Bei 3400 MHz schreibt er mir nach ca. 200% einen Error an. Bei einem 2. Versuch mit erhöht der Spannung änderte sich auch nix.
Heute über Nacht erhöhe ich erstmal trdrdscl und twrwrscl von 2 auf 3. Sollte das auch nicht funktionieren, gibt's einen Vorschlag, wie ich weitermachen soll?
Versteif Dich nicht auf die 3400 oder höher. Die sollten bei aktuellem Stand außer Reichweite sein. Versuch lieber die Haupt- und Subtimings unter 3333 MT/s zu optimieren (z.B. 14-14-14-14-28-42). Die Signalkalibrierung über die CLDO_VDDP ist auch immer mal wieder gut für den einen oder anderen Fortschritt.
Ich kämpfe gerade damit, 3600 CL14-17-17-34 die der DRAM-Calculator von 1usmus ausgespuckt hat (fast-preset) stabil zu kriegen
Hast Du die CPU übertaktet? Vlt. rühren Deine Prime fails daher.
Was ich mir nicht erklären kann, sind die hohen Spannungen, die Du benötigst. Insbesondere die hohe vSOC sollte mit Zen+ eigentlich kontraproduktiv sein. Wie schaut das denn in niedrigeren Taktstufen aus (z.B. 3466 oder 3533 MT/s)? Brauchst Du da auch so viel Volt?
Wenn Du so große Schwierigkeiten mit 3600 MT/s hast, solltest Du sowieso erstmal schauen, mit welchen Timings und Spannungen die 3466 oder 3533 stabil laufen. Ausgehend davon lassen sich die 3600 besser in Angriff nehmen. 3600 MT/s sind auch mit Pinnacle Ridge eine Hausnummer.
Die vorgeschlagenen tRFC-Werte scheinen recht niedrig zu sein im Vergleich zur von curious geposteten Tabelle? Sollte ich da noch andere Werte ausprobieren?
tRFC ist sehr stabilitätskritisch. Wenn Du hohe Taktraten ausprobierst, würde ich tRFC erstmal sehr hoch ansetzen (z.B. 250ns also 450 Takte bei 3600 MT/s), um den Einfluss des Timings auszuschließen. Sobald der RAM auf der gewünschten Taktstufe stabil läuft, kannst Du immer noch ausprobieren, was mit tRFC möglich ist. Das empfehle ich aber eigentlich für die meisten Timings. HCI ist leider nicht der Goldstandard um das alles zu testen (etwas unzuverlässig und langsam).
Corsair gibt standardmäßig tRCDWR=19 und tRCDRD=19 an, weshalb (so vermute ich) der DRAM mir auch 14-17-17-xx statt 14-14-14-xx oder so ausspuckt. Ich vermute dass da geringere Werte Leistung bringen würden (und G.Skill zb diese Timings fast immer gleich dem tCL hat), aber ich kenn mich nicht gut genug aus, um da selber was zu verändern. Gibts für diese Timings (zusammen mit tRP?+tRAS+?) schnellere Kombinationen die ich ausprobieren könnte? (Evtl bei 3533MT/s, damit das irgendwie stabil ist)
Die vom Thaiphoon Burner aus dem SPD gelesenen Timing Parameter sind nicht so relevant, wie 1usmus das vermittelt. Corsair programmiert die konservativer und mit anderer Gewichtung als G.Skill. Nimm einfach das V1 Profil und orientiere Dich an diesen Werten. Und ja, niedrigere Werte bringen Leistung (solange man nicht gewisse Schwellen unterschreitet).
Edit: kanns sein dass meine RAM-Riegel keine Temperatursensoren haben? weil ich kann die nirgends auslesen :/
Wenn Dir HWinfo die Information nicht anzeigt, kannst Du mal
Corsair Link ausprobieren.
zwar keine "B-Dies" dennoch hätte ich gerne abgeklopft was bei folgendem RAM ggf. noch an OC-Potenzial vorhanden ist:
Corsair Vengeance LPX schwarz DIMM Kit 16GB (2x8), DDR4-3200, CL16-18-18-36 ("CMK16GX4M2B3200C16")
E-Die SR
Samsung E-die auf 8GB Modulen sind immer Dual Rank, nicht Single Rank!
E-die kommen normalerweise nicht über 3200-14-15-15-15-30-46 hinaus. Diese Timings solltest Du als Optimum anpeilen.
Daür brauchen E-die selten mehr als 1.4v. Die vSOC sollte sich irgendwo im Bereich 1.0-1-05v einpendeln lassen.
Bzgl. der Subtimings kannst Du Dich an den B-die "Fast" von The Stilt oder den folgenden schärferen Subs orientieren:
Für den Terminationswiderstand gelten die Dual Rank Empfehlungen:
procODT = 60 Ohm (manchmal 68,6 Ohm)
RttNom = RZQ/7 (oder
off oder RZQ/5)
RttWr = RZQ/3
RttPark = RZQ/1
E-Die haben wir noch nicht in der Liste. Du wärst der Erste.
Ich mach demnächst einen Eintrag in die Liste. Hab gerade mal wieder zwei Kits mit E-die herumliegen: CMK16GX4M2B3200C14