Samsung SSD 990 EVO Plus im Test

Samsung macht einen Vorzeichenfehler - Die Samsung SSD 990 EVO Plus im Detail

Vergleicht man die beiden Varianten der 990 EVO, stellt man fest, dass sich zur Plus-Ausführung nur wenig an den Eckdaten geändert hat. So kommt in beiden Massenspeichern der aktuelle Samsung-eigene Controller namens "Piccolo" zum Einsatz. Leider schweigt Samsung wie üblich zu den hauseigenen Entwicklungen, sodass Details dazu nur schwer zu finden sind. Gesichert ist jedoch, dass es sich um einen Controller ohne DRAM-Support handelt und stattdessen ein sogenannter Host Memory Buffer zum Einsatz kommt. Dieser beträgt 64 MB, die vom System-Arbeitsspeicher vorgehalten werden. Neben der vergleichsweisen geringen Kapazität (bei dediziertem DRAM sprechen wir in der Regel von 1 GB DRAM pro TB Kapazität) bedeutet dies auch einen "Umweg" für Controller und Datenfluss, was sich grundsätzlich negativ auf die Latenzen auswirkt. 

Einen Trend, DRAM einzusparen, erleben wir in den vergangenen Jahren vermehrt, wobei besonders die günstigen Modellserien betroffen sind. Samsungs Schritt, dies auch bei der EVO Plus, also einer Serie im Premium- und Enthusiasten-Bereich zu gehen, ist daher durchaus kritisch zu bewerten. 

Neu im Gegensatz zum Controller ist der NAND, der zum Einsatz kommt. Bei diesem handelt es sich um Samsungs neusten V8-NAND, der in 236 Lagen nun deutlich höher gestapelt wird als noch bei der 990 EVO non-Plus. Samsung hat hier also endlich aufschließen können zu der gesteigerten Datendichte anderer Hersteller wie Micron (232 Layer), WD/Kioxia (162 Layer), SK Hynix (176 Layer) und YMTC (232 Layer). Vielleicht als Folge daraus, bietet Samsung direkt zum Start ein Modell mit einer Kapazität von 4 TB, das damit auch ambitioniertere Datensammler zufriedenstellen sollte. Weiteres berichtet Samsung in diesem Kontext von einer 73 % besseren Energieeffizienz, wobei die 990 EVO in dieser Hinsicht bislang überzeugen konnte. 

Wie schon die Samsung 990 EVO kann auch das Plus-Modell grundsätzlich über zwei Interface-Varianten angesteuert werden. So beherrscht die SSD sowohl eine PCIe4 x4-Anbindung als auch eine PCIe5 x2-Schnittstelle. Weder in der Praxis noch in der Theorie ergeben sich dadurch Leistungsabweichungen. Allerdings haben wir im Test bemerkt, dass einige Programme die 990 EVO Plus falsch erkennen. So gibt CrystalDiskInfo als aktuellen Modus PCIe5 x2 an, parallel dazu aber auch, dass PCIe5 x4 möglich sei. Vermutlich ist dies durch einen Fehler in der Firmware zu erklären. Stichwort Firmware: Eine Reihe unserer Programme hat die SSD regelmäßig als Samsung SSD 990 EVO 1 TB erkannt. 

Der Samsung Magician ist eigentlich ein überzeugendes Programm zur Verwaltung der SSD. Massenspeicher des koreanischen Herstellers können so leicht sicher gelöscht, verschlüsselt, aber auch beispielsweise auf andere Datenträger migriert werden. Außerdem können grundsätzlich auch Einstellungen zur Performance, LED-Steuerung (falls vorhanden) oder Diagnostik getroffen werden - vorausgesetzt, dass das Laufwerk unterstützt wurde. Dies trifft für unsere SSD 990 EVO Plus noch nicht zu, wird sich aber vermutlich zeitnah ändern

Da Samsung den Fokus der Werbematerialien auf die gesteigerte Energieeffizienz legt, wollen wir zunächst mit unserem Test zur temperaturbedingten Drosselung starten. 

In diesem kann uns die Samsung SSD 990 EVO Plus auch zunächst überzeugen. Da wir den Benchmark im Anschluss an bereits hohe Belastungen durchführen, erreichen wir vergleichsweise schnell nach etwas über zwei Minuten die vermeintlich kritische Temperaturschwelle von 80 °C. Dies war bereits bei der non-Plus der Schwellenwert, ab dem wir eine temperaturbedingte Drosselung messen konnten, allerdings sehen wir im direkten Vergleich, dass dieser nun deutlich später erreicht wird - und die SSD dabei auch deutlich höhere Transferraten bietet. So sind selbst die Tiefpunkte der Hysterese auf einem deutlich höheren Level als die Spitzenleistung der 990 EVO non-Plus. 

Einen Kritikpunkt, den wir der Samsung SSD 990 EVO ankreiden mussten, war die vergleichsweise schlechte Cache-Leistung. Selbstverständlich lagen daher in Verbindung mit einer neuen NAND-Generation die Hoffnungen für die 990 EVO Plus deutlich höher. Doch während wir zunächst einen guten sequenziellen Start mit mehr als 5 GB/s messen können, holt uns bald die Realität ein. Nach bereits 40 Sekunden bricht die Schreibrate drastisch ein, noch vor Ablauf der ersten Minute sind wir dauerhaft bei unter 1 GB/s Schreibleistung. Überhaupt schwanken die Schreibgeschwindigkeiten eher in einem Bereich zwischen 100-250 MB/s, lediglich von wenigen Ausreißern nach oben unterbrochen. Leider erinnert unser Diagramm daher sehr an das der non-Plus-Variante, sodass wir nach fünf Minuten lediglich 297 GB an Daten geschrieben haben. Für eine moderne SSD, noch dazu mit TLC-NAND, ist das eine schwache Leistung. 

Wiederholen wir den Test, nun aber mit einem bereits zu 80 % gefüllten Laufwerk, wird das Ergebnis nicht besser. Die Samsung SSD 990 EVO Plus kann nur für einen sehr kurzen Moment zur Spitzenleistung auflaufen, doch schon nach etwa 26 GB bricht die Leistung drastisch ein. Bis zum Ende des Tests schreibt die SSD durchschnittlich mit 255 MB/s weiter, sodass am Ende nur 92 GB innerhalb von fünf Minuten geschrieben wurden. Auch hier muss angesichts von deutlich besseren Testergebnissen seit Jahren festgehalten werden, dass die Samsung SSD 990 EVO Plus nicht wirklich überzeugt. Selbst die Samsung SSD 980, die auch schon vor drei Jahren nicht zum HighEnd gehörte, konnte hier deutlich bessere Werte präsentieren. Aber auch ein moderner QLC-Winzling wie die Micron 2400 bietet klar bessere Cache-Leistungen. 

Immerhin in Bezug auf die Haltbarkeit des NANDs enttäuscht uns Samsung nicht: Die SSD 990 EVO Plus kommt daher mit fünf Jahren Garantie und guten TBW-Angaben.

Maximale Schreiblast