Modbox
Enthusiast
@Whitecker007;
bitte mal lesen wegen den Sub-Timings!
Das Memset und Everest dir andere Sub-Timings anzeigt liegt daran das du bei den
Timings im Bios ein Offset dazu rechnen musst. Obwohl wie hier beschrieben ein
Offset von 10 allerdings nicht immer ganz stimmt.
tRRD (ACT to ACT Delay):
Unter dem "Activate to Active Delay" versteht man die Zeitverzögerung, die für das Issuen von zwei aufeinander folgenden Aktivierungsbefehlen für zwei unterschiedliche RAS Banks, innerhalb des selben DRAM Moduls, nötig ist. Diese Verzögerung wird auch gerne mit RAS-to-RAS Delay bezeichnet (daher kommt auch RRD Zwinkern ). Auch hier gilt wieder je kürzer das Delay desto schneller, aber auch hier kann zu schnell wieder zu Problemen führen!
Die Auto-Einstellung ist bei einem FSB unter 500 immer 4, was in der Regel unproblematisch ist. Bei einem extrem hohen FSB sollte man bei Problem auf 5 umschalten.
tWTR (Rank Write To Read Delay):
Diese Verzögerung steht für das Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Lesebefehls einer "Tabellen"-Spalte.
Wenn man diesen Wert manuell einstellt, sollte man beachten, dass ein Offset von -10 miteinberechnet wird, d.h. stellt man 5 ein, so liegt der reale Wert bei 15.
tWR (Write to Precharge Delay):
Kleinst mögliches Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Precharge-Befehls.
Auch hier gibt es wieder einen Offset von -10!
tRFC (Refresh to ACT Delay):
Die Option bedeutet ausgeschrieben Refresh to Active/Refresh Command Time. Sie gibt an wie lange der Chip Zeit hat, seine Speicherbänke wieder aufzufrischen (DRAM-Speicher müssen ja ständig aufgefrischt werden, um Daten halten zu können, da sie auf einem Kondensator als Speicherelement beruhen). Das dauert eine gewisse Zeit und während eines Refreshs kann natürlich nicht darauf zugegriffen werden. Daher ist logisch, dass die Speicherperformance ansteigt, wenn man hier einen kürzeren Wert einstellt. Übertreiben sollte man es aber auch nicht, denn wenn man mit einem Lese- oder Schreibvorgang dazwischenpfuscht, während der Chip noch im Refresh ist, ist Datensalat vorprogrammiert und damit der Absturz.
Bei diesem Timing haben niedrige Settings einen sehr großen Einfluss auf die Speicherbandbreite, was aber leider zu Kosten der Stabilität geht.
Wenn es nur um einen Benchmark geht, kann man Werte zwischen 48 bis 55 versuchen, wenn es einem bei hohen FSBs um Stabilität geht, sollte man sich von oben langsam nach unten arbeiten!
tRTP (Read To Precharge Delay):
Mit dieser Option kann das Zeitintervall zwichen einem Lese und einem Precharge-Befehl festgelegt werden.
Bei einem QuadCore und einem hohen FSB oder 4 GB RAM (oder mehr) sollte man hier man 6 als Timing versuchen.
bitte mal lesen wegen den Sub-Timings!
Das Memset und Everest dir andere Sub-Timings anzeigt liegt daran das du bei den
Timings im Bios ein Offset dazu rechnen musst. Obwohl wie hier beschrieben ein
Offset von 10 allerdings nicht immer ganz stimmt.
tRRD (ACT to ACT Delay):
Unter dem "Activate to Active Delay" versteht man die Zeitverzögerung, die für das Issuen von zwei aufeinander folgenden Aktivierungsbefehlen für zwei unterschiedliche RAS Banks, innerhalb des selben DRAM Moduls, nötig ist. Diese Verzögerung wird auch gerne mit RAS-to-RAS Delay bezeichnet (daher kommt auch RRD Zwinkern ). Auch hier gilt wieder je kürzer das Delay desto schneller, aber auch hier kann zu schnell wieder zu Problemen führen!
Die Auto-Einstellung ist bei einem FSB unter 500 immer 4, was in der Regel unproblematisch ist. Bei einem extrem hohen FSB sollte man bei Problem auf 5 umschalten.
tWTR (Rank Write To Read Delay):
Diese Verzögerung steht für das Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Lesebefehls einer "Tabellen"-Spalte.
Wenn man diesen Wert manuell einstellt, sollte man beachten, dass ein Offset von -10 miteinberechnet wird, d.h. stellt man 5 ein, so liegt der reale Wert bei 15.
tWR (Write to Precharge Delay):
Kleinst mögliches Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Precharge-Befehls.
Auch hier gibt es wieder einen Offset von -10!
tRFC (Refresh to ACT Delay):
Die Option bedeutet ausgeschrieben Refresh to Active/Refresh Command Time. Sie gibt an wie lange der Chip Zeit hat, seine Speicherbänke wieder aufzufrischen (DRAM-Speicher müssen ja ständig aufgefrischt werden, um Daten halten zu können, da sie auf einem Kondensator als Speicherelement beruhen). Das dauert eine gewisse Zeit und während eines Refreshs kann natürlich nicht darauf zugegriffen werden. Daher ist logisch, dass die Speicherperformance ansteigt, wenn man hier einen kürzeren Wert einstellt. Übertreiben sollte man es aber auch nicht, denn wenn man mit einem Lese- oder Schreibvorgang dazwischenpfuscht, während der Chip noch im Refresh ist, ist Datensalat vorprogrammiert und damit der Absturz.
Bei diesem Timing haben niedrige Settings einen sehr großen Einfluss auf die Speicherbandbreite, was aber leider zu Kosten der Stabilität geht.
Wenn es nur um einen Benchmark geht, kann man Werte zwischen 48 bis 55 versuchen, wenn es einem bei hohen FSBs um Stabilität geht, sollte man sich von oben langsam nach unten arbeiten!
tRTP (Read To Precharge Delay):
Mit dieser Option kann das Zeitintervall zwichen einem Lese und einem Precharge-Befehl festgelegt werden.
Bei einem QuadCore und einem hohen FSB oder 4 GB RAM (oder mehr) sollte man hier man 6 als Timing versuchen.
