Samsung SSD 860 QVO im Test

QLC überzeugt noch nicht - Die Samsung SSD 860 QVO im Detail

Was Intel nicht gelungen ist, hat auch Samsung nicht geschafft: Die Koppelung der QLC-Technik mit 96-Schichten-NAND-Flash. Das darf als finale Bestätigung dafür gewertet werden, dass alle Hersteller von NAND-Flash Probleme bei der Fertigung haben, bzw. die Ausbeute zu gering für preiswerte Consumer-Laufwerke ist. Entsprechend steckt in der SSD 860 QVO wie auch in der SSD 860 EVO und PRO der bekannte, als V-NAND v4 bezeichnete 3D-NAND-Flash mit 64 Schichten - sieht man einmal von der höheren Kapazität pro Zelle ab.

Und auch an anderen Stellen trifft man auf bekannte technische Daten und Parallelen. Da wäre beispielsweise der hauseigene Controller Samsung MJX, zu dem es auch ein Jahr nach dessen Start weiterhin kaum Informationen gibt. Klar ist, dass er über acht Kanäle verfügt und LPDDR4-Cache sowie SATA 6 Gbit/s unterstützt. Hinzu kommen TRIM, AES 256 und TCG OPAL 2.0. Beim DRAM-Cache bleibt Samsung der Regel „1 MB pro GB SSD-Kapazität" im wesentlichen treu. Entsprechend verfügt das 1-TB-Modell über 1 GB DRAM-Puffer etc.

Einer der größten Schwachpunkte des Intel SSD 660p ist die - auf dem Papier - geringe Haltbarkeit ausgehend von den offiziellen TBW-Werten. Doch schon zum Zeitpunkt der Vorstellung war klar, dass dies nicht allein auf die verwendete QLC-Technik zurückzuführen ist. Zwar gelten diese Zellen als weniger haltbar, doch nahezu parallel angekündigte QLC-SSDs weisen teilweise deutlich höhere Werte aus. Zu letzterer Gruppe gehört auch die SSD 860 QVO. Das bedeutet aber nicht, dass Samsung ein großes Lob gebührt. Denn mit 360 TB bei der 1-TB-Variante (720 TB/2 TB, 1,44 PB/4 TB) landet das neue Modell ebenfalls am unteren Ende, gegenüber Intel liegt das Plus nur bei 80 %. Die SSD 860 QVO erlaubt davon abgesehen einen guten Vergleich der Haltbarkeiten. Denn die technische sehr ähnliche SSD 860 EVO erreicht um 66 % höhere TBW-Werte und landet somit im Mittelfeld der bislang getesteten SSDs.

Zu beachten ist aber auch beim neuen Modell, dass das Erreichen der TBW-Grenze nicht mit dem sofortigen Ausfall der SSD einher geht. In der Praxis werden oftmals weitaus höhere Schreibraten erreicht, bevor es zu Problemen kommt. Entsprechend dürfte bei der SSD 860 QVO die Garantie aus einem anderen Grund verfallen. Denn Samsung gewährt nur einen dreijährigen Zeitraum, wohingegen Intel fünf Jahre bietet. Die MTBF wird mit den üblichen 1,5 Millionen Stunden angegeben.

Angesichts der TBW-Werte wirkt es beruhigend, dass es keine kritische Temperaturentwicklung gibt, die sich negativ auf die Haltbarkeit auswirken könnte. Wie bei fast allen 2,5-Zoll-SSDs sorgen die geringe Leistung sowie das im Vergleich mit M.2-Modellen größere PCB für angenehm niedrige Werte. Unter Volllast, simuliert durch sequenzielles Schreiben, wurden in der Spitze 40 °C erreicht - eine Temperatur, die schnelle NVMe-SSDs oftmals bereits im Leerlauf aufweisen. Da Samsung die kritische Grenze, ab der gedrosselt wird, bei 70 °C festgesetzt hat, bleibt eine Reduzierung der Schreibrate (ca. 500 MB/s) aus.

Bei der SSD 860 QVO setzt Samsung wenig überraschend auf einen SLC-Cache. Das soll die Performanceschwäche der QLC-Technik, die das Unternehmen selbst einräumt, ein Stück weit ausgleichen. Wie schon bei der EVO-Schwester kommt dabei die als Intelligent TurboWrite bezeichnete Eigenentwicklung zum Einsatz. Die besteht aus zwei Teilen: einem 6 GB fassenden Standard-Puffer sowie einem dynamischen Puffer, der je nach Variante 36 oder 72 GB zusätzlich bietet. 

An der Arbeitsweise hat Samsung gegenüber der SSD 860 EVO nichts geändert. So analysiert die SSD, wie groß die zu schreibende Datenmenge ist und reserviert, falls es mehr als 6 GB sind, eine entsprechende zusätzliche Kapazität auf dem Laufwerk. Sollen beispielsweise 20 GB geschrieben werden, kommen der 6 GB große Standard-Puffer sowie 14 GB aus der dynamischen „Reserve" hinzu. Dabei spielt es dem Test zufolge keine Rolle, ob die zu schreibende Datenmenge von Anfang an feststeht (Schreiben einer großen Datei), ob sich die Menge im Verlauf des Transfers verändert (Start mit einer 10 GB großen Datei und anschließendes Hinzufügen einer zweiten Datei) oder ob es sich um eine Datei oder mehrere Dateien handelt. Entscheidend ist allerdings, dass im Falle der 1-TB-Variante mindestens 168 GB auf der SSD frei sind. Denn nur dann stehen die gesamten 42 GB des SLC-Caches zur Verfügung; Daten zu den beiden größeren Laufwerken hat Samsung auf Nachfrage noch nicht geliefert. Negative Auswirkungen auf die Haltbarkeit soll Intelligent TurboWrite nicht haben, da sich die Zahl der Schreibvorgänge durch den dynamischen Cache nicht erhöht.

Im Test lassen sich die von Samsung für das 1-TB-Modell genannten Werte überwiegende bestätigen. Bis zur Marke von 42 GB schreibt die SSD 860 QVO mit etwa 500 MB/s (Samsung: 520 MB/s), danach mit etwa 74 bis 81 MB/s (Samsung: 80 MB/s). Stehen zu Beginn des Transfers weniger als 168 GB zur Verfügung, sinkt das Tempo entsprechend früher. Ein Unterschied zwischen tatsächlichem und dynamischem Cache ist nicht feststellbar, der Übergang ist entsprechend fließend.

Trotz aller Parallelen zur SSD 860 EVO weicht der Energiebedarf laut Samsung ab - die folgenden Werte beziehen sich allesamt für das jeweilige 1-TB-Modell. So ruft die SSD im DevSleep nun 3 statt 2,3 mW ab, der L1.2-Modus wird erneut nicht unterstützt. Im Gegenzug soll sie sich im Leerlauf mit 30 mW begnügen, bei der EVO-Schwester sind es 50 mW. Beim Lesen und Schreiben sollen im Durchschnitt 2,1 und 2,2 W statt 3 W sein. Im Test konnten in der Spitze allerdings etwa 3 W gemessen werden.