[Sammelthread] Micron 8GBit E-Die DDR4

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Ich habe heute mal 2 Kits von Crucial Ballistix Sport LT mit CL15@3000 MHz (2x8GB) jeweils pro Kit übertaktet.
Dabei kam raus, dass ich bis 3600 MHz 17 20 20 40 @1,35V gehen konnte. Weiter habe ich nicht getestet.

Ich habe außerdem festgestellt, dass die Speicher bei 3466MHz Cl17 eine höhere Leistung als bei 3600MHz Cl17 bringen.
Woran kann das liegen?

Die Kits zusammen also 4x8GB zu übertakten ist anscheinend nicht so einfach. Da brauchen die Speicher mehr Spannung wie es scheint. Da muss ich mich nochmal mit beschäftigen. Momentan laufen 4x8 GB @ 3466 MHz nicht so stabil wie ich will.
 
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1,35V sind für Micron E-Die eher im unteren Bereich. Irgendwo knapp über 1,40V beginnt der "Spaß". Da ist jedes Kit dann aber etwas unterschiedlich.

Dass du mit mehr Modulen mehr Spannung brauchst, kann schon sein. Da sind dann aber auch die CPU-Spannungen VCCIO und VCCSA interessant.

Dass der Speicher bei DDR-3466 CL17 eine höhere Leistung bringt als bei DDR-3600 CL17 wird wahrscheinlich daran liegen, dass dein Mainboard die Subtimings bei letztgenannter Einstellung "übermäßig" entschärft.

EDIT:
Bei mir laufen 4x8GB z.B. bei DDR-3700 mit 14-19-19-36 und gestrafften Subtimings absolut stabil. Dazu brauche ich aber auch erhöhte Spannungen, die ich bisher noch nicht absolut an die Grenze gesenkt habe (VDDR ca. 1,50V, VCCIO/VCCSA jeweils ca. 1,27V).
 
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Ich hab mal die letzten Tage noch ein 3466er Profil ausgearbeitet.
Möglicherweise ist noch Luft bei dem einen oder anderen Timing, aber ich bin damit schon recht zufrieden. Vor dem anziehen der Timings war 1,42v die Grenze wo Fehler kamen, darum die 1,44v.

MSI X470 Gaming M7
Crucial Ballistix Sport LT BLS2K16G4D30AESC (2x16GB) @ DDR4-3466 14-17-14 1.44V

Anhang anzeigen 469172
Vielen Dank! Ich hab meinen E-Die heute bekommen und deine Werte in Kombination mit dem 2700X sind ein guter Anhaltspunkt für mich. Habe unabhängig davon davor 3466 MHz bei CL14-17 als Limit von meinem Setup (2700X + X470 Taichi Ultimate) herausgefunden. Werde meine Werte dann posten, wenn ich das Kit fertig optimiert habe.
 
Hallo zusammen,

ich habe ein neues System (3700x, Gigabyte x570 Aurora Pro (F10) und Crucial Ballistix Sport LT 2x16GB CL15).

Ist es normal das der Ram im Bios als Unknown angezeigt wird?

Ist bei mir mit dem X570 Ultra und 4x 16GB Ballistix 3200CL16 nicht anders, unter SPD Info sieht man aber die kompletten Daten.
 
So, bin nun endlich fertig mit Optimieren.

Setup:
  • 2700X mit 1,08V SOC
  • ASRock X470 Taichi Ultimate mit Bios 2.00 (PinnaclePi 1.0.0.6)
  • Crucial Ballistix Sport AT 3200 MHz CL16 2x16GB (BLS2K16G4D32AEST)
Ergebnis:
3466 MHz CL14-17-14-34-52-498 @ 1,48V
2700X E-Die 3466C14 10000.png
Falls jemand Ideen zum weiteren Optimieren hat, nehme ich diese gerne an ;)
 
Starker tRFC Wert! Das erklärt dann auch die höhere Vdimm. Sehe auf Anhieb nichts was man noch optimieren könnte.
 
Mit 1,075V SOC und tRFC 496 hatte ich bei 2600% RAM Test einen Fehler bekommen. Hatte dann ehrlich gesagt keine Lust mehr nochmal zwei Mal mehrere Stunden zu erproben/warten, ob SOC oder tRFC verantwortlich war. Bei tRFC 490 bootet das Kit noch, aber sofort Bluescreen :d
Bezüglich Spannung:
Habe das Video von Buildzuid angesehen, der festgestellt hat, dass Micron E-Die im Gegensatz zu Samsung B-Die nicht temperaturempfindlich ist. Deswegen hab ich mich dann entschieden mit der Spannung an das 24/7 verträgliche Maximum zu gehen :)
 
Habe das Video von Buildzuid angesehen, der festgestellt hat, dass Micron E-Die im Gegensatz zu Samsung B-Die nicht temperaturempfindlich ist.
Stimmt jedoch nicht für alle Kits, es gibt Ausnahmen. Kühler ist grundsätzlich besser, wenn trotz hoher Spannungen auch die Haltbarkeit eine Rolle spielt.
 
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Seite 1 in diesem Thread, dort in den Datenblättern der Hersteller, da steht dass mit den bis zu 1,5V
 
So ich hatte hier schon mal vor paar Wochen versucht meine Ballistix 3000@CL15 unter Intel zu übertakten. Mehr als 3400@CL16 waren aber nicht möglich. Jetzt habe ich seit gestern ein AMD System und bis jetzt lief es da auch nicht viel besser. Hatten gestern schon sehr viel getestet aber alles über 3600 brachte Erros mit Kahu. Derzeit teste ich 3600. Hatte auch ganz kurz mit dem DRAM Calcualtor getestet auch wenn der für E-Dies nix bringen soll mit 3400 Werten aber da wollte das Board nicht mal booten was schon sehr ernüchternd war.

Hier mein aktueller Test:

2019-12-19_193407.png


Edit: nach 3 Stunden error. Und weiter testen.
 
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@Scoty
Bist du zufällig Schrotty aus dem Discord :d? Denke 3666 oder höher ist möglich aber dann muss man etwas anders ansetzen und auch viel Zeit mitbringen.
 
Ja bin ich. Versuche es mal auch hier da im Discord es schon zu viel wurde für viele. Und mehrere Quellen schaden ja nicht.
 
versuchs mal mit etwas weniger ProcODT. Mein Kit fühlt sich im 3600-3733 Bereich am wohlsten mit 32Ohm. Vielleicht reicht das schon um dein Setting zu stabilisieren.
 
Bin schon weiter und inzwischen konnte ich 10.000% und dann 5000% im Karhu erreichen was laut Discord man dann als Stable bezeichnen kann.

Edit war dann doch nicht stabil denn bei einen weiteren Test kamen Errors. So viel dazu das 2 Karhu Läufe reichen.
 
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Hallo,
hat jemand ein zufällig ein Setup für eine Ryzen 3600 CPU und MSI Tomahawk?

für 2x 8 GB DDR4-3200 DIMM CL16

Vielen Dank :)

 
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Könntet ihr bitte mal schauen ob ihr unter Windows 10 WHEA ERROR Einträge unter Ereignisse / Administrative Ereignisse habt im Zusammenhang mit ram oc?
 
Ich habe das beim RAM OC und generell beim OC immer im Auge. Mit meinen aktuellen Einstellungen (DDR4-3700 14-19-19) keine WHEA ERRORS.
 
Ich habe nähmlich dutzende whea 18 und 19 seit ich mit ram oc begonnen habe. Immer ab 3733, darunter nicht. und die schweren 18 waren immer mit reboots verbunden. Wenn ihr reboots hattet aber keinen whea danach kann es das oc alleine aber nicht sein.
 
Hallo Hardwareluxx-Freunde.

Ich bin kompletter Anfänger in RAM OC. Ich hatte in letzten Tagen hier und im bekannten Nachbarforum viel gelesen und die ersten Versuche in RAM OC gemacht.

Vor paar Monaten habe ich mich Crucial Ballistix Elite DIMM Kit 32GB, DDR4-4000, CL18-19-19 (BLE4K8G4D40BEEAK) geholt: https://geizhals.de/crucial-ballistix-elite-dimm-kit-32gb-ble4k8g4d40beeak-a2106864.html Nach viel lesen in letzten Tagen, komme ich zum Schluss, dass ich wahrscheinlich schon besser ein wenig mehr bezahlt hätte und 4000er B-Die von Samsung gekauft hätte, aber Ok, der Kit ist halt schon da und die erste OC-Ergebnisse mMn als Anfänger sehen erst nicht so schlecht.

4000er XMP-Profil hat schon seit Monaten ohne Probleme funktioniert, hier mal AIDA64-Benchmark von XMP Profil:
4000 (18-19-19-39):
4000.png

Gestern habe ich mit OC-Angefangen und denn ganzen Tagen verschiedene Variante bei Takt und Latenzen probiert (unglaublich wie schnell die zeit dabei vergeht :)), halt was hier mehr bei geladenem XMP-Profil geht. Dabei die Spannung Vdimm auf 1,45V sowie SA/IO auf 1,25V erhöht und MRC Fast Boot deaktiviert.

Mit XMP-Latenzen (18-19-39) konnte ich 4x8Gb bis 4200Mhz starten und in Windows kommen, bei AIDA64 RAM Benchmark ist es aber abgestürzt. Mit 4200 und 18-20-40 konnte ich AIDA64 Benchmark ohne Probleme durchführen. Auf Stabilität war es erstmal nicht getestet, wollte mal gucken, was überhaupt geht:
4200 (18-20-40):
4200.png

Nach weiteren diversen Versuchen bin ich am Ende bei 4300 mit 18-21-21-41 gelandet:
4300 (18-21-41):
4300.18-1.png

Ohne Anpassung von sekundären Timings ist es erstmal knapp über eine Stunde Karhu-Test ohne Fehler bestanden. Es ist mir klar, dass es als endgültige Stabilitätstest nicht ausreichend ist, bin aber erst noch beim Probieren.
4300 (18-21-41):
4300.18-2020-01-02-n.jpg

4400 konnte ich nicht booten, auch nicht mit 20-22-42 und Vdimm 1,5V sowie IO/SA 1,3V - mehr wollte ich nicht probieren, da u.a. die Spannung will ich schon moderat halten und Latenzen gegenüber 4300 mehr zu lockern, hat wahrscheinlich in dem Fall auch keinen Sinn gehabt.

Als nächster Schritt will ich mich mit sekundären Timings auseinandersetzen, die ersten Tests waren aber leider noch nicht wirklich erfolgreich. Nach 5-15 Minuten kommen die ersten Fehler in Karhu, aber AIDA64 Benchmark sah schon sehr gut mMn, oder?:
4300 (18-21-41 mit opt. Sub-Timings) noch nicht Stabil:
4300.18-2(sek.timing-optim-1.1).png


Ferner habe ich noch hier in Forum nur ein paar mal gelesen, dass man bei RAM OC Round Trip Latency in Bios DDR4 Training Optionen aktivieren soll. Falls ich es auf "enabled" stelle, braucht PC manchmal sehr lange (2-3Min) nur für Booten von UEFI. Mit optimierten Sub-Timings (die aber noch nicht stabil sind), wollte PC paar mal nicht mal booten. Wenn ich es auf Auto stelle, startet es dann sehr schnell und ohne Probleme. Muss es dann trotzdem auf Enabled stehen, bringt es viel? Ich habe versucht, dazu was im Internet zu finden, habe aber lieder nicht wirklich was gefunden.

Falls Ihr weitere konstruktive Meinungen zu meinen ersten RAM-OC Versuchen habt, wäre ich Euch dafür sehr verbunden. :)
 
Zuletzt bearbeitet:
Irgenwie habe ich mit 4300 (18-21-41) Problem solange Round Trip Latency auf enabled steht. Ein paar mal wollte PC gar nicht booten und es wurde BIOS in SAFE-Modus gestartet. Ich habe dann mit 4200 ein wenig rumprobiert und bin bei 16-20-40 mit Vdimm: 1,45v und IA/SO: 1,2V in Bios gelandet. Ohne optimierte Subtimings scheint es erst stabil zu laufen. Heute ist Karhu 2 Stunden ohne Fehler gelaufen, ich habe es aber nach paar Stunden leider zufällig abgebrochen. Ich werde es dann am WE nochmal mit 7000% Deckung probieren. Mit 4200 und 16-19-40 oder 16-20-39 kommen in Karhu schon in ersten 3-8 Minuten die erste Fehlern. Mit 4200 (16-20-40) bootet PC auch mit Round Trip Latency ohne Probleme. Mit Late Command Training auf Enabled wollte PC aber nicht mehr booten. Ich habe es wieder auf Auto gestellt.

So sieht es aktuell mit 4200 (16-20-40) ohne optimierte Subtimings:
4200-16-20-40_v2.png
 
Ich habe jetzt viel probiert, aber wenn ich mehrere Subtimings geändert habe, konnte Karhu Test nicht bestanden werden. Am Ende habe ich nur ganz wenig geändert: Takt auf 4100 angehoben, tCL auf 16, dann nur noch tREFI und tRFC manuell angepasst und im Vergleich zu XMP durch diese Werte schon einiges rausgeholt. Am Ende werde ich erst so lassen, aktuell kaum Zeit wegen der Arbeit sich damit mehr auseinander zu setzen. Muss nur noch der richtige Spannung finden. Mit VDIMM 1,45 wurde Karhu Test bestanden, mit 1,4V Fehler nach wenige Minuten erhalten.

Aktuelles Ergebnis 4100 (16-19-39):
4100-16-19+32767+600+XMP=tesk_ok-1.2.v-n.jpg

Übrigens hat Crucial heute angekündigt, dass die Ballistix Serie erneuert wird, man bleibt aber bei hauseigenen E-Die von Micron. U.a. wird Ballistix Max Serie ein Ram mit 4400MHz und CL18 vorhanden sein. https://www.hardwareluxx.de/index.p...llistix-ram-und-externe-ssd-zur-ces-2020.html Bin gespannt welche Zahlen da noch nach 18 kommen. Auf der Seite von Crucial läuft schon der Countdown zum Verkauf: https://www.crucial.de/deu/de/gaming-memory In knapp mehr als 26 Tagen sollte neue Speicher erhältlich sein
 
Zuletzt bearbeitet:
@Vitaminus
Bin jetzt kein Intel Experte aber CL16-19-19 bei 4100 sehen doch sehr gut aus. Nicht alle schaffen solch eine niedrige tRCD bei hohem Takt.
 
Es könnte gut sein, dass du durch "opfern" von tRCD und tRD die Subtimings straffen kannst und am Ende ein noch besseres Ergebnis heraus kommt.
 
Hallo Leute. Danke für Eures Feedback. Ich werde dann am WE tRCD genau angucken und ausprobieren was beim entschärfen von tRCD eventuell noch möglich wäre.
 
Und immer daran denken, dass dein Board nicht optimal für hohen Takt ist. 4100 finde ich da schon gut mit 2 Riegeln.
Für mehr Takt musst du auf 4 Module gehen da T-Topology.
 
Danke, Bob. Ja, ich weiß. Es sind aber 4x8GB Riegel, sieht man ja oben links in ASRock Timing Configurator (rechts im Screenshot), hast Du bestimmt nur übersehen.
 
@Bob_Busfahrer
Ich glaube du hast da auch gerade einen kleinen Denkfehler oder unglücklich ausgedrückt. Bei T-Top bekommt man mit 4 Riegeln keinen höheren Takt als mit 2 Riegeln.
 
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