IEDM
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IEDM 2023: Halbleiterforschung konzentriert sich auf Backside Power Delivery
Auf dem 2023 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2023) präsentieren Halbleiterunternehmen, Forschungsgruppen und Universitäten ihre aktuellen Forschungsergebnisse rund um die aktuelle Halbleiterentwicklung. In diesem Jahr konzentrieren sich Präsentatoren vor allem auf die Entwicklung von Technologien im Bereich der Backside Power Delivery Networks (BSPDN), des Packagings und der Skalierung der Transistoren auf 2 nm und... [mehr] -
Intel auf dem IEDM 2022: Ausblick auf zukünftige Packaging- und Fertigunstechniken
Auf dem IEEE IEDM (International Electron Devices Meeting) wird Intel gleich mehrere Forschungspapiere vorstellen. Einige Details dazu hat man nun bereits im Vorfeld veröffentlicht, denn das eigentliche Meeting findet erst in der kommenden Woche statt. Intel befindet sich aktuell in einer großen Umstrukturierungsphase hinsichtlich seiner Fertigungstechnologien. Aktuelle Produkte werden in Intel 7 gefertigt, was eine 10-nm-Fertigung in etlichen... [mehr] -
IEDM 2021: Intel über Forschung, Fertigung in 2025 und darüber hinaus
Im Sommer präsentierte Intel nicht nur seine IDM-2.0-Strategie und benannte seine Fertigungsgrößen um, sondern gab außerdem einen Ausblick auf das, was uns ab 2024/25 erwarten wird. Neue Entwicklungen im Bereich der Materialforschung bilden meist die Basis für all das, was dann im einzelnen Transistor, über gestapelte Transistoren, im Aufbau des CMOS-Designs bis hin zum Packaging zum Einsatz kommt. Auf dem International Electron Devices... [mehr] -
IEDM 2020: Intel will durch gestapelte Transistoren deren Dichte verdoppeln
Auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) präsentierte Intel verschiedene Weiter- und Neuentwicklungen aus dem Bereich der Fertigungstechnologien. Eine der wichtigsten Forschungen betrifft die sogenannte Self-Aligned 3D Stacked Multi-Ribbon CMOS Transistoren – selbstausrichtende, gestapelte Transistoren, welche Intel theoretisch in die Lage versetzen sollen, die Transistordichte zu verdoppeln. Die... [mehr]