[Guide] HowTo get my Haswell & Devil's Canyon stable - Guide und Full Custom Liste

@ Groove87

Du meinst sicher die tRAS?
Meine Samsung Chips können ohne Probleme 21 sogar 18 @ CL9.
Da es bei dir nicht funktioniert, ist es auch nicht tragisch eine tRAS von 28 zu fahren. Das macht in der Performance keine großen Unterschiede.
Asus Boards brauchen in der Regel etwas mehr Agent und VTT. Gerade mit Vollbestückung kann etwas mehr Agent nötig sein.
Die empfohlenen Differenzen sind User Erfahrungen. Ich hatte auf Haswell nie Asus, würde aber auch dort selbst meine Erfahrung sammeln.

@ Dampfkanes

bei Sockel 2011-3 kann ich nicht mit Erfahrung dienen, aber ich könnte mir Vorstellen, dass man auch hier einzelne Kernaussteiger, mit SA/IO Kombi in den Griff bekommen kann.
Bei manchen Chips kann man da jedoch drehen wo man will, letztlich liegt es nur an der Vcore.
 
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@Wernersen
Danke für die Info. Das bringt mich auf die Idee, mir den RAM auch mal mit Memtest näher anzuschauen. Vielleicht komme ich dadurch eher auf die Schliche, ob nun vielleicht der RAM vielleicht etwas mehr Spannung braucht (mich hatte zu S1366-Zeiten mal ein Kit recht lange genarrt bzw. das Board, weil real weniger Spannung anlag, als im Bios eingestellt war und weil der RAM etwas mehr gebraucht hat, als spezifiziert war) oder ob es an Spannungen in der CPU liegt (SA/IO oder Vcore)
 
Wernersen schrieb:
Meine sind 2400C9 TridentX, die oben heraus zum Benchen spitzen mäßig laufen.
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2400MHz CL9 machen die Riegel @ 1.625Vdimm - SA -0.100 - IO a +0.030 d +0.025
Zum Vergrößern anklicken....
Also meine machen CL9 nur bei 2133 MHz (ab Werk).
Bei 2400 MHz mit CL9 kann ich nicht mal anständig ins BIOS rein - Freezes. Und das bei 1.65 V.
Deswegen habe ich CL10 für 2400 MHz ausgewählt.
Wernersen schrieb:
Asus Boards brauchen in der Regel etwas mehr Agent und VTT. Gerade mit Vollbestückung kann etwas mehr Agent nötig sein.
Zum Vergrößern anklicken....
Ich habe 21 Stunden custom @ 1.586 V bei 2400 MHz (10-11-11-27-1T) erfolgreich abgeschlossen.
Vollbestückung mit Agent und VTT auf auto (minimum 0.818 und 1.117/1.117 analog/digital).

Macht das Sinn VTT mit +offset zu erhöchen um zu versuchen tRAS von 27 auf niedrigere Werte runter zu bringen?
Kein Bedarf Agent mit +offset zu erhöhen, da 21 Stunden custom bestanden und nach meinem Verständnis nur für Vollbestückung verantworlich und hat nichts mit Latenzen und Takt zu tun?
 
Zuletzt bearbeitet:
Ich glaube nicht, dass das klappt.
Was Du aber probieren kannst ist eine negative Agent.
Ich kann -100mV fahren, manche sogar -150mV.
 
Wernersen schrieb:
Ich glaube nicht, dass das klappt.
Was Du aber probieren kannst ist eine negative Agent.
Ich kann -100mV fahren, manche sogar -150mV.
Zum Vergrößern anklicken....
Das heißt, dass Agent separat von VTT geregelt werden kann.

Kannst du mir auch die minimale Agent Spannung verraten, die dir mit -0.100 mV offset in HWiNFO64 unter Last angezeigt wird?
Und auch die minimale 4.5 GHz Cache Spannung, die dir in HWiNFO64 unter Last angezeigt wird.

So dass ich einige Richtwerte habe.

Gibt es andere Möglichkeiten (in meinem Fall), die Core Spannung runter zu kriegen, auser die Input hoch genug oder mit Reserven nach oben zu fahren?

Werde sowieso die Input auf minimaler Wert runter bringen (mit min. 400 mV Abstand zur Core), sobald ich die min. Cache und danach Core Spannungen gefunden habe.

Danke :-)
 
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Wird nicht angezeigt von HWInfo bzw. kann keine Voltage erkennen, die die Agent sein könnte.
Nur ein Wert mit ~800mV wird angezeigt, passt aber nur zur VTT DDR.

Mein Chip braucht 1.184VRing @ 4500MHz Cache.

SA und VVT werden auf jeden Fall beiden unter 1V @default angesetzt.
Rechnerisch dann nur -100 oder 150mV abziehen.
 
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Wernersen schrieb:
Wird nicht angezeigt von HWInfo bzw. kann keine Voltage erkennen, die die Agent sein könnte.
Nur ein Wert mit ~800mV wird angezeigt, passt aber nur zur VTT.
Zum Vergrößern anklicken....
Bei mir wird die Agent Spannung vom mainboard Sensor als VCCSA (System Agent) ausgelesen.

Untitled1.jpg
 
Dann teste ich mal die 2600MHz Ram auf dem P1.90

 
 
 
Habe bei mir 2600 MHz (11-12-12-27-1T) @ 1.65 V probiert - sofort reboot.
Werde bei 2400 MHz (10-11-11-27-1T) @ 1.586 V bleiben.
 
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2750 Ram läuft auch....



 
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Hi,

da der Guide bisher auch bei meinem Broadwell-E Sinn ergeben hat, habe mein Glück jetzt doch nochmal mit Prime Custom (aktuell erstmal wieder mit v26.4) und einer RAM-Nutzung von ca. 60GByte probiert.

1. Test
RAM von 1,36 auf 1,37 erhöht -> keine Änderung (daher dann wieder zurück auf 1,36V)

2. Test
VCCIO von 1,21 auf 1,22 -> keine Änderung (Ausstieg von 1-2 Kernen nach 2-5 min)

3. Test VCCIO von 1,22 auf 1,23 -> keine Änderung (Ausstieg von 1-2 Kernen nach 2-5 min)

4. Test VCCI0 nun auf 1,19 reduziert -> es hat sich etwas geändert
Nun ist der erste Kerne nach 32min ausgestiegen und bis ich es gemerkt habe, waren 6 Kerne ausgestiegen (der letzte nach 44min)
Es liefen gerade 720K

Ich habe dann den Custom mit 60Gbyte und nur 720K angeworfen und es gab relativ zügig Kernaussteiger.

5. Test VCCIO wieder auf die 1,21V (so war es bei 24h Custom und den anderen Tests bei normaler RAM-Nutzung stabil)
Damit liefen dann auch wieder die 720K (ich habe allerdings abgebrochen, nachdem klar war, es steigt nun nicht mehr direkt aus)

6. Test nun wieder Custom mit 60GByte -> Kernaussteiger nach ein paar Minuten


Erkenntnis:
wenn ich die VCCIO reduziere, dann würde Custom mit 60GByte bis zur Größe 720K laufen, steigt dann aber aus.
Mit dieser Einstellung laufen 720K gar nicht.
Stelle ich VCCIO wieder hoch, so laufen 720K mit wenig RAM. Mit viel RAM steigts aber zu Beginn aus.

720K werden ja zum Ausloten der VTT-Spannung genutzt. Im Bios hab ich dazu nichts gefunden. Mit HWInfo ausgelesen läuft VTT immer mit dem Wert von VCCIO

Wo nun anpacken?
Im Guide wird bei sehr schnellen Aussteigern die Agent-Spannung genannt. Bei 60GB würden sie ja schnell aussteigen.
Mit dem Agent dann eher hoch, oder runter?

Laut Anzeige im Bios liegen 1,248V an (eingestellt auf 1,3V). In HWInfo wird die Spannung leider nicht angezeigt.

VCCIO und VTT würden auf 1,21 stehen, damit die 720K laufen.
VCore auf 1,31V
VCCIN auf 1,824V
VRing auf 1,15V
 
Was selektiv lief ist die Basis.
Bei höherem Ram-Takt muss ich bei SA +16mV und IO a +30mV d +25mV bleiben.
Dort funktioniert die negative SA nicht mehr, oder die Vdimm war noch zu niedrig.
Das muss ich noch gegentesten.
Die Vdimm ist der Schlüssel. Das funktioniert aber nur mit Ram die auf Vdimm skalieren.

Zeig mal deine Timings.
 
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Einwandfrei :bigok:

4750/4500/2750MHz non FMA3 Custom-Stable

 
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Solche Samsung Chips wurden schon 1 Jahr lang mit 2V betrieben.
Macht dem Ram überhaupt nichts, dem IMC Chip übrigens auch nicht.

Gerade eine zu hohe VRing oder SA/IO kann jedoch schnell Schaden anrichten.

Meine TridentX können scharfe 2880 CL9 @ 1.95Vdimm, wo die meisten anderen Kits fast 2.1V brauchen.

Hohe GB/s Durchsätze in Aida sind im übrigen nicht das ausschlaggebende an einem performanten Ram-Setting.
Die Latency reist es raus. Dieses 2750MHz Setting ist deutlich agiler.
Merkt man wie die Anwendungen schneller starten.
 
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Hammer Setting, Hammer RAM und Hammer i5 4670k :hail:

2750 10-12-12 hat in all den Jahren noch keiner Custom Stable gezeigt.

@Groove87: Guter RAM skaliert mit mehr Spannung, schlechter wird instabil. Meine Corsair Platinums mit Samsung ICs sind bis 2.4V VDIMM skaliert, damit waren auf dem Gigabyte Z97 SOC FORCE 3070 CL9 drin.


Werners Setting habe ich allerdings mit diesem Speicher nie stable bekommen.
 
Danke Moritz :bigok: deine Anregung mit dem 125er BCLK macht es möglich.

Ab 2600MHz geht es leider nicht mehr mit tRDRD 4 was einen gigantischen Performance-Schub bringen würde.
Aber auch mit tRDRD 5 ist das Setting gefühlt agiler.

Vdimm und Vcore kann ich wahrscheinlich sogar noch ein bissle senken.
Das waren Schätzungen bis keine Kerne mehr ausstiegen.

BCLK 100 @ 2800MHz werde ich noch checken....
 
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Meine sind Dominator GT (Dez. 2011) 4x4 GB 2133 MHz (9-11-10-27-2T) @ 1.5 V "CMT16GX3M4X2133C9".
Ob Samsung oder Elpida, weiss ich nicht (
 
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Das sind sehr wahrscheinlich auch Samsungs. Revision 4.13 steht auf den Modulen drauf, wenn es welche sind.
 


Gleich mal Custom checken.

Bin schon +90mV für 50MHz dann freezed, lief aber schon ne Weile.



kurz darauf wieder Kernaussteiger....wird wohl schwer mit 2800 Ram
 
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Ja, meine kommen mit Samsung 2Gbit D-Die chips rev.4.13.
Sind die noch gut? Weil die ziemlich alt sind.
 
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Die sind sehr gut.
Mit den richtigen Timings rocken die Teile.
Falls die 2600MHz mit tRDRD 4 laufen ein Knaller.

Bin jetzt für die 2800/50MHz mehr schon bei 1.85Vdimm und die Kerne fliegen noch raus.
Lass das jetzt erst mal sein....
 
Damals hab ich für die glaub ich mehr als 300 € oder sogar fast 400 € bezhalt.
Wurden mit dem Phenom II x4 3.8 GHz betrieben und NB 5200 MT.
Dann mit dem i5-760 4.0 Ghz NB 4800 MT.
Und seit Juni 2014 mit dem 4790K )))
 
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Wie erwähnt mögen die Samsung es scharf und laufen dann umso besser.
Deshalb lade dir den Timing-Configurator herunter und zeig mal deine Timings.
Auf dem Maximus Hero sollte auch was gehn.
 
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