIMM: 6T
Write to Write Delay (tWR_WR) Different Rank: 3T
Write to Write Delay (tWR_WR) Different DIMM: 6T
Read to Write Delay (tRD_WR) Same Rank: 5T
Read to Write Delay (tRD_WR) Different Rank: 5T
Read to Write Delay (tRD_WR) Different DIMM: 5T
Write to Read Delay (tWR_RD) Same Rank (tWTR): 11T
Write to Read Delay (tWR_RD) Different Rank: 3T
Write to Read Delay (tWR_RD) Different DIMM: 3T
Read to Precharge Delay (tRTP): 11T
Write to Precharge Delay (tWTP): 27T
Write Recovery Time (tWR): 16T
RAS# to RAS# Delay (tRRD): 7T
Refresh Cycle Time (tRFC): 348T
Four Activate Window (tFAW): 41T
Row: 0 - 4096 MB PC3-21300 DDR3 SDRAM G Skill F3-2666C11-4GTXD ------------
[General Module Information]
Module Number: 0
Module Size: 4096 MBytes
Memory Type: DDR3 SDRAM
Module Type: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Memory Speed: 1333.3 MHz (DDR3-2666 / PC3-21300)
Module Manufacturer: G Skill
Module Part Number: F3-2666C11-4GTXD
Module Revision: 0
Module Serial Number: 0
Module Manufacturing Date: Year: 2000, Week: 0
Module Manufacturing Location: 0
SDRAM Manufacturer: G Skill
Error Check/Correction: None
[Module characteristics]
Row Address Bits: 16
Column Address Bits: 10
Number Of Banks: 8
Module Density: 4096 Mb
Number Of Ranks: 1
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
CAS# Latencies Supported: 6, 7, 8, 9, 10, 11
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28
Supported Module Timing at 733.3 MHz: 10-10-10-26
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
Supported Module Timing at 600.0 MHz: 8-8-8-21
Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19
Supported Module Timing at 466.7 MHz: 7-7-7-17
Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Features]
Partial Array Self Refresh (PASR): Not Supported
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
Auto Self Refresh (ASR): Not Supported
Extended Temperature 1X Refresh Rate: Not Supported
Extended Temperature Range: Supported
Module Temperature Sensor: Not Supported
Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Not Supported
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): <= 1 mm
[Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
XMP Revision: 1.3
[Enthusiast / Certified Profile [Enabled]]
Module VDD Voltage Level: 1.65 V
CAS# Latencies Supported: 11
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 0.750 ns (1333.3 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 8.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 9.625 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 9.625 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 26.125 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 6.000 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 12.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 35.875 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 7.875 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 260.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 5.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Supported Module Timing at 1333.3 MHz: 11-13-13-35
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
System Command Rate Mode: 2N
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andreef
Enthusiast
Wie bekomme ich denn die hs bzw.Die kühlbleche runter ? Die crucial liessen sich einfacher abbauen aber die hier scheinen bombenfest zu sitzen. (Kamm ist schon ab)
Hintergrund:sollen wie die crucial s vorher auch unter den ekwb monarch@H2O auch wenn s sinnlos ist aber hab den nunmal da.
Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
Hintergrund:sollen wie die crucial s vorher auch unter den ekwb monarch@H2O auch wenn s sinnlos ist aber hab den nunmal da.
Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
emissary42
Kapitän zur See
Herstellergarantie ist dir egal? Verkauf deinen Monarch doch einfach?
Die Module brauchen keinen Waku-Umbau und sind nach dem Umbau praktisch wertlos (nicht ganz, aber...).
Die Module brauchen keinen Waku-Umbau und sind nach dem Umbau praktisch wertlos (nicht ganz, aber...).
andreef
Enthusiast
Hab's hinbekommen. Jo Hersteller Garantie ist mir hupe bei 40€ . Den monarch wollt ich behalten auch wenn ram Kühlung genau wie mb Kühlung sinnlos ist xD sieht sonst so leer aus und würde zuviel Verlust machen bei den türkischen Preisen 
habe gelesen man sollte die subtimings optimieren bei den dingern ? Hab da nur null plan von ram oc. Das einzigste was ich gemacht habe ist die ram Spannung auf 1.55 runter zu nehmen. Läuft auch. Noch n paar tipps zu den trident ? Sind so viele zahlen.
Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
habe gelesen man sollte die subtimings optimieren bei den dingern ? Hab da nur null plan von ram oc. Das einzigste was ich gemacht habe ist die ram Spannung auf 1.55 runter zu nehmen. Läuft auch. Noch n paar tipps zu den trident ? Sind so viele zahlen. Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
Ich zitier mal frech aus dem MP hier rüber:
Anderswo habe ich gelesen, dass Seriennummer 1500 der Samsung Bin HCH9 sind und 2500 der Samsung Bin HYK0. Letzterer dürfte auch mit mehr Spannung nicht großartig über 2400 CL9 hinauskommen, aber bei HCH9 dürfte noch Luft nach oben sein. So richtig?
Anderswo habe ich gelesen, dass Seriennummer 1500 der Samsung Bin HCH9 sind und 2500 der Samsung Bin HYK0. Letzterer dürfte auch mit mehr Spannung nicht großartig über 2400 CL9 hinauskommen, aber bei HCH9 dürfte noch Luft nach oben sein. So richtig?
Zuletzt bearbeitet:
emissary42
Kapitän zur See
Das ist doch genau was er geschrieben hat?
Beide Bins sind schlussendlich Samsung 2Gbit D-Die (K4b2G0846D) und haben das Potenzial für DDR3-2800+ CL9 mit ausreichend Spannung.
Stimmt, das kommt noch aus dem MP. Über Google hatte ich dann noch die Info gefunden, dass HCH9 wohl der bessere Bin sei. Mein Kit hat die 2500.
emissary42
Kapitän zur See
Wie viel besser sind DDR3-1333 CL9 1.50V (HCH9) als DDR3-1600 CL11 1.35V (HYK0)? Ist dieser Unterschied wirklich relevant?
Wenn man lange genug sucht, wird man sicherlich Personen finden, welche die eine oder andere Version bevorzugen. Ich kann mich erinnern, dass Sam im XS relativ spät noch mal einige 2500er getestet hatte und jedes davon problemlos DDR3-2800 CL9 mit machte.
Oh, OK, war mich nicht klar, dass solche Tests die Grundlage für die Bins sind. Das ist ja alles relativ weit entfernt von den Taktraten und Spannungen, die sonst angepeilt werden. Hängt ja dann ziemlich davon ab, wie der Speicher mit mehr Spannung skaliert.
Abgeben, hmm, nee. Ich glaub nicht, dass ich noch was besseres für DDR3 (zum vergleichbaren Preis) bekomme.
Abgeben, hmm, nee. Ich glaub nicht, dass ich noch was besseres für DDR3 (zum vergleichbaren Preis) bekomme.
andreef
Enthusiast
Also ich hab hier schon oft gelesen dass im falle einer rma das GESAMTE kit eingeschickt werden muss.
Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
Gesendet von meinem HTC One_M8 mit der Hardwareluxx App
Hm, wär natürlich blöd, naja mal abwarten ob jemannd was genaueres weis.
emissary42
Kapitän zur See
Du hättest auch direkt im G.SKILL Support Unterforum nachfragen können, wenn du eine offizielle Antwort willst: G.Skill
Es muss im Garantiefall in der Tat das komplett Kit eingeschickt werden.
![Raptor[TP]](/community/data/avatars/m/9/9829.jpg?1727091425){kind=avatar}
Raptor[TP]
Urgestein
Hy Leute - hab mir 2400 G.Skill Ares von der Frau schenken lassen
bekomme ihn aber nicht stabil.
vorhin zwar mal nach langem hin und her gerannt - CPU mit 4,2 GHz und 1,128V sowie RAM 2400 MHz und AUTO VOLT etwas über 1,65V gelaufen
Eben Rechner hochgefahren - schon wieder ins BIOS verwiesen worden ... BOOT FAILURE
Kann ich außer der CPU VCore und Voltage vom RAM sowie beider Takt noch mit irgendwas anderem Einfluss auf die Stabilität nehmen ?
Grüße
Brauch die CPU "mehr" Saft da jetzt 2400 MHz RAM statt zuvor 1600 MHz RAM laufen ?
bekomme ihn aber nicht stabil.
vorhin zwar mal nach langem hin und her gerannt - CPU mit 4,2 GHz und 1,128V sowie RAM 2400 MHz und AUTO VOLT etwas über 1,65V gelaufen
Eben Rechner hochgefahren - schon wieder ins BIOS verwiesen worden ... BOOT FAILURE
Kann ich außer der CPU VCore und Voltage vom RAM sowie beider Takt noch mit irgendwas anderem Einfluss auf die Stabilität nehmen ?
Grüße
Brauch die CPU "mehr" Saft da jetzt 2400 MHz RAM statt zuvor 1600 MHz RAM laufen ?
Moin.
habe ein ähnliches Problem wie Raptor[TP]
Habe zuvor immer 2400mhz ( 2 x 4GB Module ) mit den XMP Profilen ohne Probleme laufen gehabt mit meinem I5 4690K @ 4,5/4,2 ~1,23v .
Seitdem ich 4 von den 4 GB Modulen von den GSkill TridentX 2400 CL10 benutze, bekomme ich Sie noch nicht stabil ans laufen.
Ich kann zwar ins System booten allerdings friert mir der Rechner ein nach einiger Zeit oder startet neu.
Habe schon die CPU @ Default getestet, ohne Erfolg.
Das komische ist, am Speicher selber scheint es nicht zu liegen denn ich kann 2200mhz mit XMP Profil sogar mit 1,52v ohne Probleme betreiben.
Welche Spannungen / Timings muss ich anpassen damit ich die 2400 auch mit meinen 4 Modulen ans laufen bekomme ?
MFG Marc
habe ein ähnliches Problem wie Raptor[TP]
Habe zuvor immer 2400mhz ( 2 x 4GB Module ) mit den XMP Profilen ohne Probleme laufen gehabt mit meinem I5 4690K @ 4,5/4,2 ~1,23v .
Seitdem ich 4 von den 4 GB Modulen von den GSkill TridentX 2400 CL10 benutze, bekomme ich Sie noch nicht stabil ans laufen.
Ich kann zwar ins System booten allerdings friert mir der Rechner ein nach einiger Zeit oder startet neu.
Habe schon die CPU @ Default getestet, ohne Erfolg.
Das komische ist, am Speicher selber scheint es nicht zu liegen denn ich kann 2200mhz mit XMP Profil sogar mit 1,52v ohne Probleme betreiben.
Welche Spannungen / Timings muss ich anpassen damit ich die 2400 auch mit meinen 4 Modulen ans laufen bekomme ?
MFG Marc
Raptor[TP]
Urgestein
bei mir hat sich es erledigt - RAM geht zurück 
Dafür die STEAM-Box
mehr Nutzen
Dafür die STEAM-Box
mehr Nutzen
emissary42
Kapitän zur See
In der Regel VCCIO/VCCSA.
Sonst gilt allgemein: Erst das XMP laden und auf Stabilität prüfen, dann die CPU ausloten.
Edit: Wenn du deine Kits zeitlich mit großen Abstand gekauft hast, prüfe auch mal ob beide doppelseitig mit ICs bestückt sind.
Raptor[TP]
Urgestein
Narf ... mein RAM war ein Geschenk (natürlich vor mehr als 14 Tagen gekauft) .. jetzt bekomme ich Ersatz - statt der Kohle
@ marc - nrw
kannst ja mal berichten ob du Erfolg hattest - und was du verändert hast
Ich werde den Austausch-RAM auch testeb, wenn er kommt
@ marc - nrw
kannst ja mal berichten ob du Erfolg hattest - und was du verändert hast
Ich werde den Austausch-RAM auch testeb, wenn er kommt
Hmm ich habe tatsächlich ein single sided Kit erwischt.
Das alte ist Doppelseitig bestückt.
Veränderung der Spannung bringt keinen Erfolg.
Mit vier Modulen laufen nur "2200"mhz stabil.
Reicht natürlich, allerdings waren die 2400 mhz schöner.
emissary42
Kapitän zur See
Das Single Sided Kit braucht auf Grund seiner ICs mit höherer Speicherdichte andere/laschere Subs als dein altes DS Kit. Also erst das neue Kit einbauen, das XMP aktivieren und dann die entsprechenden primären und sekundären Timings manuell setzen, bevor du dein altes Kit dazu steckst. Eine Garantie dafür, dass beide Kits problemlos zusammen laufen gibt es zwar nicht, aber mit der Methode hatte ich schon einige Male Erfolg.