@sledhammer
Dir ist bewusst, dass Du Dich in einem
Ryzen thread befindest? Wir können nur Einfluss auf tRFC (
refresh cycle time) nehmen und da gilt - je niedriger desto schneller. tREFI enzieht sich unserer Kontrolle.
Die Frage ist (ja man könnte mit nem Multimeter nachmessen wenn man eines hätte) wem ich glauben darf: Dram Voltage 1.384v oder Dram Voltage (VRM) 1.4v ? Ich würde sagen der niedrigere Wert ist der tatsächliche oder?
Verlass Dich nicht auf die Sensoren, sondern lieber auf die Werte, die Du im BIOS eingestellt hast. Ich hab zwei C6H hier. Der Sensor des einen gibt fast exakt die eingestellte Spannung aus (0.002v niedriger), der des anderen bescheinigt heftiges Overvolting (z.B. 1.495v statt eingestellten 1.44v). Der RAM verhält sich aber bei beiden Boards exakt gleich auf Basis der im BIOS eingestellten vDIMM. Das kann nur bedeuten, dass der Sensor des Overvolters ungenau bzw. mit einem dicken Offset misst. Da das Overvolter Board mein erstes war, hatte ich anfänglich die Befürchtung, dass die tatsächlich anliegende Spannung viel höher als die eingestellte wäre. Das hatte sich aber schnell erledigt, da die Ergebnisse einfach nicht zu den hohen Spannungen gepasst haben. Seitdem ignoriere ich die von den Sensoren ausgegebenen Werte.
Im C6H thread auf oc.net haben auch einige die Messpunkte auf dem Board mit einem Multimeter genutzt. Soweit ich mich erinnern kann, waren auch diese Messungen wenig aufschlussreich/verlässlich.
Hast Du denn mal die scharfen Timings ausprobiert, die ich Dir damals geschickt habe (tRAS, tRC, tWTRL, tWR). Das mag paradox klingen, aber ich hab gerade erst wieder und nicht das erste Mal die Erfahrung gemacht, dass wenn ich die Timings entschärfe, der RAM instabiler wird. tRFC, tRDRDSCL und tWRWRSCL sind davon ausgenommen.
Zu VDDP hat The Stilt vor langer Zeit
Folgendes geschrieben:
In case anyone finds their RAM passing Memtest and other RAM intensive workloads (such as Linpack), but failing during gaming or while having high amounts of M.2 traffic: Try decreasing VDDP (not to be confused with CLDO_VDDP or VDDP Standby) to 850mV (855mV).
Basis war dabei 900mv.
@Reous
Fantastische Ergebnisse mit den neuen Hynix ICs.
Wer hätte gedacht, dass DDR4-3800 auf Ryzen jemals möglich sein wird.
Sind die Subtimings denn schon durchoptimiert?
@L!ME & Reous
Haltet uns auf dem Laufenden bzgl. Eurer Erkenntnisse mit den Widerständen. Vlt. lassen sich da ja ganz neue Empfehlungen extrahieren.
Meine eigenen Experimente haben jenseits der Standardwerte nie Verbesserungen gezeigt. Allerdings hab ich die Drive Strength Werte dabei immer etwas stiefmütterlich behandelt und nie einen Zusammenhang mit dem Terminationswiderstand (procODT & Rtt) gesehen. Mal waren für einen OC niedrigst mögliche Ohm zielführend (20-20-20-20), mal hohe Widerstände (30-30-40-60) und ein ander mal mittlere Werte (30-30-30-30). Die einzige vage Gesetzmäßigkeit, die ich bisher dachte ableiten zu können, war dass bei besonders hoher vSOC die Drive Strength Werte eher niedrig zu halten sind.
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Nichts für Ungut, jeder darf natürlich an allem rumbasteln und testen solang es die Bastellust befriedigt, aber manchmal sollte man auch bisschen reflektieren und die Zeit für was besseres nutzen
Ich lenk mich durch die Bastelei ab, um nicht ständig reflektieren zu müssen.
